专利摘要： 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物的制造方法及其用途。该用于形成铁电薄膜的组合物的制造方法为PZT薄膜形成用组合物的制造方法，其特征在于，在0℃～10℃温度下对PZT薄膜形成用组合物前驱体进行至少30天的时效处理，所述PZT薄膜形成用组合物前驱体通过使相对于100质量%的组合物前驱体用原料以氧化物浓度换算包含23～38质量%的PZT前驱物质的组合物前驱体用原料与高分子反应而获得。

专利摘要： 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物包括PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇、并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。组合物100质量%中所占的上述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量%，组合物100质量%中的上述二醇的比例为16～56质量%，上述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.01～0.25摩尔，上述水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，组合物100质量%中的直链一元醇的比例为0.6～10质量%。

专利摘要： 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件。所述PZT系铁电薄膜通过如下来形成，即在具有下部电极的基板的该下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，通过烧成使其结晶，其中，薄膜由从薄膜表面测定时的平均粒径在500～3000nm的范围的PZT系粒子构成，在薄膜表面上的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与上述PZT系粒子不同性质的微粒。

专利摘要： 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物的特征在于，组合物100质量%中的PZT前驱体的比例以氧化物换算计为17～35质量%，组合物100质量%中的二醇的比例为16～56质量%，聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体以单体换算计为0.01～0.25摩尔，水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，其中，排除在上述组合物100质量%中以0.6～10质量%的比例进一步包含碳链为6以上12以下的直链一元醇的组合物。

专利摘要： 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。

专利摘要： 本发明公开了涉及Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用及Zr掺杂反铁电陶瓷的制备方法。Zr掺杂反铁电陶瓷为(Bi0.47Na0.47Ba0.06)(La(1-x)Zrx)TiO3。使用氧化铋，碳酸钠，碳酸钡，二氧化钛，氧化锆和氧化镧作为原料，根据分子式(Bi0.47Na0.47Ba0.06)(La(1-x)Zrx)TiO3来计算各化学组成分的质量，然后将称好的料倒入尼龙罐中，并放入氧化锆球，加入乙醇至罐体内高度的2/3处，并在球磨机上球磨6小时，干燥，过筛，压成型，在空气中在1000℃煅烧6h，再次球磨成粉，过筛，压制。本发明的有益效果是BNT-BLZT陶瓷材料在20℃时它的最大饱和极化是29.8μC/cm2，在储能方面具有很大的潜力。

专利摘要： 一种提高钙钛矿结构铁电材料居里温度的方法，其特征在于包括如下步骤①材料合成在空气中进行，在合成步骤中添加Mn2+的正二价氧化物作为添加剂或者经过高温处理后变为Mn2+，配料后获得通式为AB1-xMnxO3的钙钛矿结构铁电材料；②将上述获得的钙钛矿结构铁电材料在空气中室温老化或者施加沿着单晶<001>方向极化。与现有技术相比，本发明的优点在于采用Mn2+取代B位配料方式，结合老化或<001>方向极化，使得钙钛矿结构的铁电材料居里温度得到了明显提高，同时整体的处理成本较低，处理难度也较小，利于推广应用。

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