一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法[0002]微波介质陶瓷是移动通讯技术快速发展的关键材料，也是近二十多年来发展起来的一种新型的功能陶瓷材料。它是指应用于微波频率(主要是300MHz~30GHz频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷材料，是制造微波介质滤波器和谐振器的关键材料。近年来，信息容量大的卫星通信(SLC)、卫星直播电视(SLUIV)等系统得到迅速发展与应用，便捷的汽车电话、便携式电话等个人及集团移动通信系统也已进入日常生活。[0003]微波介质陶瓷具有高介高损耗、低介低损耗的规律，故低介体系因其高品质因数而被应用于对介质损耗要求比较严格的领域，如卫星通讯、军用雷达等方面。在微波频率下，介质损耗(介质损耗因数tan δ )要小，或者品质因数Q要高(Ι/tan δ )。一般要求tan δ< 10_4，Q > 1000。高Q有利于获得良好的滤波特性及通讯质量。谐振频率温度系数Tf要为零或近于零，零τ f可保证元器件的中心频率不随温度变化而产生漂移，提高器件的工作稳定性。 [0004]目前相对介电常数在20以下的微波介电陶瓷主要有Al2O3-TiO2系、MgTiO3-TiO2系、R2Ba (CUhAx) O5系、MO-SiO2 (M = Ca，Mg，Zn)体系。其中硅酸盐系微波陶瓷体系主要包括 CaO-SiO2, MgO-SiO2 和 ZnO-SiO2,典型化合物为 CaSiO3, Ca3Si2O7, Mg2SiO4 和Zn2SiO4[杨辉，张启龙.低温共烧微波介质陶瓷及其器件的研究进展[J].硅酸盐学报，2008,36(6) =866-876] ?在此基础上，形成系列改性复合化合物陶瓷。而CaTiO3具有钙钛矿结构，相对介电常数εr约为160，QXf值约为13000，谐振频率温度系数τ f约为 800ppm/ V [Cheng-Liang Huang, Chung-Long Pan, Shen-JiunnShium, Liquid phasesintering of MgTiO3-CaTiO3 microwave dielectric ceramics, Materials Chemistryand Physics, 78 (2002) 111-115]。对于 Mg2SiO4 和 Zn2SiO4,其 QXf 值可以达到 200000，介电损耗tan5很小，谐振频率温度系数τ f在-60ppm/°C附近[K.X.Song, X.M.Chen,C.V.Zhen, Microwave dielectric characteristics of ceramics in Mg2SiO4-Zn2SiO4system, Ceramics International.34 (2008) 917-920]。将两种微波介电性能良好且谐振频率温度系数相反的材料进行复合可以制备出Tf可调的复相微波介质陶瓷。目前许多微波介质陶瓷大都存在烧结温度过高且不具有谐振频率温度系数τ f可调的特性，品质因数Q值过低等缺点。
[0005]本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷具有低介电常数，具有优良微波性能且谐振频率温度系数Tf根据实际应用要求可调至特定值。[0006]本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:[0007]—种低介电常数微波介质陶瓷，其配方组成为:[0008](1-a) (Mg0.4ZnQ.6)2Si04_aCaTi03，其中 a = 0.05 ~0.2 ;[0009]该低介电常数微波介质陶瓷的介电常数为6~10，QXf > 40000GHz，谐振频率温
度系数在一定范围内可调。
[0010]一种低介电常数微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤:
[0011](I)原料选取:选取纯度大于99.9%的MgO、ZnO、SiO2, CaCO3> TiO2作为制备低介电常数微波介质陶瓷的原料；
[0012](2)制备(Mg0.4Zn0.6) 2Si04 与 CaTiO3 粉料:
[0013]按照(Mga4Zna6)2SiO4的配方组成称量原料MgO、ZnO及SiO2配成第一组混合原料，按照CaTiO3的配方组成称量原料CaCO3与TiO22配成第二组混合原料，将两组混合原料分别进行第一次球磨，烘干后，高温煅烧，两组混合原料分别反应，得到(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3 粉料；
