专利摘要：

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专利摘要： 本发明公开了一种低烧结温度钛酸钡基陶瓷电容器介质的制备方法，先将NiO和Nb2O5按重量比为74.7:265.8配料，于800～1000℃烧结，制得NiNb2O6；再将MnCO3和Nb2O5按重量比为114.9:265.8配料，于800～1000℃烧结，制得MnNb2O6；再将BaCO3、CuO和B2O3配料，于700～850℃烧结，制得BaCuB2O5。按BaTiO3为100g计，与0.8～2.5g的NiNb2O6、0.15～0.6g的MnNb2O6、1～10g的BaCuB2O5及0.5g的Gd2O3，配制电容器介质的粉料；压制生坯后，于850～950℃烧结。本发明的烧结温度由1280℃降至850～950℃，实现了与纯银内电极共烧，并获得较高的介电常数（ε≥1800）和很低的介电损耗（tgδ≤0.013），且成本较低、烧结条件简单、配方可控、不含有害物质，具有良好的应用前景。

专利摘要： 本发明公开了一种采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法，通过将传统固相工艺法获得的钛酸钡基介质材料进行退火，退火温度为1000℃～1100℃，退火时间为1～8h，最终获得性能优异的超宽温稳定型钛酸钡基介质材料。本发明显著提高了钛酸钡基介质材料的介电常数以及高温段（150℃-310℃）介电常数的稳定性；具有优异的介电性能εr≥1600，绝缘电阻率大于1011Ω·cm，-55℃～310℃范围内电容量变化率ΔC/C20℃≤±15%，tanδ≤2%。

专利摘要： 本发明公开了一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。BaTiO3粉末和TiO2粉末按摩尔比1:1混合烘干后用压片机压片；将压片放入电弧熔炼设备进行熔炼得到块体；然后破碎得到粒径10微米以下的二钛酸钡粉体；将粉体放入石墨模具然后移入FCT电场活化烧结炉中，施加40-60MPa的轴向压力并以95-105℃/min的升温速率升至1100℃，然后以8-12℃/min升温至1150℃，保温20-30min，降温、卸除压力并随炉冷却，最终得到物相为BaTi2O5、致密度为90％-95％的二钛酸钡陶瓷靶材。与现有BaTi2O5靶材制备方法相比烧结时间短、尺寸大、致密度高。

专利摘要： 本发明公开了一种锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜的制备方法，该锆钛酸钡钙的化学通式为(1-x)Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3。应用溶胶凝胶法制备不同成分的锆钛酸钡钙溶胶，依次在Pt/Ti/SiO2衬底上通过旋涂法涂覆，制备BZT-xBCT梯度厚膜，经过热处理后得到无铅锆钛酸钡钙梯度厚膜。该方法简单可靠，工艺重复性好，可操作性强。本发明制备的锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜无孔隙、无裂纹、均匀度一致，兼具薄膜与体材料的优点，可与半导体工艺兼容。

专利摘要： 一种钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述陶瓷的组分通式为(Ba1-xCax)(Ti1-yMy)O3，其中，0<x≤0.3，0<y≤0.3，M为Sn或Hf，其制备过程包括配料、混料、干燥、微波合成、造粒、成型、排胶、微波烧结、被银、极化等。本发明通过优化陶瓷成分和制备工艺，制备出的压电陶瓷致密度高、压电性能优异，与传统陶瓷制备工艺相比，在保持相同或更高压电性能的情况下，大大缩短了制备周期，节约了电能。

专利摘要： 本发明公开了一种用于变压器的钛酸钡基铁氧体磁芯材料，它包括主料和添加剂，所述的主料按照摩尔比包括：62.0-67mol的Fe2O3、15.4-20mol的氧化锰、10.1-13mol的氧化锌、0.1-0.2mol的三氧化钨、0.2-0.3mol的氧化铝、0.01-0.02mol的稀土复合导磁粉体；添加剂按照占所述铁氧体磁芯材料的重量比计包括：30-40ppm的三氟化硼、40-50ppm的三氧化二铬，本发明的铁氧体磁芯材料加入的稀土复合导磁粉体磁能积高，磁性稳定，制备方法简单，成品具有晶界电阻率高，气孔率低、晶粒大而均匀的特点。