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光刻、刻蚀区别?

135****6938
硅片上如何刻蚀出孔洞
提问时间:2022-09-06 04:14:32
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回答 | 共1个
黄仁松
黄仁松
从业8年
商标变更商标补证
所在地区:三亚市
咨询解答:418
咨询TA

这两个词是半导体工艺中的重要步骤,需要配合剖面图讲解,最好自己找本半导体工艺的书看。

“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。

“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。

建有流水线的商家有,海力士,华润等等。有兴趣可以网上的半导体技术交流论坛看看。

2022-09-06 07:02:34
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赵岳顾问
擅长:国际商标注册,注册商标,商标设计
执业1年
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