[0014](3)制备(1-a) (Mga4Zna 6) 2Si04-aCaTi03 混合粉料:
[0015]将合成的粉料(Mga4Zna6)2SiO4及CaTiO3按照摩尔比(1-a): a称料混合，其中a=0.05~0.2，进行第二次球磨，之后烘干，得到(1-a) (Mg0.4Zn0.6)2Si04-aCaTi03混合粉料；
[0016](4)在制备的(1-a) (Mg0.4Zn0.6)2Si04-aCaTiO3混合粉料中加入浓度为8~10wt%的PVA溶液，并在80~120MPa压力下压制成直径为10~12mm的陶瓷圆柱体，其中PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0017](5)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在1120~1240°C下以3~5°C /min的速率升温并保温2~4h，随后以2~4°C /min的速度冷却至室温，并将烧结成瓷的样品表面抛光，得到低介电常数微波介质陶瓷。
[0018]第一次球磨与第二次球磨均是在球磨机中进行中，在进行球磨的过程中，均加入氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，其中，待研磨的物料与氧化锆球的质量比为1:1.2~I: 1.5，待研磨的物料与无水乙醇的质量比1: 1.2~1: 1.5。
[0019]第一次球磨或第二次球磨进行时的转速为300~400r/min,球磨的时间为16~24h。
[0020]步骤⑵或步骤(3)中所述的烘干的温度为80~120°C。
[0021]步骤⑵所述的高温煅烧的温度为1100~1200°C，高温煅烧的时间为2~4h。
[0022]硅酸盐体系中的Mg2Si04、Zn2SiO4S 10以下的低介电常数，且QX f值可以达到200000，是典型的低介电常数低损耗材料，谐振频率温度系数τ f均为-60ppm/°C，其烧结温度高于1200°C，将两者复合成MZS (即(Mga4Zn0.6) 2Si04)之后其烧结温度可以降低至1100°C左右。为了使硅酸盐材料具有谐振频率温度系数可调的特性，将CaTiO3与Mg2Si04、Zn2SiO4进行复合，由于CaTiO3的谐振频率温度系数τ f值为800ppm/°C，所以通过调节CaTiO3与MZS的摩尔比可以调节MZS-CaTiO3体系材料的谐振频率温度系数。因为CaTiO3的摩尔比例较低，因此MZS-CaTiO3体系仍具有低介电常数低损耗的性质。
[0023]由于(Mg0.4Zn0.6) 2Si04与CaTiO3复合过程比较复杂，先要分别单独制备出(Mga4Zna6)2SiO4 复合材料和 CaTiO3,再将(Mga4Zna6)2SiO4 与 CaTiO3 进行 0-3 复合，而且二者要能够充分地混合均匀。不能开始就将各个氧化物混合均匀烧结，这样会使得中间的反应较为复杂不能控制而对微波性能带来较大的影响。在烧结时，炉内会形成温度梯度，而本微波材料的微波性能对温度较为敏感，因此需要在炉内放置一块氧化铝板以固定每次烧结的位置，使得烧结时不会因温区的差异导致微波性能结果产生影响。
[0024]与现有技术相比，本发明通过调节(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3的混合比例，可以使陶瓷材料的谐振频率温度系数Tf在一定范围内可调；较好的制备工艺使得材料的性能得到改善；三相混合烧结使得致密化烧结温度比单相低得多；本发明提供的复相微波介质陶瓷其烧结温度较低，比单相低得多，且容易合成与烧结，制备工艺简单，具有良好的综合微波介电性能，由于米用娃酸盐材料Mg2SiO4及Zn2SiO4,该复相微波介质陶瓷材料介电常数为6~10，在1180°C烧结温度下QXf > 40000GHz，是明显的低介电常数低损耗材料。谐振频率温度系数Tf根据(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3摩尔比的不同在一定范围内可调。由于高的品质因数，所以其具有选频性号且信号传输质量高的优点，适用于作为电子电路中的多层微波谐振器、振荡器滤波器、微波天线、微波基板等材料，可以应用于卫星通讯、军用雷达等方面。


[0025]图1为实施例1~实施例5制备得到的微波介质陶瓷的XRD图谱；
[0026]图2为实施例1制得的微波介质陶瓷的SEM图谱；
[0027]图3为实施例5制得的微波介质陶瓷的SEM图谱；
[0028]图4为实施例1中在1120~1240°C范围内采用不同温度烧结制得的微波介质陶瓷的QXf值的变化示意图；
