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  • 通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法

    专利

    专利摘要: 本发明涉及制造前体的方法。即,涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法,其包含以下步骤:提供具有供给侧和排出侧的中空基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区,用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积,提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区,用于在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积,获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管;冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管,获得初级预制品的前体。
    发明者: I·米莉瑟维克, M·J·N·范·斯特劳伦, J·A·哈特苏克, G·克拉比希斯
    公开日: 2015年1月14日
胡娟
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