磁记录介质的制造方法及磁记录介质的制作方法 [0002] 作为在磁记录装置等中使用的磁记录介质用基板，以往一直使用铝合金基板，但 随着高记录密度化的要求，比铝合金基板硬且平坦性、平滑性优良的玻璃基板成为主流。 [0003] 近年来，由于磁记录介质的高记录密度化、高速旋转化进一步发展,开始比以往更 多地产生磁头看丢记录有磁记录介质的半径/磁道位置信息的伺服信息而产生读取/写入 错误（以下均记载为错误）的现象。 [0004] 认为这种错误的产生原因在于，由高记录密度化所带来的磁道宽度狭窄化、高速 旋转化所带来的光盘颤动的产生而引起的机械性振动。 [0005] 因此，为了抑制这种错误，例如使用比弹性模量高的材料作为磁记录介质用玻璃 基板的材料来抑制颤动。需要说明的是，比弹性模量也称为比杨氏模量，是用杨氏模量除以 玻璃的密度而得到的量，是作为表示轻且强、轻且不易变形的特性的指针的量。 [0006] 另外，专利文献1中记载了一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其通过选择厚度方 向的对称性在规定范围内的磁记录介质用玻璃基板来减少制成硬盘时记录在磁记录介质 中的伺服信息的错误。 [0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :日本特开2010-277679号公报



[0010] 发明所要解决的问题
[0011] 如上所述，以往一直在研究通过选择磁记录介质用的玻璃基板来抑制磁记录介质 的错误产生的方法，但并不能充分抑制错误的产生。
[0012] 因此，鉴于上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供错误的产生率低的 磁记录介质的制造方法。
[0013] 用于解决问题的方法
[0014] 为了解决上述问题，本发明提供一种磁记录介质的制造方法，其为包含玻璃基板 的磁记录介质的制造方法，其中，包括在上述玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至 少任意一种变形，上述玻璃基板的玻璃含有5摩尔％以上的A1 203, B203的含量为0. 1摩尔％ 以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为0 摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化物的含量大 于0摩尔％且为20摩尔％以下。
[0015] 发明效果
[0016] 根据本发明，能够提供错误的产生率低的磁记录介质的制造方法。




[0017] 图1是屈曲变形和弯曲变形的说明图。
[0018] 图2是磁性层成膜工序中的保持夹具的构成例的说明图。
[0019] 图3是滞弹性变形量的测定流程的说明图。
[0020] 图4是滞弹性变形量测定时附加载荷的方法的说明图。
[0021] 图5是表不本发明的实施例中刚除去载荷后的平坦度对除去载荷如的载荷施加 时间的依赖性的图。
[0022] 图6是表不本发明的实施例中刚除去载荷后的平坦度对除去载荷如的载荷施加 时间的依赖性的图。
[0023] 图7是表示本发明的实施例中施加24小时载荷后、除去载荷后的平坦度对解除载 荷后经过时间的依赖性的图。
[0024] 图8是表示本发明的实施例中施加24小时载荷后、除去载荷后的平坦度对解除载 荷后经过时间的依赖性的图


[0025] 以下，参照附图对本发明的进行说明，但本发明并不限于下述实施 方式，在不脱离本发明范围的情况下，可以对下述实施方式施加各种变形和替换。
[0026] 第一实施方式
[0027] 对本实施方式的磁记录介质的制造方法的构成例进行说明。
[0028] 本实施方式的磁记录介质的制造方法为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法， 其中，包括在玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形。
[0029] 并且，玻璃基板的玻璃可以含有5摩尔％以上的A1203。
[0030] 此外，玻璃基板的玻璃可以将B203的含量设定为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以 下；或者玻璃基板的玻璃所含有的碱金属氧化物可以为一种以下，碱金属氧化物的含量可 以为0摩尔％以上且25摩尔％以下；或者可以含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化 物的含量可以设定为大于〇摩尔％且为20摩尔％以下。
[0031] 本发明的发明人对于即使在使用比弹性模量高的材料作为玻璃基板（磁记录介 质用玻璃基板）的材料时仍在磁记录介质中发生错误的原因进行了研究。需要说明的是， 比弹性模量也称为比杨氏模量，是用玻璃的杨氏模量除以玻璃的密度所得到的量，是作为 表示轻且强、轻且不易变形的特性的指针的量。
[0032] 研究的结果发现：在磁记录介质的制造工序中对玻璃基板施加力（载荷）而产生 屈曲变形或弯曲变形的情况下，若变形后除去力（载荷）则玻璃基板会恢复成原来的形状， 但除去力（载荷）之后的行为因玻璃基板的玻璃组成而不同。即发现：虽然形状相同，但 根据玻璃组成，存在除去力（载荷）之后在短时间内恢复成原来形状的玻璃基板和除去力 (载荷）之后花费长时间慢慢地恢复成原来形状的玻璃基板。有时将这种从除去力（载荷） 到恢复成原来形状为止花费长时间的变形称为延迟恢复变形。需要说明的是，以下的记载 中，即使在只记载为"变形"的情况下，有时指的也是"伴随延迟恢复变形的变形"。
[0033] 并且，在包含从除去力（载荷）到恢复原来变形为止花费长时间的玻璃基板的磁 记录介质的情况下，根据伺服信息的写入时机，会导致在玻璃基板（磁记录介质）复原的过 程中写入伺服信息。因此发现，在写入伺服信息之后其位置进一步发生变化，因而成为错误 产生的原因之一，从而完成了本发明。
[0034] 在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，如上所述包括在制造工序之间在玻璃 基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形。
[0035] 在此，使用图1对屈曲变形和弯曲变形进行说明。
[0036] 首先，使用图1 (A)对屈曲变形进行说明。图1 (A)表示从侧面观察玻璃基板10的 图。屈曲变形是指如下变形：按照图中块状箭头X1、X2所示，对玻璃基板10的侧面部施加 与玻璃基板10的主平面11、12平行的相对的两个力时，如图中虚线所示，玻璃基板在与主 平面11、12垂直的方向上所产生的变形。需要说明的是，在图1(A)中，示出了玻璃基板变 形为向下凸出的形状的示例，但并不限定于该形态，也可以变形为向上凸出的形状。
[0037] 使用图1 (B)对弯曲变形进行说明。图1 (B)表示从侧面观察玻璃基板10的图。 弯曲变形是指如下变形：例如，对玻璃基板10的一个主平面11和另一个主平面12分别与 主平面11、12大致垂直地施加相对的力Y1、Y2,由此如图中虚线所示，玻璃基板在与主平面 11、12垂直的方向上所产生的变形。