[0029]图5为实施例1~实施例5制备得到的微波介质陶瓷(1-a)(Mga4Zntl.6) 2Si04-aCaTi03 的 τ f 值随 a 变化示意图。

[0030]下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
[0031]实施例1
[0032](I)称量原料MgO、ZnO、SiO2按摩尔比0.8: 1.2: I的比例配成第一组混合原料，称量原料CaCO3与TiO2按摩尔比1:1的比例配成第二组混合原料，按混合原料与氧化锆球的质量比为1: 1.2，与无水乙醇的质量比1: 1.5的比例，向第一组混合原料与第二组混合原料中同时加入氧化锆球和无水乙醇，第一组混合原料与第二组混合原料分别在360r/min的速度下进行混合球磨24h，120°C烘干后，分别装入刚玉坩埚中，在1200°C下煅烧4h，升温速率为2 V /min，第一组混合原料充分反应形成化合物(Mga4Zna6)2SiO4，第二组混合原料充分反应形成化合物CaTiO3 ；
[0033](2)将合成的粉料(Mga4Zna6)2SiO4及CaTiO3进行二次研磨烘干后，研磨与烘干的条件与步骤(1)相同，按照摩尔比0.88: 0.12称料混合，在转速为360r/min的球磨机中以氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，连续球磨24h，在120°C的烘箱中烘干，得到0.88 (Mga4Zna6)2SiO4-0.12CaTi03 混合粉料；
[0034](3)在0.88 (Mga4Zna6)2SiO4-0.12CaTi03混合粉料中加入浓度为9财％的PVA溶液进行造粒，并在IOOMPa压力下压制成直径为IOmm的陶瓷圆柱体，其中，PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0035](4)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在550°C下保温5h以除去粘合剂(PVA)，然后在1120~1240°C范围内，以3°C /min的速率升温并保温4h，随后以2V /min的速度冷
却至室温；
[0036](5)将烧结成瓷的样品表面进行机械抛光。
[0037]将在1180°C下烧结，(Mga4Zna6)2SiO4与0&1103摩尔比为0.88: 0.12的样品进行微波介电性能测试，本实施例将在1180°C下烧结，制得的微波介质陶瓷的XRD图谱如图1中的(d)所示，本实施例将在1180°C下烧结，制得的微波介质陶瓷的SEM图谱如图2所示。本实施例将在1180°C下烧结，制得的微波介质陶瓷的谐振频率温度系数τ f为-21.8ppm/°C，如图5所示。
[0038]本实施例中，在1120~1240°C范围内采用不同温度烧结制得的微波介质陶瓷的QXf值的变化如图4所示，从图中可以看出，在1180°C下烧结，在谐振频率&为11.65GHz下，介电常数ε ^为7.83，品质因数QXf值为47765GHz，在1220°C时，制备的微波介质陶瓷的QXf值最高。
[0039]实施例2
[0040](I)称量原料MgO、ZnO、SiO2按摩尔比0.8: 1.2: I的比例配成第一组混合原料，称量原料CaCO3与TiO2按摩尔比1:1的比例配成第二组混合原料，按混合原料与氧化锆球的质量比为1: 1.2，与无水乙醇的质量比1: 1.5的比例，向第一组混合原料与第二组混合原料中同时加入氧化锆球和无水乙醇，第一组混合原料与第二组混合原料分别在360r/min的速度下进行混合球磨24h，120°C烘干后，分别装入刚玉坩埚中，在1200°C下煅烧4h，升温速率为2 V /min，第一组混合原料充分反应形成化合物(Mga4Zna6)2SiO4，第二组混合原料充分反应形成化合物CaTiO3 ；
[0041](2)将合成的粉料(Mga4Zna6)2SiO4及CaTiO3进行二次研磨烘干后，研磨与烘干的条件与步骤(1) 相同，按照摩尔比0.90: 0.10称料混合，在转速为360r/min的球磨机中以氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，连续球磨24h，在120°C的烘箱中烘干，得到
0.90 (Mga4Zna6)2SiO4-0.1OCaTiO3 混合粉料；
