从全球专利储备看GAN的创新方向和潜力新秀

GaN的专利储备主要是光电子器件，面向新应用的显示技术创新方向是衬底、GaN HMET器件和Micro LED；

日本和美国具有先发优势，但随着无效专利比例的逐步提高，业内后来者有望打破更多壁垒。

在快速充电应用的推动下，氮化镓(GaN)市场自2020年开始腾飞，在电力设备和射频市场迎来巨大商机。此前，集微咨询GAN系列文章《集微会诊：千呼万唤她羞涩地走出苹果GAN快充，拉开了下一个GAN引爆点的序幕》和《集微会诊：GAN快充上甜点，中低压市场迎来更多杀手级应用》分别分析，GaN技术已经走出泡沫低谷进入稳中有升的亮亮期，将在中低压器件市场迎来更大的市场活力。随着越来越多的厂商涌入，GaN领域的竞争也越来越激烈。本文将从专利的角度对该领域未来的种子选手进行分析。

目前，全球GaN产业格局已初步固定，形成上游原料(衬底、外延片)、中游GaN制造(GaN芯片设计、制造、封闭测试)和下游GaN应用(电力电子器件、射频器件、光电器件)的产业链，广泛应用于功率器件、射频器件、光电显示等领域。根据《市场与市场》的数据，2020年全球GaN器件的主要类别是GaN光电子器件、GaN射频器件和GaN电力电子器件。从细分市场来看，GaN光电器件市场应用最高，占65.22%，其次是GaN射频器件，市场占有率为29.89%，而GaN电力电子器件市场规模最小，仅为4.89%。