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PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件制作方法
专利
专利摘要: 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中,将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板(10)的下部电极(11)上,预烧结后,进行烧成来使其结晶化,从而形成厚度45~90nm的结晶化促进层(12),在上述形成的结晶化促进层(12)上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜(13a),对该涂膜(13a)进行预烧结后,进行烧成来使其结晶化,从而在上述下部电极(11)上形成PNbZT铁电薄膜,其中,在所述PNbZT铁电薄膜中,与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4~10原子%的Nb。 -
一种制备diaportheinB的方法及diaportheinB在制备抗肿瘤药物中的应用制作方法
专利
专利摘要:发明者: 孙利, 张庆波, 李冬利, 王磊, 章卫民, 陈玉婵公开日: 2011年8月31日#制备 -
Ti和Nb粘结的TiC在人工关节中的应用制作方法
专利
胡娟
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