[0042](3)在0.90 (Mga4Zna6)2SiO4-0.1OCaTiO3混合粉料中加入PVA溶液进行造粒，并在I OOMPa压力下压制成直径为IOmm的陶瓷圆柱体，其中，PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0043](4)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在550°C下保温5h以除去粘合剂，然后在1180°C下，以3°C /min的速率升温并保温4h，随后以2V /min的速度冷却至室温；
[0044](5)将烧结成瓷的样品表面进行机械抛光。
[0045]本实施例制得的微波介质陶瓷进行微波介电性能测试，在谐振频率A为
11.95GHz下，介电常数为7.42，品质因数QXf值为58555GHz，谐振频率温度系数Tf为-25.9ppm/°C，如图5所示。本实施例制得的微波介质陶瓷的XRD图谱如图1中的(c)所
/Jn ο
[0046]实施例3
[0047](I)称量原料MgO、ZnO、SiO2按摩尔比0.8: 1.2: I的比例配成第一组混合原料，称量原料CaCO3与TiO2按摩尔比1:1的比例配成第二组混合原料，按混合原料与氧化锆球的质量比为1: 1.2，与无水乙醇的质量比1: 1.5的比例，向第一组混合原料与第二组混合原料中同时加入氧化锆球和无水乙醇，第一组混合原料与第二组混合原料分别在360r/min的速度下进行混合球磨24h，120°C烘干后，分别装入刚玉坩埚中，在1200°C下煅烧4h，升温速率为2 V /min，第一组混合原料充分反应形成化合物(Mga4Zna6)2SiO4，第二组混合原料充分反应形成化合物CaTiO3 ；
[0048](2)将合成的粉料(Mga4Zna6)2SiO4及CaTiO3进行二次研磨烘干后，研磨与烘干的条件与步骤(1)相同，按照摩尔比0.92: 0.08称料混合，在转速为360r/min的球磨机中以氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，连续球磨24h，在120°C的烘箱中烘干，得到0.92 (Mga4Zna6)2SiO4-0.08CaTi03 混合粉料；
[0049](3)在0.92 (Mga4Zna6)2SiO4-0.08CaTi03混合粉料中加入PVA溶液进行造粒，并在IOOMPa压力下压制成直径为IOmm的陶瓷圆柱体，其中，PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0050](4)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在550°C下保温5h以除去粘合剂，然后在1180°C下，以3°C /min的速率升温并保温4h，随后以2V /min的速度冷却至室温；
[0051](5)将烧结成瓷的样品表面进行机械抛光。
[0052]本实施例制得的微波介质陶瓷进行微波介电性能测试，在谐振频率A为
12.22GHz下，介电常数为6.93，品质因数QXf值为47658GHz，谐振频率温度系数Tf为-37.2ppm/°C，参加图5。本实施例制得的微波介质陶瓷的XRD图谱如图1中的(b)所示。
[0053]实施例4
[0054]一种低介电常数微波·介质陶瓷，其配方组成为:
[0055]0.94 (Mg0 4Zn0 6) 2Si04_0.06CaTi03 ；
[0056]该低介电常数微波介质陶瓷的介电常数为6~10，QXf > 40000GHz，谐振频率温
度系数在一定范围内可调。
[0057]—种低介电常数微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤:
[0058](I)原料选取:选取纯度大于99.9%的MgO、ZnO、SiO2, CaCO3> TiO2作为制备低介电常数微波介质陶瓷的原料；
[0059](2)制备(Mg0.4Zn0.6) 2Si04 与 CaTiO3 粉料:
[0060]按照(Mga4Zna6)2SiO4的配方组成称量原料MgO、ZnO及SiO2配成第一组混合原料，按照CaTiO3的配方组成称量原料CaCO3与TiO22配成第二组混合原料，将两组混合原料分别进行第一次球磨，烘干后，高温煅烧，两组混合原料分别反应，得到(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3 粉料；
[0061 ] (3)制备 0.94 (Mg0.4Zn0.6) 2Si04_0.06CaTi03 混合粉料:
[0062]将合成的粉料(Mga4Zna6)讲04及CaTiO3按照摩尔比0.94: 0.06称料混合，进行第二次球磨，之后烘干，得到0.94(Mga4Zna6)2SiO4-0.06CaTi03混合粉料；
