专利摘要： 本发明涉及一种窄黑边高效多晶硅片的制备方法，制备方法为1)在普通的石英坩埚侧壁先刷涂一层致密的高纯石英砂涂层；在坩埚表面喷涂适合厚度的氮化硅涂层；2)在坩埚底部铺设碎单晶、多晶碎片或细碎原生硅料作为诱导生长“籽晶”；3)加热使硅料部分熔化，通过石英棒测试的方法确保籽晶层上方硅料完全熔融，但籽晶层仅部分熔化；4)控制所述坩埚内的温度在坩埚内形成由下到上的垂直温度梯度，使“籽晶”诱导生长，制得窄黑边高效多晶硅锭；5)通过钢线+磨料研磨的方式，将硅锭切割成薄片，该制备方法可制得一种侧边杂质扩散宽度窄、制造成本低且转换效率高的多晶硅片，且操作简单，生产成本低，适于大规模生产。