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  • 一种bn-mas陶瓷复合材料及其制备方法

    专利

    专利摘要: 一种BN-MAS陶瓷复合材料及其制备方法,涉及一种氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有氮化硼陶瓷材料生产中烧结温度过高、烧结压力过大导致成本高、效率低的技术问题。一种BN-MAS陶瓷复合材料由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末和六方BN粉末制成。制备方法为一、称量;二、球磨制浆;三、干燥制粉;四、装模预压;五、烧结处理,即得BN-MAS陶瓷复合材料。本发明的BN-MAS陶瓷复合材料的致密度为99.4%,抗弯强度为213.2MPa±24.8MPa,介电常数为5.81,介电损耗角正切值为6.57×10-3。本发明应用于BN-MAS陶瓷复合材料的制备领域。
    发明者: 贾德昌, 蔡德龙, 杨治华, 段小明, 梁斌, 苑景坤, 李倩, 闫姝, 周玉
    公开日: 2014年5月28日
  • 一种b位取代bnt微波介质陶瓷材料及其制备方法

    专利

    专利摘要: 一种B位取代BNT微波介质陶瓷材料及其制备方法,属于功能材料【技术领域】。微波介质陶瓷材料的化学通式为Ba3。75Nd9.5Ti18-y(M,N)yO54,其中0.6≤y≤2.5;由BaO、Nd2O3、TiO2、金属元素M、N的氧化物按化学通式的摩尔比经配料、球磨、预烧和烧结制成;其中元素M的氧化物为Nb2O5,元素N的氧化物为Al2O3、MgO、ZnO、Co2O3、NiO中的一种或几种。本发明对Ba6-3xNd8+2xTi18O54中B位进行高低价元素同时取代,经一次合成工艺得到的微波介质陶瓷材料具有较高的介电常数、较低的损耗特性和较低的频率温度系数,能满足微波通信行业的需求,尤其适合制作射频电子标签。
    发明者: 唐斌, 陈鹤拓, 袁颖, 钟朝位, 张树人
    公开日: 2014年7月16日
  • Zr02-BN陶瓷材料浸入式水口及其制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明提供了一种Zr02-BN陶瓷材料浸入式水口及其制备方法,该侵入式水口由包括以下质量百分比的材料组成:氧化锆70%-95%,氮化硼5%-35%、抗氧化剂0%-5%和ZrBr2l%-5%?将上述材料放入球磨机,进行球磨造粒混料,然后将球磨好的原料放入模具冷等静压成型,成型压力为80-160MPa最后在氮化炉中氮化烧结,升温速度为1-2°C/min,烧结完保温5-7h。采用抗氧化性较强且具有石墨相同结构的氮化硼代替传统材料中抗氧化性能较低的石墨材料。通过高温处理,使得材料不仅具有相对较高的高温热震稳定性,同时抗氧化性能大大提局,提局使用寿命。
    发明者: 吴建湘, 黄亚平, 王胜利, 蒋永明
    公开日: 2014年12月17日
胡娟
金牌知产顾问
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