[0038] 在玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形是指：对单独的玻 璃基板或磁记录介质施加上述力，使单独的玻璃基板或玻璃基板与形成在玻璃基板的表面 上的磁性层等发生变形。需要说明的是，对磁记录介质施加力（载荷）的情况下，磁性层等 与玻璃基板的变形一起发生变形，因此对于磁记录介质而言也表现出与磁记录介质所包含 的玻璃基板同样的行为。另外，即使在玻璃基板的变形为延迟恢复变形的情况下，磁性层等 也同样地与玻璃基板的变形一起发生变形，因此对于磁记录介质而言也表现出与磁记录介 质所包含的玻璃基板同样的行为。
[0039] 作为对玻璃基板施加力（载荷）的情况，可以考虑利用保持夹具保持玻璃基板并 进行输送的情况、将玻璃基板收纳在盒体等中进行输送的情况等，认为主要是在玻璃基板 与夹具等接触的状态下进行输送时产生变形。
[0040] 如后所述，本实施方式的磁记录介质的制造方法优选具有选自以下工序中的一个 以上的工序：在玻璃基板上成膜磁性层的磁性层成膜工序；将磁记录介质保持在盒体内的 磁记录介质保持工序。
[0041] 在磁性层成膜工序中，如后所述利用保持夹具保持、输送玻璃基板并供于成膜工 序，因此，通过保持夹具施加了力，玻璃基板中容易产生变形。在磁性层成膜工序中，优选在 玻璃基板的端面（侧面）部分保持玻璃基板，这在成膜磁性层之前或者成膜过程中是为了 例如在玻璃基板的两面成膜磁性层，在成膜磁性层之后则是为了保护成膜后的磁性层。但 是，如后述的图6所示，根据玻璃基板的材质，有时即使在连续约30秒施加载荷（力）的情 况下也会产生延迟恢复变形。因此，在磁性层成膜工序中保持玻璃基板的端面部分时，容易 产生与上述屈曲变形相伴的延迟恢复变形。特别是对于近年来引起关注的热辅助磁记录方 式的磁记录介质而言，认为在磁性层成膜工序中需要进行高温下的热处理。在进行高温下 的热处理的情况下，为了升降温（加热和冷却）等需要长时间保持玻璃基板，因此认为此后 特别是磁性层成膜工序中的玻璃基板的变形成为问题。
[0042] 接着，磁记录介质保持工序是将玻璃基板保持在盒体内的工序，由于玻璃基板收 纳在减压后的包装容器内进行出货、输送，因此对玻璃基板施加了载荷而容易产生变形。因 此，在选自例如磁性层成膜工序和磁记录介质保持工序中的一个以上的工序中，可以在玻 璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形。
[0043] 需要说明的是，对于磁性层成膜工序和磁记录介质保持工序进行了说明，但对玻 璃基板施加力（载荷）并不限定于上述工序。除了磁性层成膜工序等以外，例如在磁记录 介质的制造方法的工序之间，为了对玻璃基板进行机械输送，在利用保持夹具保持、输送玻 璃基板时有时会对玻璃基板施加力（载荷）。因此，在磁记录介质的制造方法的工序之间输 送玻璃基板时，有时也会在玻璃基板中产生屈曲变形或弯曲变形。
[0044] 并且，在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，磁记录介质所包含的玻璃基板 的玻璃可以含有5摩尔％以上的A1 203。此外，磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃优选： B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金属氧化物为一种以下， 碱金属氧化物的含量为〇摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两种以上的碱金属氧化 物，碱金属氧化物的含量大于〇摩尔％且为20摩尔％以下。另外，在此所述的碱金属氧化 物只要是碱金属氧化物即可，包括所有的碱金属氧化物。作为碱金属氧化物，典型地，可以 举出 Li20、Na20、K20。
[0045] 这是因为：根据本发明的发明人的研究，通过将A1203的含量设定为5摩尔％以上， 能够充分地提高玻璃基板的杨氏模量。
[0046] 另外还因为：在玻璃基板的玻璃的B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以 下；或者玻璃基板的玻璃所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为〇摩 尔％以上且25摩尔％以下；或者玻璃基板的玻璃含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧 化物的含量大于〇摩尔％且为20摩尔％以下的情况下，即使对玻璃基板施加力（载荷）而 产生变形时，除去力（载荷）之后到恢复成原来形状为止的时间也会缩短。即因为：除去对 玻璃基板所施加的力（载荷）之后，玻璃基板发生变形的时间缩短。
[0047] 在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃 更优选B 203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下。这是因为：即使在对玻璃基板施加 力（载荷）而产生变形的情况下，也能够进一步缩短除去力（载荷）之后到恢复成原来形 状为止的时间。
[0048] 特别是在磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃含有B203的情况下，B 203的含量的 下限值更优选为〇. 2摩尔％以上、进一步优选为0. 5摩尔％以上。另外，B203的含量的上限 值优选为12摩尔％以下、更优选为10摩尔％以下、进一步优选为5摩尔％以下、特别优选 为小于2摩尔％。B 203的含量小于2摩尔％时，在对玻璃基板施加力（载荷）而产生变形时 能够缩短除去力（载荷）后的位移的时间，而且还能够制成比弹性模量高的玻璃基板。因 此，即使在使磁记录介质高速旋转的情况下，也能够进一步抑制颤动的产生，特别是能够抑 制磁记录介质的读取/写入错误的产生。
[0049] 另外，使用所含有的碱金属氧化物为一种以下、并且碱金属氧化物的含量为0摩 尔％以上且25摩尔％以下的玻璃作为磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃时，碱金属氧 化物的含量更优选为22摩尔％以下。碱金属氧化物的含量进一步优选为10摩尔％以下。 需要说明的是，所含有的喊金属氧化物为一种以下是指，含有选自例如Na 20、K20、Li20等喊 金属氧化物中的一种碱金属氧化物、或者不含有碱金属氧化物。
[0050] 使用含有两种以上的碱金属氧化物、并且碱金属氧化物的含量大于0摩尔％且为 20摩尔％以下的玻璃作为本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃时，碱金属氧 化物的含量更优选为17摩尔％以下、进一步优选为10摩尔％以下。
[0051] 需要说明的是，含有两种以上的碱金属氧化物是指，含有选自例如Na20、K 20、Li20 等碱金属氧化物中的两种以上的碱金属氧化物。这种情况下，各碱金属氧化物的含量没有 特别限定，可以设定为任意的含量。例如，也可以使各碱金属氧化物的含量（摩尔％)均等。
[0052] 这样，通过使用含有规定成分的玻璃作为本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃 基板的玻璃，即使在对玻璃基板施加力（载荷）而发生变形的情况下，在写入伺服信息之 前，玻璃基板也会达到结束或基本结束因除去力（载荷）后的复原力所引起的位移的状态。 因此，写入伺服信息后的玻璃基板（磁记录介质）不发生位移或位移的程度轻微，从而能够 防止所写入的伺服信息的位置发生偏移，能够抑制错误的产生率。
