专利摘要： 本发明公开了一种锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜的制备方法，该锆钛酸钡钙的化学通式为(1-x)Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3。应用溶胶凝胶法制备不同成分的锆钛酸钡钙溶胶，依次在Pt/Ti/SiO2衬底上通过旋涂法涂覆，制备BZT-xBCT梯度厚膜，经过热处理后得到无铅锆钛酸钡钙梯度厚膜。该方法简单可靠，工艺重复性好，可操作性强。本发明制备的锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜无孔隙、无裂纹、均匀度一致，兼具薄膜与体材料的优点，可与半导体工艺兼容。

专利摘要： 本发明提供了一种用于厚膜工艺的介质浆料，由75wt％～93wt％的无机粉体与7wt％～25wt％的有机物制备而成；所述有机物包括5wt％～20wt％的溶剂，0.5wt％～3wt％的粘接剂，0.5wt％～4wt％的增塑剂，0.1wt％～0.5wt％的表面活性剂；所述无机粉体为陶瓷粉与玻璃粉中的一种或两种。本申请通过在介质浆料中添加无机粉体、溶剂、粘接剂、增塑剂与表面活性剂，上述各种组分相互配合、相互作用，使介质浆料具有较好的粘度与介电常数。本申请还提供了一种用于厚膜工艺的介质浆料的制备方法。实验结果表明，本发明提供的用于厚膜工艺的介质浆料的粘度最高可达280Pa.s，介电常数最高可达65。

专利摘要： 本发明公开了提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法，包括：(1)在高真空环境中对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤，加热和抽真空同步进行，将水汽完全挥发和抽掉；(2)在高真空环境下，用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺，在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择性地形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜，在氮化铝陶瓷基片的背面整体形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜；(3)在已形成复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片正面进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻，进行常规混合集成，即得到附着力较高的氮化铝陶瓷基片。用本法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于高可靠装备系统领域。