专利摘要： 本发明公开了一种由液相源包覆渗透生长方式制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，由配制Y2BaCuO5前驱粉、配制液相源粉、压制前驱块、装配前驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。通过使用BaO和CuO的混合粉Ba3Cu5O8作为液相源，使得整个熔渗生长过程仅需Y2BaCuO5一种前驱粉，简化了实验环节，缩短了实验周期，提高了制备效率。采用了液相源包覆Y2BaCuO5固相块的成型方式，在高温下可实现液相从样品底面和侧面两个方向的渗透，更有利于样品的完整生长。此外，采用液相源包覆Y2BaCuO5固相块的成型方式，整个样品的高度大大降低，在高温下更容易保持直立，可避免样品出现倾斜或倒塌的情况，从而提高了熔渗生长方法的稳定性和可重复性。