晶圆电镀工艺流程？

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光刻胶怎么去除

提问时间:2022-09-04 11:36:25

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黄磊

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1脱氧提纯

沙子/石英经过脱氧提纯以后的得到含硅量25％的Si02二氧化硅。氧化硅经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并蒸馏后，得到纯度高达99%以上的晶体硅。晶体硅的纯度要求非常高，这也是造出晶圆昂贵的原因

。大家知道钻石是个什么玩意儿吗？钻石就是碳元素经过脱氧以及其他因素形成的元素排列独特且纯度高达99.64％以上的晶体。大家想想，晶圆比人造钻石便宜多了，感觉还是很划算的。

2制造晶棒

晶体硅经过高温成型，采用旋转拉伸的方法做成圆形的晶棒

3晶片分片

将晶棒横向切成厚度基本一致的晶圆片，Wafer。

4Wafer抛光

进行晶圆外观的打磨抛光。

5Wafer镀膜

通过高温，或者其他方式，使晶圆上产生一层Si02二氧化硅。Si02二氧化硅为绝缘材料，但有杂质和特殊处理的Si02二氧化硅有一定的导电性。这里Si02二氧化硅的作用是为了光的传导。就像用Si02二氧化硅做光导纤维一个道理。这是为了后面光刻

6上光刻胶

光刻胶和以前照相的胶片一个道理。Wafer上光刻胶，要求薄而平整。

7光刻（极紫光刻EVO）

将设计好的晶圆电路掩模，放置于光刻的紫外线下，下面再放置Wafer。在光刻的瞬间，在Wafer被光刻的部分的光刻胶融化，被刻上了电路图。去除光刻胶，光刻胶上的图案要与掩模上的图案一致。再次光刻。一个晶圆的电路要经过多次光刻。随着极紫光刻新技术出现，晶圆的光刻变得更精确，也更有效率了，甚至可以一次完成全部光刻了。

9电镀

基本上晶圆完成了，接下来要在晶圆上电镀一层硫酸铜。铜离子会从正极走向负极。

10抛光

打磨抛光Wafer表面，整个Wafer就已经制造成功了。

11晶圆切片】

将Wafer切成，单个晶圆Die。

12测

主要分三类：功能测试、性能测试、抗老化测试。具体有如:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、动态参数测试、模拟信号参数测试等等。有坏的晶圆就报废，此为黑片；有一些测试没过，但不影响使用的分为白片，可以流出；而全部通过测试的为正片。

13包装入盒

先给Wafer覆膜，再将其插入黑盒子中。

14发往封测

2022-09-04 12:01:26