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  • 卡格列净的c晶型及其结晶制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明公开了一种卡格列净的C晶型及其结晶制备方法,其X-射线粉末衍射在衍射角2θ=3.4±0.1,6.5±0.1,12.7±0.1,15.8±0.1,19.8±0.1,24.3±0.1,24.8±0.1和29.1±0.1度处有特征峰;命名为C晶型卡格列净。本发明方法具有以下有益效果操作简单、耗能少。制备出的新晶型产品稳定性好,溶解度更大,溶解速率更快,产品纯度高于99%、收率91%左右,产品在常温、干燥条件下储存100天后,产品纯度、颜色、形态未发生变化。产品易于粉碎和易于加入药物组合物的剂型,以及成本低,更易于商业产业化规模实施。
    发明者: 郝红勋, 张洪姣, 范传文, 侯宝红, 高永宏, 尹秋响, 齐宪亮, 王静康, 王永莉
    公开日: 2014年7月23日
  • 卡格列净的a晶型及其结晶制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明公开了一种卡格列净的A晶型及其结晶制备方法,其X-射线粉末衍射图谱在衍射角2θ=3.7±0.1,3.9±0.1,7.7±0.1,7.9±0.1,11.5±0.1,13.1±0.1,13.5±0.1,14.3±0.1,15.5±0.1,17.3±0.1,18.8±0.1,19.3±0.1,20.3±0.1,22.5±0.1,22.7±0.1,23.2±0.1和23.4±0.1度处有特征峰。本发明操作步骤简单易操作、耗时短、耗能少。制备出的产品稳定性好,纯度高于99%、收率90%左右,产品在常温、干燥条件下储存100天后,产品纯度、颜色、形态未发生变化。
    发明者: 郝红勋, 张洪姣, 范传文, 侯宝红, 高永宏, 尹秋响, 齐宪亮, 王静康, 王永莉
    公开日: 2014年8月13日
  • 卡格列净的b晶型及其结晶制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明公开了一种卡格列净的B晶型及其结晶制备方法,X-射线粉末衍射图谱在衍射角2θ=3.4±0.1,6.6±0.1,12.6±0.1,13.2±0.1,15.3±0.1,15.6±0.1,16.5±0.1,19.4±0.1,19.8±0.1和23.7±0.1度处有特征峰。本发明方法具有以下有益效果高效、易操作、耗时短。制备出的B晶型卡格列净晶体溶解度更大,溶解速率更快,产品的纯度高于99%、收率95%左右,产品在常温、干燥条件下储存100天后,产品纯度、颜色、形态未发生变化。产品易于粉碎和易于加入药物组合物的剂型,以及成本低,更易于商业产业化规模实施。
    发明者: 郝红勋, 张洪姣, 范传文, 侯宝红, 高永宏, 尹秋响, 齐宪亮, 王静康, 王永莉
    公开日: 2014年8月13日
胡娟
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