专利摘要： 本发明涉及一种微晶玻璃晶化设备，尤其涉及一种电热式平板微晶玻璃多层晶化窑。一种电热式平板微晶玻璃多层晶化窑，包括至少两条完整的呈隧道式的平板微晶玻璃晶化窖，所述的一条平板微晶玻璃晶化窖对应叠加设置在另一条平板微晶玻璃晶化窖上，所述两条平板微晶玻璃晶化窖之间设有导热层。由于晶化窑在作业过程中产生大量的热量，相对于现有的单层晶化窑，本发明中相叠的多层晶化窑之间设置的导热层能实现层与层之间热量的重复利用，大大节省了能耗，节约生产空间，并降低生产线建设成本，改善员工的工作环境。

专利摘要： 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法，它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高，不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题，本方法如下制备溶液F，溶胶E；制备溶胶D；制备钛酸铅镧钙溶胶；制备锆钛酸钡钙溶胶；在基底上制备种子层薄膜，在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶，热分解，晶化处理，即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构，表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入，在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构，表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。