专利摘要： 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。

专利摘要： 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法，它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高，不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题，本方法如下制备溶液F，溶胶E；制备溶胶D；制备钛酸铅镧钙溶胶；制备锆钛酸钡钙溶胶；在基底上制备种子层薄膜，在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶，热分解，晶化处理，即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构，表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入，在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构，表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。