专利名称：高频手术设备的制作方法本申请所述的高频手术设备是众所周知的。该高频手术设备具有一个高频发生器和至少一个外科手术器械，该外科手术器械具有一个通过导线与高频发生器相连接的用于提供高频电流的有源电极。此外，还提供了一个用于返回电流的中性电极，该中性电极以类似的方式通过相应的第二导线与高频发生器相连接。本申请所述的高频发生器产生高频的电压或电流，并通过相应的导线将它们传递给相连接的外科手术器械。该外科手术器械可以是用于切割和/或凝结生物组织的单极、 双极或者准双极器械。此外，附属设备可以连接到高频发生器或者安置于高频发生器中，用于调整、监控、控制、限制和/或调节切割和/或凝结所需的有源电极和生物组织之间的高频电压、高频电流、电弧。然而，针对此类高频手术设备有一些相关的要求，具体反映在，例如，2004年4月 29日欧洲议会指令2004/40/EC中的最低执行标准，该最低执行标准用于保护雇员的健康和安全，使其免受物理干扰(电磁场)的伤害。对于高频手术设备，这需要为引向病人的导线提供屏蔽措施，从而降低由于高频电流产生的电磁场。一种具有屏蔽导线的通用高频手术设备已经在DE 91 17 217 Ul中公开。在这个案例中，它的缺陷在于，在连接外科手术器械到高频发生器或者在连接中性电极到高频发生器时使用屏蔽导线会带来严重的问题。屏蔽导线的使用，尤其导致了由于屏蔽形成的容性负载降低了外科手术器械和待处理的组织之间的输出电压值的问题。然而，有源电极和待处理的组织之间呈现的高频电压值是使高频手术达到期待的效果的一个决定性参数。此外，必需要求或是依据有关的标准要求的是将通常所说的去耦电容器设置在高频发生器的输出电路以抑制可能对病人有害的直流成分的产生。此外，使用屏蔽导线也产生了这样的问题屏蔽导线最好接地，而与地面的这种连接导致了在病人与接地导电部件接触的位点出现了泄漏电流；特别是，这些泄漏电流可能变得越来越大，反过来，这将对手术效果产生不利影响，并且对于病人来说也意味着危险。
因此，本发明的目的是提供一种高频手术设备，它可以防止或者至少是减少使用屏蔽导线时所产生的问题，也就是说，一方面它防止了使用外科手术器械位点的输出电压的降低，另一方面减少了电流泄漏的发生。为实现这一目的，提出了具有权利要求1的特征的一种高频手术设备。它包括一个高频发生器和至少一个具有一个有源电极和一个中性电极的外科手术器械。该外科手术器械通过第一导线与高频发生器相连接，该中性电极通过第二导线与高频发生器相连接。 用于连接外科手术器械和中性电极至高频发生器的第一导线和/或第二导线配备了屏蔽护罩，其中每条屏蔽导线的末端设置了去耦电容。因此，配备有屏蔽护罩的导线在它/它们的末端各自具有一个去耦电容。根据本发明，其有益之处在于，高频发生器的去耦电容并没有被放置于发生器壳体内，而是位于连接有源电极和中性电极至高频发生器的导线的末端。采用这种方式，将消除或者至少明显减少最初描述的屏蔽导线的弊端。优选地，为高频手术设备配备了导线，该导线的屏蔽护罩通过接地路径接地。其次，更优选的是，通过电流测量装置检测到流经接地路径的泄漏电流。优选地，第一导线和第二导线都配备了屏蔽护罩，从而在第一导线的末端和第二导线的末端都提供一个去耦电容。然而，也可以只在第二导线的末端提供一个去耦电容或者只在第一导线的末端提供一个去耦电容。因此，也优选这样的高频手术设备导线上的屏蔽护罩通过回线在中央中性点与高频发生器相连接。更为优选地，在屏蔽护罩的回线处提供至少一个共式扼流圈，以防止或者减少泄漏电流或它们的干扰磁场。回线的优点在于能够为器械内部的泄漏电流提供一个更低的阻抗路径，以阻止或者减少病人与接地导电部件接触处的电流路径。本发明将基于下面的附图进行更详细的解释。附图如下图1是根据本发明的一种高频手术设备的电路示意图；图2是根据图1中的高频手术设备的等效电路图；图3是根据本发明的一个实施例的高频手术设备的电路示意图；和图4是根据本发明的另一个实施例的高频手术设备的电路示意图。1高频手术设备
3高频发生器
5外科手术器械
6组织
7第一导线
9第二导线
11屏蔽护罩
13屏蔽护罩
15接地路径
17电流测量装置
18中央中性点
19回线
21回线
23共式扼流圈
25电容
AE有源电极
NE中性电极
。αε去耦电容
Cne去耦电容
Csae电容
Csne电容
Rne中性电极阻抗
^Leak泄露电流阻抗


本发明提出了一种高频手术设备(1)，包括一个高频发生器(3)，至少一个具有有源电极(AE)的外科手术器械(5)和一个中性电极(NE)，该外科手术器械(5)和中性电极(NE)与高频发生器(3)相连接，其中，外科手术器械(5)通过第一导线(7)与高频发生器(3)相连接，中性电极(NE)通过第二导线(9)与高频发生器(3)相连接，其中，第一导线和/或第二导线(7，9)配备了屏蔽护罩(11，13)，每条屏蔽导线(7，9)的末端设置了去耦电容(CAE，CNE)。