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  • 高居里温度铋层状(blsf)压电陶瓷的合成与烧结工艺制作方法

    专利

    专利摘要:
    发明者: 李承恩, 李毅, 秦俊侠, 李广成, 李明祥, 倪焕尧
    公开日: 2001年5月16日
  • 三元高居里温度压电陶瓷材料及其制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明公开了一种三元高居里温度压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学式为(1-y)((1-x)BF-xPT)-yPMN,其中,0<y<0.1,0.2<x<0.4。在铁酸铋-钛酸铅(BF-PT)体系中首次引入第三元组分铌锰酸铅(PMN),形成三元固溶体系。有效利用了BF-PT材料本身具有的高居里温度特性,并且通过引入第三元组分PMN显著提高了BF-PT材料的绝缘性能,使本发明中BF-PT-PMN材料易于被极化,从而获得高的压电常数。本发明新型三元高居里温度压电陶瓷制备出了居里温度高达620℃,压电常数达到的90pC/N高温压电陶瓷,比2013年,XiaoliTan在美国专利中制备的高温压电陶瓷具备更加优异的性能,不仅居里温度提高了近50℃而且压电常数也提高了26pC/N。本发明使BF-PT基材料在高温压电领域的应用化向前迈出了很大的一步。
    发明者: 程晋荣, 戴蕊, 陈建国
    公开日: 2014年7月30日
  • 提高钙钛矿结构铁电材料居里温度的方法

    专利

    专利摘要: 一种提高钙钛矿结构铁电材料居里温度的方法,其特征在于包括如下步骤①材料合成在空气中进行,在合成步骤中添加Mn2+的正二价氧化物作为添加剂或者经过高温处理后变为Mn2+,配料后获得通式为AB1-xMnxO3的钙钛矿结构铁电材料;②将上述获得的钙钛矿结构铁电材料在空气中室温老化或者施加沿着单晶<001>方向极化。与现有技术相比,本发明的优点在于采用Mn2+取代B位配料方式,结合老化或<001>方向极化,使得钙钛矿结构的铁电材料居里温度得到了明显提高,同时整体的处理成本较低,处理难度也较小,利于推广应用。
    发明者: 罗来慧, 岳青影, 姜希杰, 李伟平, 杜鹏
    公开日: 2014年8月13日
  • 一种掺杂复合系高居里温度压电陶瓷的化学制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明涉及一种复合结构高居里温度压电陶瓷的化学制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为(1-x)(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-xPbZrO3-yMe,其中x=0.3~0.6,y=0.0005~0.05,Me为Cr或Mn。本方法以铋、镱、铅、锆,锰,铬及钛的盐类为起始原料,通过合适的分散介质和螯合剂及温度、浓度等工艺的控制,制成均匀溶液,经干燥、煅烧、球磨、再干燥制成纳米级粉体,再经造粒、压片、烧结、涂银和极化制得所需压电陶瓷。本发明所提出的制备方法具有工艺稳定,重复性好,成本低,烧结温度低等优点,所述方法制备的陶瓷材料致密均匀、具有较高的居里温度(390~410℃)、较高的压电常数(250-370pC/N),在较宽范围可变的机械品质因数(50~500)、较低的介电损耗(0.005~0.03),能满足不同压电器件需要。具有良好的使用前景。
    发明者: 郭栋, 江凤, 王云丽, 蔡锴
    公开日: 2014年12月24日
  • 一种复合体系高居里温度压电陶瓷的化学制备方法

    专利

    专利摘要: 本发明提供了一种高居里温度复合体系压电陶瓷的制备方法。所述方法以铋、镱、铅、锆和钛的盐类为起始原料,按(1-x)(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-xPbZrO3(其中x=0.3~0.6)的化学组成进行配料,之后选择合适的分散介质并结合稳定剂的螯合作用制成稳定溶液,然后通过控制温度、浓度及加料顺序等工艺条件,使几种金属盐形成均匀的溶胶,再经浓缩、干燥及充分煅烧,制备出纳米级压电陶瓷细微粉料,进而造粒、压片、排胶、烧结制成所需压电陶瓷。本发明所提出的复合体系高温压电陶瓷的制备方法具有制备温度低,成本低,重复性好,样品性能均匀稳定,综合电学性能可大幅度提高等优点,具有广阔的应用前景。
    发明者: 郭栋, 江凤, 廖擎玮, 蔡锴
    公开日: 2014年12月24日
胡娟
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