专利摘要： 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC-PTC（V型PTC）陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1-x)MxNbO3，其中x=0.001~0.30，M=Ca、Ba、Sr中的至少一种；另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应，升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上；在Tb以下，材料具有很大的NTC效应，在50℃的范围内，电阻可随温度下降4个数量级。