igbt导通关断条件？

igbt器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的静态驱动功率接近于零。

但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容CGs，因而在高频率的交替导通和关断时需要一定的动态驱动功率。

小功率igbt的CGs一般在10~l00pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容CGs较大，在1~l00pF，甚至更大，因而需要较大的动态驱动功率。

igbt栅极电压可由不同的驱动电路产生，栅极驱动电路设计的优劣直接关系到由igbt构成的系统长期运行可靠性。

正向栅极电压的值应该足够令igbt产生完全饱和，并使通态损耗减至最小，同时也应限制短路电流和它所带来的功率应力。

igbt正栅压VGE越大，导通电阻越低，损耗越小。但是，如果VGE过大，一旦igbt过流，会造成内部寄生晶闸管的静态擎柱效应，造成igbt失效。

相反如果VGE过小，可能会使igbt的工作点落人线性放大区，最终导致器件的过热损坏。在任何情况下，开通时的栅极驱动电压，应该在12~20V之间。

当栅极电压为零时，igbt处于断态。由于igbt的关断过程可能会承受很大的dv/dt，伴随关断浪涌电流，干扰栅极关断电压，可能造成器件的误开通。

为了保证igbt在集电极-发射极电压上出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个反向关断偏压，采用反向偏压还可减少关断损耗。反向偏压应该在—5~—15V之间。 

IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 本回答专业性由科学教育分类达人 顾凤祥认证 回答 导通和截止，取决于阀值电压，阀值电压是导通和截止的本条件，一般正负5V； 如果让IGBT的导通状态是出于饱和导通，电压一般是正负15V。 guli123142 | 2012-05-18 0 2 一般的IGBT是正电压开通，零电压关断，一般情况下，门极开通电压会给+15V，为了可靠关断，关断电压会给一个负值，大约-10V左右即可。三菱的IGBT较特殊，它是零压开通