[0063](4)在制备的0.94(Mga4Zna6)2SiO4-0.06CaTi03混合粉料中加入PVA溶液并在IOOMPa压力下压制成直径为IOmm的陶瓷圆柱体，其中PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0064](5)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在1120~1220°C下以3°C /min的速率升温并保温4h，随后以2°C /min的速度冷却至室温，并将烧结成瓷的样品表面抛光，得到低介电常数微波介质陶瓷。
[0065]第一次球磨与第二次球磨均是在球磨机中进行中，在进行球磨的过程中，均加入氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，其中，待研磨的物料与氧化锆球的质量比为1: 1.2，待研磨的物料与无水乙醇的质量比1: 1.5。第一次球磨或第二次球磨进行时的转速为300~400r/min，球磨的时间为16~24h。步骤⑵或步骤(3)中烘干的温度为80~120°C。步骤⑵高温煅烧的温度为1200°C，高温煅烧的时间为2~4h。
[0066]本实施例制得的微波介质陶瓷的XRD图谱如图1中的(a)所示。
[0067]实施例5
[0068]一种低介电常数微波介质陶瓷，其配方组成为:
[0069]0.86 (Mg0.4Zn0.6)2Si04_0.HCaTiO3 ；
[0070]该低介电常数微波介质陶瓷的介电常数为6~10，QXf > 40000GHz，谐振频率温
度系数在一定范围内可调。
[0071]一种低介电常数微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤:
[0072](I)原料选取:选取纯度大于99.9%的MgO、ZnO、SiO2, CaCO3> TiO2作为制备低介电常数微波介质陶瓷的原料；
[0073](2)制备(Mg0.4Zn0.6) 2Si04 与 CaTiO3 粉料:
[0074]按照(Mga4Zna6)2SiO4的配方组成称量原料MgO、ZnO及SiO2配成第一组混合原料，按照CaTiO3的配方组成称量原料CaCO3与TiO22配成第二组混合原料，将两组混合原料分别进行第一次球磨，烘干后，高温煅烧，两组混合原料分别反应，得到(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3 粉料；
[0075](3)制备 0.86 (Mg0.4Zn0.6) 2Si04_0.HCaTiO3 混合粉料:
[0076]将合成的粉料(Mga4Zna6)讲04及CaTiO3按照摩尔比0.86: 0.14称料混合，进行第二次球磨，之后烘干，得到0.86 (Mga4Zna6)2SiO4-0.HCaTiO3混合粉料；
[0077](4)在制备的0.86 (Mga4Zna6)2SiO4-0.HCaTiO3混合粉料中加入PVA溶液并在IOOMPa压力下压制成直径为IOmm的陶瓷圆柱体，其中PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0078](5)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在1120~1220°C下以3°C /min的速率升温并保温4h，随后以2°C /min的速度冷却至室温，并将烧结成瓷的样品表面抛光，得到低介电常数微波介质陶瓷。
[0079]第一次球磨与第二次球磨均是在球磨机中进行中，在进行球磨的过程中，均加入氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，其中，待研磨的物料与氧化锆球的质量比为1: 1.2，待研磨的物料与无水乙醇的质量比1: 1.5。第一次球磨或第二次球磨进行时的转速为300~400r/min，球磨的时间为16~24h。步骤⑵或步骤(3)中烘干的温度为80~120°C。步骤⑵高温煅烧的温度为1200°C，高温煅烧的时间为2~4h。
[0080]本实施例制得的微波介质陶瓷的XRD图谱如图1中的(e)所示，本实施例制得的微波介质陶瓷的SEM图谱如图3所示。
[0081]实施例6
[0082]一种低介电常数微波介质陶瓷，其配方组成为:
[0083]0.8 (Mg0 4Zn0 6) 2Si04-0.2CaTi03 ；[0084]该低介电常数微波介质陶瓷的介电常数为6~10，QXf > 40000GHz，谐振频率温
度系数在一定范围内可调。
[0085]一种低介电常数微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤:
