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  • Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用及制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明公开了涉及Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用及Zr掺杂反铁电陶瓷的制备方法。Zr掺杂反铁电陶瓷为(Bi0.47Na0.47Ba0.06)(La(1-x)Zrx)TiO3。使用氧化铋,碳酸钠,碳酸钡,二氧化钛,氧化锆和氧化镧作为原料,根据分子式(Bi0.47Na0.47Ba0.06)(La(1-x)Zrx)TiO3来计算各化学组成分的质量,然后将称好的料倒入尼龙罐中,并放入氧化锆球,加入乙醇至罐体内高度的2/3处,并在球磨机上球磨6小时,干燥,过筛,压成型,在空气中在1000℃煅烧6h,再次球磨成粉,过筛,压制。本发明的有益效果是BNT-BLZT陶瓷材料在20℃时它的最大饱和极化是29.8μC/cm2,在储能方面具有很大的潜力。
    发明者: 曹静, 张广良, 王永锋
    公开日: 2014年8月13日
  • 反铁电储能陶瓷材料及陶瓷元件和制备方法

    专利

    专利摘要:
    发明者: 王根水, 高峰, 毛朝梁, 董显林
    公开日: 2013年6月19日
胡娟
金牌知产顾问
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