专利名称：一种压电陶瓷驱动电路的制作方法现有电子提花机的选针大都采用电磁铁吸针方式。这种电磁铁选针方式功 耗大，不利于能源的节约，电磁铁工作期间存在反电动势，易对电路造成冲击 和干扰，电磁铁在工作状态下发热严重，升温快，是一个安全隐患。另一种方 式是用压电陶瓷来代替电磁铁，这种选针方式可以解决电磁铁选针方式存在的 问题，但压电陶瓷的驱动比较复杂，而且又难于兼容现有的控制系统。
本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种压电陶瓷驱动电路。 本实用新型通过以下技术方案来实现 一种压电陶瓷驱动电路，所述压电 陶瓷式电子提花机包括接近开关、电子提花机控制器和压电陶瓷，该驱动电路 包括 一移位寄存器电路，与电子提花机控制器相连，接收电子提花机控制器 的数据，移位后的数据输出到译码电路； 一接近开关电路，与接近开关相连， 接收装在提花机上的接近开关的信号，并把此信号转换后输出到译码电路；一译码电路，分别与移位寄存器电路和接近开关电路相连，接收接近开关电路的信号和移位寄存器电路输出的数据后，译码产生H桥控制电路所需的控制信号；一 H桥驱动电路直接驱动压电陶瓷，与译码电路相连，根据译码电路输送的控 制信号驱动压电陶瓷；和一压电陶瓷电荷释放电路，分别与电子提花机控制器 和压电陶瓷相连，根据电子提花机控制器的信号来释放压电陶瓷上多余的电荷。 本实用新型的有益效果是1、 能完全兼容现有的电子提花机控制系统，无需专门针对这个驱动电路 来设计控制器。2、 只需单路驱动电源就可以实现电子提花机中压电陶瓷的3个档位的要 求，对电源要求低。
3、 性能稳定，可靠性好。

图1为本实用新型压电陶瓷式电子提花机的压电陶瓷驱动电路的结构示意框图； 图2为图1所示移位寄存器电路的电路图； 图3为图1所示接近开关电路的电路图； 图4为图1所示译码电路的电路图； 图5为图1所示H桥驱动电路的电路图6为图1所示压电陶瓷电荷释放电路的电路图。

下面根据附图详细说明本实用新型，本实用新型的目的和效果将变得更加明显。
由图1所示，本实用新型由移位寄存器电路、接近开关电路、译码电路、H 桥驱动电路、压电陶瓷电荷释放电路5部分组成。移位寄存器电路接收电子提
花机控制器的数据，移位后的数据输出到译码电路。接近开关电路接收装在提 花机上的接近开关的信号，并把此信号转换后输出到译码电路。译码电路接收
接近开关电路的信号和移位寄存器电路输出的数据后译码产生H桥控制电路所 需的控制信号。H桥驱动电路直接驱动压电陶瓷。压电陶瓷电荷释放电路根据电 子提花机控制器的信号来释放压电陶瓷上多余的电荷。
图2的移位寄存器电路由一片CD4094移位寄存器芯片组成。它的1、 2、 3、 15管脚分别与电子提花机控制器上对应的的STB、 DATA、 CLK、 OE信号相连。第 4、 5、 6、 7、 14、 13、 12、 11管脚输出串行移位后的数据， 一片CD4094可以输 出8路数据， 一路数据控制一个压电陶瓷。由于每一路的电路都是一样的，这 里只对一路进行叙述。CD4094的一路数据(第4个管脚)SHIFT」输出到译码电 路里。CD4094的第10个脚连到下一块CD4094的第2个管脚，这样可以把多个 CD4094串联起来。
图3的接近开关电路主要由一个U45的光耦(型号是2501)、3个电阻(R110、
Rlll、 R112)、 一个接近开关的外部接口 (sigl)组成，其中R110和R112作为 信号的上拉电阻，上拉电阻R112连接到sigl的第三个脚，上拉电阻R110连接 到U45的第四的脚，R111作为U45发光二极管端的限流电阻，连接到U45的第 一个脚。图中sigl连接外部的接近开关，这个接近开关用来检测两组提刀臂的 上下运动状态。图中SIG—LR为电路的输出信号，输出到图4的译码电路。
图4的译码电路由一个2-4译码器(型号是74LS139)组成。图4中的SIG_LR 来自图3， SHIFT—1来自图2。 SIG—LR和SHIFT—1经过2-4译码后，取6、 7管 脚的输出信号作为H桥的控制信号，输出到图5。
图5的H桥驱动电路主要由2部分组成， 一部分是由2个光耦(对应图5 中的U1、 U2)、 6个电阻(Rl、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6)、 2个发光二极管(YC1、 YC2)组成的H桥控制电路，其中R2、 R5作为Ul和U2发光二极管端的限流电 阻，分别连接到Ul和U2的第一个脚，YC1、 YC2作为Ul和U2通断的指示灯， 分别连接到R2和R5上，Rl和R4作为信号DRIVE1—CTRO和DRIVE1—CTR1的上拉 电阻，分别连接到YC1和YC2上，R3作为Q2、 Q3基极之间的限流电阻，连接到 Ul的第四个脚，同时也与Q2的基极相连，R6作为Ql、 Q4基极之间的限流电阻， 连接到U2的第四个脚，同时与Ql的基极相连。另一部分是由4个三极管Ql、 Q2、 Q3、 Q4组成的H桥电路，其中Ql、 Q2是PNP型的三极管，Q3、 Q4是NPN 型的三极管，其中Q2的集电极和Q4的集电极相连，Ql的集电极和Q3的集电极 相连，Q1和Q2的发射极相连，并连到电源上，Q3和Q4的发射极相连，并连接 到地上。Q3和Q4的集电极输出电压到压电陶瓷上。图5中的控制信号 DRIVE1一CTR0和DRIVE1—CTR1来自图4的译码电路。图5的H桥电路中，Q2与 Q3， Ql与Q4分别构成一对桥臂。当DRIVE1—CTRO为高电平，DRIVE1—CTR1为低 电平时，lil光耦导通，使得Q2与Q3导通，此时B1上接的压电陶瓷上为正电压， 压电陶瓷正偏。当DRIVE1—CTRO为低电平，DRIVE1_CTR1为高电平时，U2光耦 导通，使得Q1与Q4导通时，Bl上接的压电陶瓷上为负电压，压电陶瓷反偏。 同时压电陶瓷的两端连接到图6的压电陶瓷电荷释放电路。
图6的压电陶瓷电荷释放电路，由一片光电继电器(型号是AQW214)和电 阻R130构成，其中R130作为光电继电器发光二极管端的限流电阻，R130连接 到U46的第一个脚，图6中的OE来自电子提花机控制器，与图2中的0E信号 是同一个信号。当OE为低电平时，压电陶瓷处于不通电状态，此时AQW214会 导通，而AQW214的7、 8脚处于低阻抗状态，这两个管脚又是连接到图5中的 压电陶瓷的两端，从而达到释放压电陶瓷多余电荷的目的，使得压电陶瓷处于
中间状态。
上述实施例用来解释说明本实用新型，而不是对本实用新型进行限制，在 本实用新型的精神和权利要求的保护范围内，对本实用新型作出的任何修改和 改变，都落入本实用新型的保护范围。