[0053] 另外，本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃优选含有5摩尔％以上 且20摩尔％以下的A1 203。A1203含量的下限值更优选为8摩尔％以上、进一步优选为10摩 尔％以上、特别优选为11. 5摩尔％以上。A1203的含量的上限值更优选为17. 5摩尔％以下、 进一步优选为15摩尔％以下。
[0054] 另外，在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，磁记录介质所包含的玻璃基板 的玻璃优选含有55摩尔％以上且75摩尔％以下的Si0 2和0摩尔％以上且30摩尔％以下 的碱土金属氧化物。特别是Si02更优选含有66摩尔％以上且75摩尔％以下、进一步优选 含有66摩尔％以上且70摩尔％以下。碱土金属氧化物更优选含有5摩尔％以上且30摩 尔％以下、进一步优选含有16摩尔％以上且30摩尔％以下。
[0055] 使用B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下的玻璃作为磁记录介质所包 含的玻璃基板的玻璃时，优选含有〇摩尔％以上且25摩尔％以下的碱金属氧化物。特别是 更优选含有〇摩尔％以上且15摩尔％以下的碱金属氧化物、进一步优选含有0摩尔％以上 且2.5摩尔％以下。
[0056] 另外，玻璃基板优选比弹性模量（比杨氏模量）高，例如优选比弹性模量为32MNm/ kg以上、更优选为33MNm/kg以上。通过使比弹性模量高，即使在使磁记录介质高速旋转的 情况下，也能够进一步抑制颤动的产生，特别是能够抑制磁记录介质的读取/写入错误的 产生。
[0057] 此外，所使用的玻璃基板优选为即使在施加有载荷的情况下平坦度也不易变化的 玻璃基板。例如，在与测定后述的滞弹性变形量时同样地施加24小时载荷时，S卩，从下表面 侧支撑玻璃基板的直径方向的两端部并对玻璃基板的中央部上表面施加24小时载荷时， 优选施加载荷前后的平坦度的变化率为200%以下。特别是更优选施加载荷前后的平坦度 的变化率为100%以下。
[0058] 需要说明的是，关于施加载荷前后的平坦度的变化率，在将对玻璃基板施加24 小时载荷后刚除去载荷后的平坦度设为F(24h)、将施加载荷前的玻璃基板的平坦度设为 F (_24h)时，使用下式表示施加载荷前后的平坦度的变化率。
[0059] (施加载荷前后的平坦度的变化率）=|F(24h)-F(-24h) |/F(-24h) X 100
[0060] 接着，对本实施方式的磁记录介质的制造方法的具体工序的构成例进行说明。
[0061] 本实施方式的磁记录介质的制造方法优选具有选自如下工序中的一个以上的工 序：在玻璃基板上成膜磁性层的磁性层成膜工序；将上述磁记录介质保持在盒体内的磁记 录介质保持工序。另外，并不限定于上述工序，可以进一步任意地设置工序。
[0062] 具体而言，可以包括例如以下工序。
[0063] (a)准备玻璃基板的玻璃基板准备工序
[0064] (b)在玻璃基板上成膜磁性层的磁性层成膜工序
[0065] (c)将在磁层成膜工序中得到的磁记录介质保持在盒体内的磁记录介质保持工序
[0066] 以下对各工序进行说明。
[0067] (a)玻璃基板准备工序
[0068] 玻璃基板准备工序是准备符合磁记录介质所要求的规格的玻璃基板的工序，对于 其详情没有特别限定。
[0069] 玻璃基板准备工序例如可以进一步包括以下的工序1?4。
[0070] (工序1)由玻璃原基板加工成中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板之后，对内 周端面和外周端面进行倒角加工的形状赋予工序。
[0071] (工序2)对玻璃基板的端面（内周端面和外周端面）进行研磨的端面研磨工序。
[0072] (工序3)对玻璃基板的主平面进行研磨的主平面研磨工序。
[0073] (工序4)将玻璃基板清洗后进行干燥的清洗工序。
[0074] 在此，（工序1)的形状赋予工序是将通过浮法、熔融法、压制成形法、下拉法或再 拉法（U卜' α-法）成形的玻璃原基板加工成中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板的工 序。
[0075] 所使用的玻璃原基板没有特别限定，优选使用与上述的磁记录介质所包含的玻璃 基板的玻璃具有同样组成的玻璃原基板。
[0076] 具体而言，所使用的玻璃原基板的玻璃可以含有5摩尔％以上的Α1203。此外，玻 璃原基板的玻璃优选：Β 203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下；或者所含有的碱金 属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为〇摩尔％以上且25摩尔％以下；或者含有两 种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化物的含量大于〇摩尔％且为20摩尔％以下。
[0077] 在玻璃原基板的玻璃含有Β203的情况下，Β20 3的含量的下限值更优选为0. 2摩 尔％以上、进一步优选为0.5摩尔％以上。另外，Β203的含量的上限值优选为12摩尔％以 下、更优选为10摩尔％以下、进一步优选为5摩尔％以下、特别优选为小于2摩尔％。
[0078] 另外，使用所含有的碱金属氧化物为一种以下并且碱金属氧化物的含量为0摩 尔％以上且25摩尔％以下的玻璃作为玻璃原基板的玻璃时，碱金属氧化物的含量更优选 为22摩尔％以下。碱金属氧化物的含量进一步优选为10摩尔％以下。需要说明的是，也 可以不含有碱金属氧化物。
[0079] 使用含有两种以上的碱金属氧化物并且碱金属氧化物的含量大于0摩尔％且为 20摩尔％以下的玻璃作为玻璃原基板的玻璃时，碱金属氧化物的含量更优选为17摩尔％ 以下、进一步优选为10摩尔％以下。
[0080] 另外，玻璃原基板的玻璃优选含有5摩尔％以上且20摩尔％以下的Α120 3。Α1203 的含量的下限值优选为8摩尔％以上、更优选为10摩尔％以上、进一步优选为11. 5摩尔％ 以上。Α1Α的含量的上限值更优选为17. 5摩尔％以下、进一步优选为15摩尔％以下。
[0081] 此外，玻璃原基板的玻璃优选含有55摩尔％以上且75摩尔％以下的Si02和0摩 尔％以上且30摩尔％以下的碱土金属氧化物。特别是Si02更优选含有66摩尔％以上且 75摩尔％以下、进一步优选含有66摩尔％以上且70摩尔％以下。碱土金属氧化物更优选 含有5摩尔％以上且30摩尔％以下、进一步优选含有16摩尔％以上且30摩尔％以下。
[0082] 使用B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下的玻璃作为玻璃原基板的玻 璃时，优选含有〇摩尔％以上且25摩尔％以下的碱金属氧化物。特别是更优选含有0摩 尔％以上且15摩尔％以下的碱金属氧化物、进一步优选含有0摩尔％以上且2. 5摩尔％以 下。
[0083] 玻璃原基板优选比弹性模量（比杨氏模量）高，例如优选比弹性模量为32MNm/kg 以上、进一步优选为33MNm/kg以上。
[0084] 并且，（工序2)的端面研磨工序是对玻璃基板的端面（侧面部和倒角部）进行端 面研磨的工序。
[0085] 关于（工序3)的主平面研磨工序，是使用双面研磨装置，一边向玻璃基板的主平 面供给研磨液一边对玻璃基板的上下主平面同时进行研磨的工序。玻璃基板的研磨可以仅 为一次研磨，也可以实施一次研磨和二次研磨，还可以在二次研磨后实施三次研磨。
