专利摘要： 本发明公开了一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法。其组成为（1-x）BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4，0.9≤x≤0.95，以NZFO晶相为主相，BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围，形成铁电/铁磁两相复合陶瓷。制备方法为首先，制得BTO/NZFO复合粉体；其次经加压成型，并在低于最高致密化烧结温度下进行烧结，得到BTO/NZFO复合陶瓷；然后，再将烧结温度升高，使含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来，接着，再将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态；最后，将复相陶瓷进行二次退火处理，使玻璃态BTO再结晶。本发明的复相陶瓷，其渗流阈值可达90%以上，同时具有高介电常数、高磁导率和较低的介电损耗、磁损耗。

专利摘要： 本发明公开了一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4，0.7≤x≤0.9，以NZFO晶相为主相，BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间，实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离，形成由BTO非晶相包裹NZFO晶粒的两相复合陶瓷。制备方法为首先烧结得到致密的BTO/NZFO复合陶瓷；然后，将烧结温度迅速升高，使体系中含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来。最后，将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态。本发明的复相陶瓷，其密度可比传统方法制备的陶瓷至少提高10%，具有高介电常数、高磁导率和低电磁损耗。