电阻是怎样制造出来的？

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如何进行表面外延生长

提问时间:2022-10-02 03:34:36

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葛宇晗

从业6年

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咨询解答:423

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简单回答一下，

1，制备一切的基础，高纯单晶硅

扩散法制备p+衬底晶圆），分子束外延生长低浓度高电阻p单晶（p-层），并氧化生长二氧化硅层得到（多晶硅栅极和pnp区域之间的氧化层）

3，涂敷光刻胶，掩膜(类似相机的胶卷和照片关系)光刻，清洗（洗掉没有固化的光刻胶），得到一个光刻胶固化后形成的保护层，保护（不需要被化学气体刻蚀、不需要被离子注入、不需要被氧化生长二氧化硅层）的表面。

4，离子注入,得到p硅包围的n硅。

5，cvd沉积多晶硅，光刻，蚀刻，制备多晶硅栅极。

6，cvd沉积二氧化硅，机械化学抛光平坦化。

7，涂敷光刻胶，掩膜光刻，清洗，干法蚀刻（干法hf气体腐蚀sio2层，金属层），得到n硅和金属引脚欧姆接触的通孔。

8，物理气象沉积得到金属层，涂敷光刻胶，掩膜光刻，清洗，干法蚀刻，得到3个金属电极，得到完整的mos管。

9，mos管更上面的层，就是物理气象沉积得到金属层，涂敷光刻胶，光刻，清洗，干法蚀刻，得到一层完整电路，

然后同样的工序，一层一层得制造出很多层的金属互联的电路，

（例如总线电路层，电源电路层，逻辑电路层，等等各种功能层，每个功能层有几层到十几层金属电路层组成，金属层之间用沉积氧化物来隔离，掩膜光刻清洗蚀刻，來制造通孔连接），

制造出立体的多层电路，把每个微小的mos连接起来，最后构成ic集成电路。

总结，因为一切程序，都是像照相一般的一次生成几十亿的像素，

一个mos管类比一个像素，所以一次全流程，可以制备上百亿的mos管。

2022-10-02 04:16:37

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杨东明顾问

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