[0086] 在上述（工序3)的主平面研磨工序之前，可以实施主平面的打磨（例如，游离磨 粒打磨、固定磨粒打磨等）。另外，在各工序之间可以实施玻璃基板的清洗（工序间清洗）、 玻璃基板表面的蚀刻（工序间蚀刻）。需要说明的是，主平面的打磨是指广义的主平面的研 磨。
[0087] (b)磁性层成膜工序
[0088] 磁性层成膜工序是在玻璃基板上形成磁性层（磁性膜）的工序。对于此时所形成 的磁性层的构成没有特别限定，可以根据磁记录介质所要求的性能等任意地选择。
[0089] 另外，除了磁性层以外，可以任意地选择基底层、保护层、润滑层等构成，并形成在 玻璃基板与磁性层之间或磁性层表面上。
[0090] 磁记录介质存在例如水平磁记录方式、垂直磁记录方式、热辅助磁记录方式等，在 本实施方式的磁记录介质的制造方法中对任意一种方式的磁记录介质均可以应用。在此以 垂直磁记录方式为例，以下对构成在玻璃基板表面包含磁性层的磁记录介质的各层的形成 程序进行说明。
[0091] 磁记录介质可以形成例如在其表面上具备磁性层、保护层、润滑膜的构成。并且， 在垂直磁记录方式的情况下，通常会配置发挥使来源于磁头的记录磁场环流的作用的、由 软磁性材料构成的软磁性基底层。因此，自玻璃基板表面起，可以按照依次为例如软磁性基 底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层、保护层、润滑膜的方式进行层叠。
[0092] 以下对构成垂直磁记录方式的磁记录介质的各层进行说明。
[0093] 作为软磁性基底层，可以使用例如 CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、 FeN、FeTaC、CoFeB、CoZrN 等。
[0094] 并且，非磁性中间层可以由Ru、Ru合金等构成。该非磁性中间层具有使垂直记录 用磁性层的外延生长变得容易的功能以及切断软磁性基底层与记录用磁性层之间的磁交 换耦合的功能。
[0095] 垂直记录用磁性层是易磁化轴朝向相对于基板面垂直的方向的磁性膜，至少含有 Co、Pt。并且，为了降低作为高固有介质噪音的原因的粒间交换耦合，可以形成良好隔离的 微粒结构（粒状结构）。具体而言，可以使用在CoPt系合金等中添加氧化物（Si02、SiO、 Cr203、C〇0、Ta203、Ti0 2 等）或 Cr、B、Cu、Ta、Zr 等而得至lj的磁性层。
[0096] 至此所说明的软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层可以通过直列式 (4 5 4 >)溅射法、DC磁控溅射法等连续地制造。
[0097] 接着，保护层是为了防止垂直记录用磁性层的腐蚀、并且即使在磁头与介质接触 时也防止介质表面的损伤而设置的层，其设置在垂直记录用磁性层之上。作为保护层，可以 使用含有C、Zr0 2、Si02等的材料。
[0098] 作为其形成方法，可以使用例如直列式溅射法、CVD法、旋涂法等。
[0099] 为了降低磁头与磁记录介质（磁盘）的摩擦，在保护层的表面上形成润滑层。润 滑层可以使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等。对于润滑层，可以通过浸渍法、喷雾法等 形成。
[0100] 在此，对垂直磁记录方式的磁记录介质进行了说明，但并不限定于如上所述的方 式，也可以形成例如热辅助磁记录方式等其他磁记录介质。例如在形成热辅助磁记录方式 的磁记录介质时，磁性层优选含有？#15!11&) 5等。另外，对于磁性层以外的构成，也可以根 据各记录方式形成任意的构成。
[0101] 并且，本实施方式的磁记录介质的制造方法中，可以包括磁性层成膜工序。并且， 在磁性层成膜工序中，例如可以利用夹头等保持夹具保持玻璃基板，一边进行加热等，一边 在玻璃基板的表面上形成磁性层。在磁性层成膜工序中所使用的保持夹具没有特别限定， 例如如图2所示，可以在玻璃基板20的外径的端面部分（侧面部分）的多个点上，利用多 个保持夹具的保持构件211、212、213夹持保持。如图2中块状箭头A、B、C所示，这些保持 构件211?213能够通过施加朝向玻璃基板的中心方向的力来保持玻璃基板20。保持构件 211?213在与玻璃基板20的主平面平行的方向上施加力，但根据力的大小，玻璃基板20 有时在与主平面垂直的方向上发生屈曲变形。保持构件211?213附近的玻璃基板20多 伴有局部的变形，有时会产生延迟恢复变形，产生延迟恢复变形时，容易产生伺服信息的读 取错误。
[0102] 需要说明的是，在图2中将以3个点保持玻璃基板的保持夹具作为示例进行了说 明，但并不限定于3个点，也可以使用以2个点或者4个以上的点进行保持的保持夹具。
[0103] 在此，列举利用保持夹具从玻璃基板的外径侧朝向中心方向施加力来保持玻璃基 板的示例进行了说明，但并不限定于该方式。例如，也可以在形成于玻璃基板的中央部的开 口部配置2个以上的保持构件，从玻璃基板的开口部的玻璃基板的端面（以下也称为内径） 侧朝向外径方向施加力来保持玻璃基板。
[0104] 另外，也可以在形成于玻璃基板的中央部的开口部和玻璃基板的外径的端面部分 这两处分别设置多个保持构件。这种情况下，设置在形成于玻璃基板的中央部的开口部的 保持构件从内径侧朝向外径方向施加力，配置在玻璃基板的外径的端面部分的保持构件从 外径侧朝向中心方向施加力，由此能够保持玻璃基板。
[0105] 并不限定于如上所述的对玻璃基板20的端面部分的多个点施加力而进行保持的 保持夹具，也可以在用其他方式的保持夹具进行保持的同时在玻璃基板上成膜磁性层。
[0106] 在此，对成膜磁性层的情况进行了说明，对于在玻璃基板上形成基底层、保护层、 润滑层等的情况（基底层成膜工序、保护层成膜工序、润滑层成膜工序等），也可以使用同 样的保持夹具进行成膜，这种情况下，同样有时存在屈曲变形。
[0107] (c)磁记录介质保持工序
[0108] 磁记录介质保持工序是将在磁性层成膜工序中得到的磁记录介质保持在盒体内 的工序。
[0109] 通常，通过在玻璃基板上形成磁性层等而得到的磁记录介质被出货、输送至硬盘 驱动器的制造工厂。
[0110] 因此，磁记录介质被收纳在盒体内后结束其制造工序。磁记录介质虽然仅收纳在 盒体内就已经足够，但优选进一步收纳在减压后的包装容器（包装）内。
[0111] 对保持在盒体内、根据情况收纳在减压后的包装容器内的磁记录介质（玻璃基 板）施加载荷，有时会在磁记录介质、即磁记录介质所包含的玻璃基板中产生屈曲变形或 弯曲变形。因此，在磁记录介质保持工序中保持有磁记录介质的盒体的包装内，形成对磁记 录介质施加力的状态，通过将该包装开封而除去力，磁记录介质（玻璃基板）位移成原来的 形状。
[0112] 需要说明的是，例如在磁记录介质成膜工序后，在不改变场所的情况下实施硬盘 驱动器的制造工序时，也可以不进行本工序。
[0113] 对于通过以上说明的磁记录介质的制造方法得到的磁记录介质，通过进一步实施 将磁记录介质组装在硬盘驱动器（HDD)中的硬盘组装工序、写入伺服信息的伺服信息写入 工序，能够制造硬盘驱动器。
