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Bto晶相原位隔离nzfo晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4,0.9≤x≤0.95,以NZFO晶相为主相,BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围,形成铁电/铁磁两相复合陶瓷。制备方法为首先,制得BTO/NZFO复合粉体;其次经加压成型,并在低于最高致密化烧结温度下进行烧结,得到BTO/NZFO复合陶瓷;然后,再将烧结温度升高,使含量较少的BTO相完全融化成液态,将NZFO相的晶粒完全分隔开来,接着,再将复相陶瓷快速冷却至室温,将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态;最后,将复相陶瓷进行二次退火处理,使玻璃态BTO再结晶。本发明的复相陶瓷,其渗流阈值可达90%以上,同时具有高介电常数、高磁导率和较低的介电损耗、磁损耗。 -
非晶bto相致密包裹nzfo晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4,0.7≤x≤0.9,以NZFO晶相为主相,BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间,实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离,形成由BTO非晶相包裹NZFO晶粒的两相复合陶瓷。制备方法为首先烧结得到致密的BTO/NZFO复合陶瓷;然后,将烧结温度迅速升高,使体系中含量较少的BTO相完全融化成液态,将NZFO相的晶粒完全分隔开来。最后,将复相陶瓷快速冷却至室温,将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态。本发明的复相陶瓷,其密度可比传统方法制备的陶瓷至少提高10%,具有高介电常数、高磁导率和低电磁损耗。
胡娟
金牌知产顾问
215463210
全国服务热线:
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