专利摘要： 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC-PTC（V型PTC）陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1-x)MxNbO3，其中x=0.001~0.30，M=Ca、Ba、Sr中的至少一种；另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应，升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上；在Tb以下，材料具有很大的NTC效应，在50℃的范围内，电阻可随温度下降4个数量级。

专利摘要： 本发明公开了一种PTC陶瓷复合电极及其制备方法，包括PTC陶瓷基片，和采用磁控溅射方法在PTC陶瓷基片正反两表面沉积形成的结合层、及在所述结合层上磁控溅射沉积形成的导电层；采用磁控溅射方法制备，包括溅射沉积50-100nm的结合层和溅射沉积200-2000nm的合金导电层。本发明公开的PTC陶瓷复合电极，具有工艺简单，焊接性能好，生产效率高，成本低等优点，结合本发明公开的溅射制备方法，可提高产品生产效率20%左右，节约电极材料成本50%左右，优化了目前PTC陶瓷溅射膜电极的制备方法。

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