[0114] 并且，根据本实施方式的磁记录介质的制造方法，作为磁记录介质所包含的玻璃 基板的玻璃，可以含有5摩尔％以上的A1203。另外，作为本实施方式的磁记录介质所包含 的玻璃基板的玻璃，使用含有规定量的B 203的玻璃基板或碱金属氧化物的含量在规定范围 内的玻璃基板。因此，即使在磁记录介质的制造方法中包括在玻璃基板中产生屈曲变形和 弯曲变形中的至少任意一种变形的情况下，从除去力（载荷）之后到恢复成原来形状为止 的时间也特别短。因此，即使在对玻璃基板（磁记录介质）施加力（载荷）而产生变形的 情况下，在写入伺服信息之前，玻璃基板（磁记录介质）也会达到结束或基本结束因除去力 (载荷）后的复原力所引起的位移的状态。因此，写入伺服信息后的玻璃基板（磁记录介 质）不发生位移或位移的程度轻微，从而能够防止所写入的伺服信息的位置发生偏移，能 够抑制错误的产生率。
[0115] 接着，对本实施方式的磁记录介质进行说明。
[0116] 本实施方式的磁记录介质可以形成在玻璃基板上成膜有磁性层的磁记录介质、特 别是可以形成在玻璃基板上成膜有磁性层的用于写入伺服信息的磁记录介质。在磁记录介 质的玻璃基板上还可以任意地设置例如磁性层、基底层、保护层、润滑层等。并且，在本实施 方式的磁记录介质中，玻璃基板的玻璃可以含有5摩尔％以上的A1 203。另外，在本实施方式 的磁记录介质中，玻璃基板的玻璃优选：B20 3的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下；或 者所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为〇摩尔％以上且25摩尔％以 下；或者含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧化物的含量大于〇摩尔％且为20摩尔％ 以下。在此所述的碱金属氧化物只要是碱金属氧化物即可，包括所有碱金属氧化物。作为 碱金属氧化物，典型地，可以举出Li 20、Na20、K20。
[0117] 这是因为：通过将玻璃基板的玻璃的Α1203的含量设定为5摩尔％以上，能够充分 提高玻璃基板的杨氏模量。
[0118] 另外还因为：在玻璃基板的玻璃的B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以 下；或者玻璃基板的玻璃所含有的碱金属氧化物为一种以下，碱金属氧化物的含量为〇摩 尔％以上且25摩尔％以下；或者玻璃基板的玻璃含有两种以上的碱金属氧化物，碱金属氧 化物的含量大于〇摩尔％且为20摩尔％以下的情况下，即使对玻璃基板施加力（载荷）而 产生变形时，除去力（载荷）之后到恢复成原来形状为止的时间也会缩短。即因为：除去对 玻璃基板所施加的力（载荷）之后，玻璃基板发生变形的时间缩短。
[0119] 在本实施方式的磁记录介质中，磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃更优选B20 3 的含量为0.1摩尔％以上且15摩尔％以下。这是因为：即使在对玻璃基板施加力（载荷） 而产生变形的情况下，也能够进一步缩短除去力（载荷）后到恢复成原来形状为止的时间。
[0120] 特别是在磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃含有B203的情况下，B 203的含量的 下限值更优选为〇. 2摩尔％以上、进一步优选为0. 5摩尔％以上。另外，B203的含量的上限 值优选为12摩尔％以下、更优选为10摩尔％以下、进一步优选为5摩尔％以下、特别优选 为小于2摩尔％。B 203的含量小于2摩尔％时，在对玻璃基板施加力（载荷）而产生变形时 能够缩短除去力（载荷）后的位移的时间，而且还能够形成比弹性模量高的玻璃基板。因 此，即使在使磁记录介质高速旋转的情况下，也能够进一步抑制颤动的产生，特别是能够抑 制磁记录介质的读取/写入错误的产生。
[0121] 另外，使用所含有的碱金属氧化物为一种以下、并且碱金属氧化物的含量为0摩 尔％以上且25摩尔％以下的玻璃作为磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃时，碱金属氧 化物的含量更优选为22摩尔％以下。碱金属氧化物的含量进一步优选为10摩尔％以下。 需要说明的是，所含有的喊金属氧化物为一种以下是指，含有选自例如Na 20、K20、Li20等喊 金属氧化物中的一种碱金属氧化物、或者不含有碱金属氧化物。
[0122] 使用含有两种以上的碱金属氧化物、并且碱金属氧化物的含量大于0摩尔％且为 20摩尔％以下的玻璃作为本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃时，碱金属氧 化物的含量更优选为17摩尔％以下、进一步优选为10摩尔％以下。
[0123] 需要说明的是，含有两种以上的碱金属氧化物是指，含有选自例如Na20、K 20、Li20 等碱金属氧化物中的两种以上的碱金属氧化物。这种情况下，各碱金属氧化物的含量没有 特别限定，可以设定为任意的含量。例如，也可以使各碱金属氧化物的含量（摩尔％)均等。
[0124] 这样，通过使用含有规定成分的玻璃基板作为本实施方式的磁记录介质所包含的 玻璃基板的玻璃，即使在对玻璃基板施加力（载荷）而产生变形的情况下，在写入伺服信息 之前，玻璃基板也会达到结束或基本结束因除去力（载荷）后的复原力所引起的位移的状 态。因此，写入伺服信息后的玻璃基板（磁记录介质）不发生位移或者位移的程度轻微，从 而能够防止写入的伺服信息的位置发生偏移，能够抑制错误的产生率。
[0125] 另外，本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃优选含有5摩尔％以上 且20摩尔％以下的A1 203。A1203含量的下限值更优选为8摩尔％以上、进一步优选为10摩 尔％以上、特别优选为11. 5摩尔％以上。A1203的含量的上限值更优选为17. 5摩尔％以下、 进一步优选为15摩尔％以下。
[0126] 另外，本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的玻璃优选含有55摩尔％以 上且75摩尔％以下的Si0 2和0摩尔％以上且30摩尔％以下的碱土金属氧化物。特别是 Si02更优选含有66摩尔％以上且75摩尔％以下、进一步优选含有66摩尔％以上且70摩 尔％以下。碱土金属氧化物更优选含有5摩尔％以上且30摩尔％以下、进一步优选含有16 摩尔％以上且30摩尔％以下。
[0127] 特别是使用B203的含量为0. 1摩尔％以上且15摩尔％以下的玻璃作为磁记录介 质所包含的玻璃基板的玻璃时，优选含有〇摩尔％以上且25摩尔％以下的碱金属氧化物。 进而，更优选含有〇摩尔％以上且15摩尔％以下的碱金属氧化物、进一步优选含有0摩 尔％以上且2.5摩尔％以下。
[0128] 另外，本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板优选比弹性模量（比杨氏模 量）高，例如优选比弹性模量为32MNm/kg以上、更优选为33MNm/kg以上。通过使比弹性模 量高，即使在使磁记录介质高速旋转的情况下，也能够进一步抑制颤动的产生，特别是能够 抑制磁记录介质的读取/写入错误的产生。
[0129] 本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板优选滞弹性变形量A为2. 0 μ m以下。 需要说明的是，滞弹性变形量A的下限值为0 μ m。可以说这对于后述的滞弹性变形量B、滞 弹性变形量C也是同样的。
[0130] 在此，滞弹性变形量A是指：从下表面侧支撑玻璃基板的直径方向的两端部，对玻 璃基板的中央部上表面施加48小时载荷后去除载荷，去除载荷后经过5小时时的平坦度与 施加载荷前的平坦度之差的绝对值。
