贴片半导体元件中英文字母是什么意思？

一种半导体器件模型由五个部分（场效应器件，半导体特殊器件，复合管，PIN管，命名只有第三，第四，第五部分激光器件模型）组件。含义五个部分如下：第一部分：有源电极的数量与半导体器件的数字表示。 2 - 二极管3 - 晶体管第二部分：该材料，并与拼音字母极性半导体器件。所述二极管：AN型锗材料，BP型锗材料，CN型硅材料，DP型硅材料。上述晶体管时：A-PNP型锗，B-NPN型锗，C-PNP型硅材料，D-NPN型硅材料。第三部分：在半导体器件中的拼音字母。 P-普通管，V型微波管，W-稳压器，C-参数管，Z型整流器，L-整流桥堆，S-隧道，N-阻尼管，U型光电器件，K-开关，X低高频小功率管（F 3MHz的，PC> 1W），T型晶闸管（可控整流），Y型体效应器件，B雪崩，J-阶跃恢复管，CS-FET，BT专用半导体器件， FH-复合管，PIN-PIN管，JG-激光设备。第四部分：数字号之五：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示高频晶体管NPN硅材料2，日本半导体分立设备类型指定日本生产的半导体分立器件从五到七部分组成。通常只使用第一五部分，其象征意义各部分如下：第一部分：数字表示的设备或有源电极类型的数目。 0 - 光电元件（即敏感）和管二极管晶体管器件1的上述组合 - 二极管，两个三极或其它设备有两个pn结3 - 具有四个有效电极或其他设备有三个pn结，┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册商标。 S-表示在日本电子工业协会JEIA注册半导体分立器件。第三部分：用料用字母表示器件的极性和类型。 A-PNP高频管，B-PNP型低频管，C-NPN高频管，D-NPN型低频管，FP-栅晶闸管，GN栅晶闸管，HN-基单结晶体管，JP-沟道FET，KN-沟道FET，M-可控硅。第四部分：在日本电子工业协会JEIA注册序列号数字表示。两个以上的整数 - 从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的序列号;来自不同公司的性能相同的设备可以使用相同的序列号;数字越大，越近的产品。 第五部分：字母表示同一类型的提高了产品的标识。 A，B，C，D，E，F表示该设备是改善了原车型。 3，美国半导体分立器件型号命名美国晶体管或其他半导体器件的命名比较混乱。命名如下美国电子工业协会半导体分立器件：第一部分：符号表示的设备使用的类型。 JAN-军级，JANTX，特殊的军事水平，JANTXV - 超特队，JANS空间级别，（无） - 非军用物资。 第二部分：数字表示pn结的数量。 1 - 二极管，三极管2 = 3 - 三个pn结器件，NN pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）的注册商标。 N-该设备已被登记在电子工业协会（EIA）。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。许多人物 - 在序列号的美国电子工业协会注册的设备。 第五部分：字母表示器件分档。 A，B，C，D，┄┄ - 同一类型在不同的装置上的文件。如：JAN2N3251A表示高频小功率硅PNP开关晶体管，JAN-军工级2 - 三极管，N-EIA注册标志,3251-EIA登记顺序号，A-2N3251A档。 4，半导体电子器件型号命名德国，法国，意大利，荷兰，比利时等欧洲国家以及匈牙利，罗马尼亚，南斯拉夫，波兰和其他东欧欧洲国家，主要是由半导体分立器件电子式指定的国际联合会。这种命名方法由四个基本部件，符号和各部分的意义如下：第一部分：字母表示在该装置中使用的材料。使用该材料例如为0.61.0EV的带隙，例如锗A设备，B设备使用的材料例如为1.01.3EV，如二氧化硅，C - 该装置所用材料例如> 1.3EV如砷化镓，使用材料例如 100 >这意味着晶体管的硅材料，NPN结，0.1W的额定功率，20 mA的工作电流，耐压45V，工作频率大于100MHz的。