专利摘要： 本发明公开了一种有序氧化钨纳米线阵列结构的制备方法，以种子层诱导生长途径实现基底表面多级氧化钨纳米结构的直接原位组装。在基底上预镀钨薄膜源材料层，进而转移至管式炉再结晶辅以后退火处理得到了具有良好形貌的氧化钨纳米线。本发明具有实验方法简单、实验花费小、实验条件灵活易于控制的特点。在不使用催化剂低温下在单晶硅、多孔硅、氧化铝基底上生长比表面积大、准定向、密度大的氧化钨纳米线阵列。本发明是用来制作气敏传感器、电致变色薄膜、电子场发射器件、光催化电解水电极的理想材料。