[0131] 特别地，滞弹性变形量A具体而言可以按照例如以下的方式计算。首先，从下表面 侧支撑由设置在玻璃基板的相对的两个部位的弦和圆弧包围、弦与圆弧之间的距离的最大 值为玻璃基板的直径的2. 3%?7. 7%的长度的直径方向的两端部。然后，对宽度为玻璃基 板的直径的35?80%的长度且该宽度方向的中心线通过玻璃基板的中心的、与弦平行的 玻璃基板的中央区域上表面施加48小时利用（玻璃基板的主平面的面积）mm 2X2. 28mN/mm2 计算出的载荷。之后，去除载荷，可以将去除载荷后经过5小时时的平坦度与施加载荷前的 平坦度之差的绝对值作为滞弹性变形量A。
[0132] 因此，滞弹性变形量A的值越小，表示在除去使玻璃基板变形的载荷（力）后越能 够在短时间内恢复成原来形状的玻璃基板、磁记录介质。
[0133] 测定滞弹性变形量A时，对玻璃基板施加48小时载荷是因为：根据本发明的发明 人的研究确认，不论玻璃基板的组成如何，对玻璃基板施加载荷的时间为约16小时时，平 坦度的变化达到饱和。因此，从平坦度的变化达到饱和、即使施加在此之上的长时间的载荷 也不会引起平坦度变化的时间的观点出发，设定为48小时。
[0134] 将去除载荷后5小时后的平坦度作为比较的对象是因为：进行磁性层成膜工序、 磁记录介质保持工序等而制造磁记录介质之后，在写入伺服信息之前的期间进行将磁记录 介质组装到硬盘中的硬盘组装工序等。因此，通常在制造磁记录介质之后即磁性层成膜工 序后、或者将在磁记录介质保持工序中形成的包装开封之后，到写入伺服信息为止至少要 花费约5?12小时。
[0135] 本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的滞弹性变形量A为上述范围时，表 示即使在玻璃基板（磁记录介质）发生屈曲变形、弯曲变形等变形的情况下，玻璃基板、磁 记录介质也能够在短时间内恢复成原来的形状。另外还表示，即使在进一步因时间经过而 发生位移的情况下，其位移幅度也为滞弹性变形量A的值以下，平坦度的位移幅度小。因 此，通过使滞弹性变形量A具有上述范围，写入伺服信息后的位移幅度减小，能够进一步抑 制错误的产生。
[0136] 在磁记录介质的玻璃基板中，滞弹性变形量A更优选为1. 5μπι以下、进一步优选 为1. 0 μ m以下、特别优选为0. 4 μ m以下。
[0137] 另外，在本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板中，从下表面侧支撑玻璃基 板直径方向的两端部，对玻璃基板的中央部（包含中心的中央区域）上表面施加48小时载 荷后去除载荷，将去除载荷后经过5小时时的平坦度与去除载荷后经过48小时时的平坦度 之差的绝对值作为滞弹性变形量B。这种情况下，玻璃基板的滞弹性变形量B优选为1. 5 μ m 以下。
[0138] 滞弹性变形量B具体而言可以按照例如以下的方式计算。首先，从下表面侧支撑 由设置在玻璃基板的相对的两个部位的弦和圆弧包围、弦与圆弧之间的距离的最大值为玻 璃基板的直径的2. 3%?7. 7%的长度的直径方向的两端部。对宽度为玻璃基板的直径的 35?80%的长度且该宽度方向的中心线通过玻璃基板的中心的、与弦平行的玻璃基板的 中央区域上表面施加48小时利用（玻璃基板的主平面的面积）mm 2X 2. 28mN/mm2计算出的 载荷。之后，去除载荷，可以将去除载荷后经过5小时时的平坦度与去除载荷后经过48小 时时的平坦度之差的绝对值作为滞弹性变形量B。
[0139] 滞弹性变形量B是指从除去载荷后经过5小时时到经过48小时时之间的平坦度 的变化量。因此，其值越小，表示从除去载荷后经过5小时时起的平坦度的变化量越小。
[0140] 因此，通过使滞弹性变形量B满足上述规定，例如在除去载荷后5小时后写入伺服 信息时，使之后的平坦度的变化小、即玻璃基板（磁记录介质）的位移量小。因此，能够防 止写入的伺服信息的位置发生偏移，能够进一步抑制错误的产生率。
[0141] 作为滞弹性变形量B的值，只要是写入伺服信息后进行数据的读取、写入时所允 许的变形量则没有特别限定，如上所述优选为1. 5 μ m以下。作为滞弹性变形量B，更优选为 1. 0 μ m以下、进一步优选为0· 5 μ m以下、特另|J优选为0· 4 μ m以下。
[0142] 此外，在本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板中，从下表面侧支撑玻璃基 板的直径方向的两端部，对玻璃基板的中央部（包含中心的中央区域）上表面施加48小时 载荷后去除载荷，将去除载荷后经过5小时时的平坦度作为滞弹性变形量C。这种情况下， 玻璃基板的滞弹性变形量C优选为2. 5 μ m以下、优选为2. 0 μ m以下、优选为1. 5 μ m以下、 更优选为l.Oym以下。
[0143] 滞弹性变形量C具体而言可以按照例如以下的方式计算。首先，从下表面侧支撑 由设置在玻璃基板的相对的两个部位的弦和圆弧包围、弦与圆弧之间的距离的最大值为玻 璃基板的直径的2. 3%?7. 7%的长度的直径方向的两端部。然后，对宽度为玻璃基板的直 径的35?80%的长度且该宽度方向的中心线通过玻璃基板的中心的、与弦平行的玻璃基 板的中央区域上表面施加48小时利用（玻璃基板的主平面的面积）mm 2X2. 28mN/mm2计算 出的载荷。之后，去除载荷，将去除载荷后经过5小时时的平坦度作为滞弹性变形量C。
[0144] 滞弹性变形量C的值越小，表示除去载荷后经过5小时时的平坦度越小。满足上 述参数的玻璃基板表示尽管施加了 48小时载荷但变形量也小、和/或在去除载荷后5小时 内平坦度恢复。因此，即使在除去载荷后经过5小时时写入伺服信息，玻璃基板的之后的变 形量也小，能够进一步抑制错误的产生率。
[0145] 使用图3、4对至此所说明的滞弹性变形量A?C的测定方法进行说明。
[0146] 需要说明的是，以下的说明中，图3中在各时间的平坦度以F(xh)表示。式中，X表 示以去除载荷的时刻为基准（〇小时）、从去除载荷起的经过时间。另外，去除载荷之前的时 间以负数表示。因此，例如，F(-48h)表示去除载荷48小时前、即施加载荷前的玻璃基板的 平坦度。
[0147] 首先，使用图3对滞弹性变形量测定流程进行说明。
[0148] 对于测定，如图3所示，首先，在施加载荷之前对玻璃基板的平坦度F(_48h)进行 测定（图3中（1)的点）。之后，通过后述的方法对玻璃基板施加48小时载荷。这是因为： 根据本发明人的研究确认，无论对何种玻璃基板而言，从施加载荷起约16小时平坦度的变 化均达到饱和。因此，从平坦度的变化达到饱和、即使施加在此之上的长时间的载荷也不会 引起平坦度变化的时间的观点出发，设定为48小时。
[0149] 在经过48小时后去除载荷时（图3中（2)的点）、去除载荷后经过5小时时，再次 测定平坦度（图3中（3)的点），将其作为F(5h)。这是因为：如上所述，通常在将磁性层成 膜工序、磁记录介质保持工序中形成的包装开封后经过约5?12小时后进行伺服信息的写 入。
[0150] 另外，对去除载荷后经过48小时时的平坦度进行测定（图3中（4)的点），将其作 为F(48h)。这是因为：在通常的硬盘驱动器的组装工序中，在将磁性层成膜工序、磁记录介 质保持工序中形成的包装开封后经过约48小时的时刻进行读写测试。
[0151] 并且，如上所述，滞弹性变形量A通过施加载荷前的平坦度F (_48h)与去除载荷后 经过5小时时的平坦度之差的绝对值而算出，由下式表示。
