专利摘要： 本发明提供了一种BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷的制备方法，包括以下步骤将BaCl2·2H2O、CaCl2、ZrOCl2·8H2O以及CuCl2溶水中配成混合溶液A，搅拌混合溶液A、静置；将TiCl4及NaOH加入至步骤1）中的混合溶液A中配成混合溶液B，搅拌混合溶液B至白色粘稠状，得到水热反应的前驱物；将前驱物移入水热釜中反应；待反应结束，水热釜温度降至室温后，取出水热釜，将水热釜中的产物洗涤后，再干燥，得到巨介电陶瓷粉体；将BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷粉体通过去离子水洗涤、沉淀；将成型后的坯体在马弗炉中进行微波烧结，得到BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷。本发明与传统CCTO巨介电材料相比，其制备工艺简单，容易合成，大大缩短了烧结时间，提高了生产效率。

专利摘要： 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法，它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高，不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题，本方法如下制备溶液F，溶胶E；制备溶胶D；制备钛酸铅镧钙溶胶；制备锆钛酸钡钙溶胶；在基底上制备种子层薄膜，在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶，热分解，晶化处理，即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构，表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入，在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构，表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。

专利摘要：