[0086](I)原料选取:选取纯度大于99.9%的MgO、ZnO、SiO2, CaCO3> TiO2作为制备低介电常数微波介质陶瓷的原料；
[0087](2)制备(Mg0.4Zn0.6) 2Si04 与 CaTiO3 粉料:
[0088]按照(Mga4Zna6)2SiO4的配方组成称量原料MgO、ZnO及SiO2配成第一组混合原料，按照CaTiO3的配方组成称量原料CaCO3与TiO22配成第二组混合原料，将两组混合原料分别进行第一次球磨，烘干后，高温煅烧，两组混合原料分别反应，得到(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3 粉料；
[0089](3)制备 0.8 (Mg0.4Zn0.6) 2Si04_0.2CaTi03 混合粉料:[0090]将合成的粉料(Mga4Zna 6)讲04及CaTiO3按照摩尔比0.8: 0.2称料混合，进行第二次球磨，之后烘干，得到0.8 (Mga4Zna6)2SiO4-0.2CaTi03混合粉料；
[0091](4)在制备的0.8 (Mga4Zna6)2SiO4-0.2CaTi03混合粉料中加入浓度为8被％的PVA溶液并在80MPa压力下压制成直径为Ilmm的陶瓷圆柱体，其中PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0092](5)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在1120°C下以4°C /min的速率升温并保温3h，随后以3°C /min的速度冷却至室温，并将烧结成瓷的样品表面抛光，得到低介电常数微波介质陶瓷。
[0093]第一次球磨与第二次球磨均是在球磨机中进行中，在进行球磨的过程中，均加入氧化锆球及无水乙醇作为研磨介质，其中，待研磨的物料与氧化锆球的质量比为1: 1.3，待研磨的物料与无水乙醇的质量比1: 1.2。第一次球磨或第二次球磨进行时的转速为300r/min，球磨的时间为24h。步骤(2)或步骤(3)中烘干的温度为80°C。步骤(2)高温煅烧的温度为1200°C，高温煅烧的时间为4h。
[0094]实施例7
[0095]一种低介电常数微波介质陶瓷，其配方组成为:
[0096]0.95 (Mg0 4Zn0 6) 2Si04_0.05CaTi03 ；
[0097]该低介电常数微波介质陶瓷的介电常数为6~10，QXf > 40000GHz，谐振频率温
度系数在一定范围内可调。
[0098]一种低介电常数微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤:
[0099](I)原料选取:选取纯度大于99.9%的MgO、ZnO、SiO2, CaCO3> TiO2作为制备低介电常数微波介质陶瓷的原料；
[0100](2)制备(Mg0.4Zn0.6) 2Si04 与 CaTiO3 粉料:
[0101]按照(Mga4Zna6)2SiO4的配方组成称量原料MgO、ZnO及SiO2配成第一组混合原料，按照CaTiO3的配方组成称量原料CaCO3与TiO22配成第二组混合原料，将两组混合原料分别进行第一次球磨，烘干后，高温煅烧，两组混合原料分别反应，得到(Mga4Zna6)2SiO4与CaTiO3 粉料；
[0102](3)制备 0.95 (Mga4Zna6)2SiO4-0.05CaTiO3 混合粉料:
[0103]将合成的粉料(Mga4Zna6)讲04及CaTiO3按照摩尔比0.95: 0.05称料混合，进行第二次球磨，之后烘干，得到0.95 (Mga4Zna6)2SiO4-0.05CaTi03混合粉料；
[0104](4)在制备的0.95 (Mga4Zna6)2SiO4-0.05CaTi03混合粉料中加入浓度为10被％的PVA溶液并在120MPa压力下压制成直径为12mm的陶瓷圆柱体，其中PVA溶液占混合粉料与PVA溶液总质量的5% ；
[0105](5)烧结成瓷:将压制好的陶瓷圆柱体在1240°C下以5°C /min的速率升温并保温4h，随后以4°C /min的速度冷却至室温，并将烧结成瓷的样品表面抛光，得到低介电常数微波介质陶瓷。
[0106]第一次球磨与第二次球磨均是在球磨机中进行中，在进行球磨的过程中，均加入氧化锆球及无水乙 醇作为研磨介质，其中，待研磨的物料与氧化锆球的质量比为1: 1.5，待研磨的物料与无水乙醇的质量比1: 1.2。第一次球磨或第二次球磨进行时的转速为400r/min，球磨的时间为16h。步骤⑵或步骤(3)中烘干的温度为100°C。步骤⑵高温煅烧的温度为1200°C，高温煅烧的时间为3h。