[0152] (滞弹性变形量 A) = |F(5h)-F(_48h)
[0153] 滞弹性变形量A的值越小，表示越能够从因施加载荷而产生的变形恢复成原来的 玻璃基板的形状（平坦度）。
[0154] 另外，如上所述，滞弹性变形量B通过去除载荷后经过5小时时的平坦度与经过48 小时时的平坦度之差的绝对值而算出，由下式表示。
[0155] (滞弹性变形量 B) = |F(5h)_F(48h)
[0156] 滞弹性变形量C表示除去载荷后经过5小时时的平坦度。因此，由下式表示。
[0157] (滞弹性变形量C) = F (5h)
[0158] 对于测定玻璃基板的平坦度的方法没有特别限定，例如可以通过相位测定干涉法 (相移法（Phase shift法））进行测定。
[0159] 接着，以下对测定滞弹性变形量时的、对玻璃基板施加载荷的方法进行说明。
[0160] 对玻璃基板施加载荷时，通过从下表面侧支撑玻璃基板的相对的直径方向的两端 部、并从玻璃基板的上表面向垂直下方对玻璃基板的包含中心的中央部施加载荷来进行。
[0161] 使用图4对具体例进行说明。
[0162] 图4表示为了测定滞弹性变形量而对玻璃基板43施加载荷45的构成例，图4(A) 表不横侧面图、图4(B)表不俯视图。
[0163] 如图4所示，使用用于支撑玻璃基板43的两端部的V型块体41，在其上配置玻璃 基板43、载荷（重石）45而对玻璃基板43施加载荷。
[0164] V型块体41在其中央部具有V字形的切口部42。并且，以如下方式构成：以覆盖 V字形的切口部42的方式配置玻璃基板43,由此能够从下表面侧仅支撑玻璃基板43的两 端部44。需要说明的是，作为支撑玻璃基板43的构件，并不限定于V型块体，只要是能够支 撑玻璃基板43的两端部44的构件即可。例如，也可以是以使两个四棱柱形状的块体空出 规定的间隔且能够支撑玻璃基板43的两端部分44的方式配置的构件。
[0165] 这种情况下，与V型块体接触且设置在支撑玻璃基板43的直径方向的两端的两个 部位的两端部（支撑部）44分别被弦441、442和圆弧所包围。并且，弦441和弦442为V 型块体的切口部的端部，且平行。并且，弦与圆弧之间的距离的最大值、即图4中的W1分别 优选设定为例如玻璃基板43的直径的2. 3 %?7. 7 %的长度、更优选设定为直径的4. 0 %? 6.0%。这是因为：若所支撑的部分的范围过窄，则施加载荷时玻璃基板43有可能偏移掉落 而破损，若过宽，则与载荷部分之间的距离变短，不易表现出平坦度的变化，测定的分辨率 降低。
[0166] 对于载荷，只要能够对玻璃基板43的包含中心的中央部施加载荷即可，对其配 置、载荷的尺寸没有特别限定。
[0167] 例如如图4所示，可以通过在玻璃基板43的中央部配置长方体的载荷（重石）来 进行。这种情况下，载荷优选以与构成支撑玻璃基板43的两端部的弦441、442平行的方式 配置。另外，如图4(B)所示，载荷优选以完全覆盖距与弦441、442平行的中心线为一定距 离的宽度（范围）的玻璃基板43的方式配置。例如作为载荷（重石），可以优选使用其宽 度、即图4中的W2的长度为玻璃基板43的直径的35%?80%的长方体，可以更优选使用 W2的长度为玻璃基板43的直径的35%?50%的长方体。
[0168] 这是因为：例如，若施加载荷的范围过窄时，可能因载荷集中于狭窄范围、载荷变 得不稳定而翻倒等而导致玻璃基板43破损，若施加载荷的范围过宽时，则与支撑的两端部 之间的距离变窄，不易表现出平坦度的变化，测定的分辨率降低。
[0169] 作为载荷（重石）的纵向的长度，如上所述优选为与玻璃基板43的直径相同的长 度或其以上的长度。
[0170] 作为载荷的重量没有特别限定，只要是能够充分引起滞弹性所致的变形且不会导 致玻璃基板43破损的范围即可，可以根据所使用的玻璃基板43的面积、强度等来选择。
[0171] 例如，可以按照玻璃基板43的主平面的每1mm2面积为0. 233gf (2. 28mN)的 载荷的方式来选择。即，可以施加利用（（磁记录介质用）玻璃基板的主平面的面积） mm2X0. 233gf/mm2(2. 28mN/mm2)计算出的载荷。例如，在外径为65mm、内径（中央部的圆孔 的直径）为20mm的玻璃基板（2. 5英寸的玻璃基板）的情况下，在玻璃基板43的中央部上 表面施加700gf(6. 86N)的载荷。
[0172] 需要说明的是，即使对玻璃基板施加的力（载荷）相同，若玻璃基板的板厚较薄， 则屈曲变形、弯曲变形均以应力的形式增大，因此更容易引起局部的变形。这种情况下，在 本实施方式中公开的磁记录介质更有效地发挥功能。例如，对截面为矩形的棱柱的简支梁 的两端进行保持并对中央实施一定载荷时的中央部的挠曲量d通过下式得出。
[0173] d= (PL3)/(48EI)
[0174] P:中心载荷 L:梁的长度 E:材料的杨氏模量
[0175] I =截面惯性矩=(bh3)/12 b:棱柱的宽度h:厚度
[0176] 因此，延迟恢复变形量也与玻璃基板的厚度的3次方成反比，厚度越薄则延迟恢 复变形量可能越明显增大。但是，根据本实施方式的磁记录介质，即使在玻璃基板的板厚较 薄的情况下，在写入伺服信息之前也会达到结束或基本结束位移的状态。
[0177] 以上对本实施方式的磁记录介质进行了说明，即使在对本实施方式的磁记录介质 所包含的玻璃基板施加力（载荷）而产生变形的情况下，在写入伺服信息之前，玻璃基板 (磁记录介质）也会达到结束或基本结束因除去力（载荷）后的复原力所引起的位移的状 态。因此，写入伺服信息后的玻璃基板不发生位移或位移的程度轻微，从而能够防止写入的 伺服信息的位置发生偏移，能够抑制错误的产生率。
[0178] 第二实施方式
[0179] 对本实施方式的磁记录介质的构成例进行说明。
[0180] 本实施方式的磁记录介质是在玻璃基板上成膜有磁性层的用于写入伺服信息的 磁记录介质。并且，该磁记录介质所包含的玻璃基板的滞弹性变形量A优选为2. 0 μ m以下。 需要说明的是，滞弹性变形量A的下限值为0 μ m。可以说这对于后述的滞弹性变形量B、滞 弹性变形量C也是同样的。
[0181] 在此，滞弹性变形量A是指：从下表面侧支撑该磁记录介质所包含的玻璃基板的 直径方向的两端部，对玻璃基板的中央部上表面施加48小时载荷后去除载荷，去除载荷后 经过5小时时的平坦度与施加载荷前的平坦度之差的绝对值。
[0182] 特别地，滞弹性变形量A具体而言可以按照以下的方式计算。首先，从下表面侧支 撑由设置在玻璃基板的相对的两个部位的弦和圆弧包围、弦与圆弧之间的距离的最大值为 玻璃基板的直径的2. 3%?7. 7%的长度的直径方向的两端部。然后，对宽度为玻璃基板的 直径的35?80%的长度且该宽度方向的中心线通过玻璃基板的中心的、与弦平行的玻璃 基板的中央区域上表面施加48小时利用（玻璃基板的主平面的面积）mm 2 X 2. 28mN/mm2计 算出的载荷。之后，去除载荷，可以将去除载荷后经过5小时时的平坦度与施加载荷前的平 坦度之差的绝对值作为滞弹性变形量A。
[0183] 因此，滞弹性变形量A的值越小，表示在除去使磁记录介质（玻璃基板）变形的载 荷（力）后越能够在短时间恢复成原来形状的磁记录介质。
[0184] 测定滞弹性变形量A时，对玻璃基板施加48小时载荷是因为：根据本发明的发明 人的研究确认，无论玻璃基板的组成如何，对玻璃基板施加载荷的时间为约16小时时，平 坦度的变化达到饱和。因此，从平坦度的变化达到饱和、即使施加在此之上的长时间的载荷 也不会引起平坦度变化的时间的观点出发，设定为48小时。
[0185] 将去除载荷后5小时后的平坦度作为比较的对象是因为：进行磁性层成膜工序、 磁记录介质保持工序等而制造磁记录介质之后，在写入伺服信息之前的期间进行将磁记录 介质组装到硬盘中的硬盘组装工序等。因此，通常在制造磁记录介质之后即磁性层成膜工 序后、或者将在磁记录介质保持工序中形成的包装开封之后，到写入伺服信息为止至少要 花费约5?12小时。
[0186] 本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板的滞弹性变形量A为上述范围时，表 示即使在玻璃基板（磁记录介质）发生屈曲变形、弯曲变形等变形的情况下，玻璃基板、磁 记录介质也能够在短时间内恢复成原来的形状。另外还表示，即使在进一步因时间经过而 发生位移的情况下，其位移幅度也为滞弹性变形量A的值以下，平坦度的位移幅度小。因 此，通过使滞弹性变形量A具有上述范围，写入伺服信息后的位移幅度减小，能够进一步抑 制错误的产生。
[0187] 在磁记录介质的玻璃基板中，滞弹性变形量A更优选为1. 5μπι以下、进一步优选 为1. 0 μ m以下、特别优选为0. 4 μ m以下。
[0188] 另外，在本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板中，从下表面侧支撑玻璃基 板直径方向的两端部，对玻璃基板的中央部（包含中心的中央区域）上表面施加48小时载 荷后去除载荷，将去除载荷后经过5小时时的平坦度与去除载荷后经过48小时时的平坦度 之差的绝对值作为滞弹性变形量B。这种情况下，玻璃基板的滞弹性变形量B优选为1. 5 μ m 以下。
[0189] 滞弹性变形量B具体而言可以按照例如以下的方式计算。首先，从下表面侧支撑 由设置在玻璃基板的相对的两个部位的弦和圆弧包围、弦与圆弧之间的距离的最大值为玻 璃基板的直径的2. 3%?7. 7%的长度的直径方向的两端部。对宽度为玻璃基板的直径的 35?80%的长度且该宽度方向的中心线通过玻璃基板的中心的、与弦平行的玻璃基板的 中央区域上表面施加48小时利用（玻璃基板的主平面的面积）mm 2X 2. 28mN/mm2计算出的 载荷。之后，去除载荷，可以将去除载荷后经过5小时时的平坦度与去除载荷后经过48小 时时的平坦度之差的绝对值作为滞弹性变形量B。
[0190] 滞弹性变形量B是指从除去载荷后经过5小时时到经过48小时时之间的平坦度 的变化量。因此，其值越小，表示从除去载荷后经过5小时时起的平坦度的变化量越小。
[0191] 因此，通过使滞弹性变形量B满足上述规定，例如在除去载荷后5小时后写入伺服 信息时，使之后的平坦度的变化小、即玻璃基板（磁记录介质）的位移量小。因此，能够防 止写入的伺服信息的位置发生偏移，能够进一步抑制错误的产生率。
[0192] 作为滞弹性变形量B的值，只要是写入伺服信息后进行数据的读取、写入时所允 许的变形量则没有特别限定，如上所述优选为1.5μπι以下。作为滞弹性变形量B，更优选为 1. 0 μ m以下、进一步优选为0· 5 μ m以下、特另|J优选为0· 4 μ m以下。
[0193] 此外，在本实施方式的磁记录介质所包含的玻璃基板中，从下表面侧支撑玻璃基 板的直径方向的两端部，对玻璃基板的中央部（包含中心的中央区域）上表面施加48小时 载荷后去除载荷，将去除载荷后经过5小时时的平坦度作为滞弹性变形量C。这种情况下， 玻璃基板的滞弹性变形量C优选为2. 5 μ m以下、优选为2. 0 μ m以下、优选为1. 5 μ m以下、 更优选为l.Oym以下。
[0194] 滞弹性变形量C具体而言可以按照例如以下的方式计算。首先，从下表面侧支撑 由设置在玻璃基板的相对的两个部位的弦和圆弧包围、弦与圆弧之间的距离的最大值为玻 璃基板的直径的2. 3%?7. 7%的长度的直径方向的两端部。然后，对宽度为玻璃基板的直 径的35?80%的长度且该宽度方向的中心线通过玻璃基板的中心的、与弦平行的玻璃基 板的中央区域上表面施加48小时利用（玻璃基板的主平面的面积）mm 2X 2. 28mN/mm2计算 出的载荷。之后，去除载荷，将去除载荷后经过5小时时的平坦度作为滞弹性变形量C。
[0195] 滞弹性变形量C的值越小，表示除去载荷后经过5小时时的平坦度越小。满足上 述参数的玻璃基板表示尽管施加了 48小时载荷但变形量也小、和/或在去除载荷后5小时 内平坦度恢复。因此，即使在除去载荷后经过5小时时写入伺服信息，磁记录介质（玻璃基 板）的之后的变形量也小，能够进一步抑制错误的产生率。
[0196] 至此说明的滞弹性变形量A?C的测定可以与在第一实施方式中说明的滞弹性变 形量A?C的测定方法同样地进行，因此在此省略说明。
[0197] 以上，对本实施方式的磁记录介质进行了说明，本实施方式的磁记录介质即使在 对该磁记录介质施加力（载荷）而产生变形的情况下，在写入伺服信息之前，磁记录介质也 会达到结束或基本结束因除去力（载荷）后的复原力所引起的位移的状态。因此，写入伺 服信息后的磁记录介质不发生位移或位移的程度轻微，从而能够防止写入的伺服信息的位 置发生偏移，能够抑制错误的产生率。
[0198] 实施例
[0199] 以下举出具体的实施例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[0200] [实验例1]
[0201] 首先，对在以下的实施例、比较例中磁记录介质所使用的玻璃基板的评价方法以 及在玻璃基板表面成膜有磁性层等薄膜的磁记录介质的评价方法进行说明。
[0202] (1)刚除去载荷后的平坦度对除去载荷前的载荷施加时间的依赖性的评价
[0203] 改变除去载荷前的载荷施加时间，对刚除去载荷（力）后的平坦度的变化进行了 评价。
[0204] 对向玻璃基板施加载荷（力）的方法进行说明。
[0205] 首先，如图4所示，利用V型块体41支撑磁记录介质所使用的玻璃基板43的两端 部分。
[0206] 支撑部分44配置在直径方向的两端，两个两端部（支撑部）被弦441、442(被弦 截取的较短的弧）和圆弧包围，两个两端部为相同形状。并且，以使弦441、442与圆弧之间 的距离的最大值W1为玻璃基板43的直径的5. 4% (3. 5mm)的方式配置。
[0207] 接着，以与构成由V型块体41支撑的两端部分的弦441、442平行的方式将载荷45 配置在玻璃基板43的主平面上。在本实施例中，作为载荷45的尺寸，使用了其横向宽度、 即图4中的W2为玻璃基板43的直径的38. 5% (25mm)且为700gf (6. 86N)的载荷。这种情 况下，以使载荷45的宽度方向的中心线通过玻璃基板43的中心的方式配置。
[0208] 另外，对于纵向而言，为了与图4所示的载荷同样地在载荷45的横向宽度的整个 范围上完全覆盖玻璃基板43,使用了比玻璃基板43的直径长的载荷。
[0209] 在载荷时间所带来的平坦度的变化的评价中，改变施加载荷（力）的时间，为了进 行由此所带来的玻璃基板的平坦度的评价，对于各试样，在后述的表2所示的载荷施加时 间的期间，如上所述在玻璃基板上配置载荷，除去载荷后立即进行平坦度的测定。
[0210] 并且，对于各玻璃基板，在施加规定时间的载荷后，对刚去除载荷后的平坦度进行 了测定。平坦度的测定通过相位测定干涉法（相移法）进行。具体而言，使用干涉式平坦 度测定仪（Zygo公司制造，型号：ZygoGI Flat(MESA))以680nm的测定波长进行了测定。
[0211] (2)除去载荷后的平坦度对解除载荷后经过时间的依赖性的评价
[0212] 对玻璃基板施加24