专利摘要：

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专利摘要： 本发明公开一种超高压电力电容器瓷套的生产方法，该电力电容器瓷套包括以下原料重量组分为42-50份铝矾土、7-10份莫来石精细粉、10-15份湖北泥、10-15份山西左云泥、8-12份福建泥、13-18份长石粉。本发明的优点在于且具有良好的抗弯、抗震和抗振性能，在防渗透、耐污染和维护工作量等方面有明显优势，是超高压电力电容器的核心组成件，超高压电力电容器是超高压输变电力系统的重要设备，起到补偿无功功率、电压分压等作用，改善电力系统的电压质量、增强输电线路的输电能力和提高输电过程系统的稳定性。

专利摘要： 本发明公开了一种低烧结温度钛酸钡基陶瓷电容器介质的制备方法，先将NiO和Nb2O5按重量比为74.7:265.8配料，于800～1000℃烧结，制得NiNb2O6；再将MnCO3和Nb2O5按重量比为114.9:265.8配料，于800～1000℃烧结，制得MnNb2O6；再将BaCO3、CuO和B2O3配料，于700～850℃烧结，制得BaCuB2O5。按BaTiO3为100g计，与0.8～2.5g的NiNb2O6、0.15～0.6g的MnNb2O6、1～10g的BaCuB2O5及0.5g的Gd2O3，配制电容器介质的粉料；压制生坯后，于850～950℃烧结。本发明的烧结温度由1280℃降至850～950℃，实现了与纯银内电极共烧，并获得较高的介电常数（ε≥1800）和很低的介电损耗（tgδ≤0.013），且成本较低、烧结条件简单、配方可控、不含有害物质，具有良好的应用前景。

专利摘要： 本发明公开了一种高耐压多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法，以BaTiO3粉体为基料，外加质量百分比为0.6～1.8%的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x=0.6～0.8；0.2～0.7%的(MnO)1-y(NbO2.5)y，其中y=0.4～0.6；0.5～3.5%的CaZrO3及4～7%的玻璃助熔剂。所述(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，是将NiO和Nb2O5按摩尔比1-xx/2合成；所述(MnO)1-y(NbO2.5)y化合物，是将MnCO3、Nb2O5按摩尔比1-yy/2合成；所述CaZrO3由CaCO3和ZrO2按摩尔比1∶1合成。本发明主要通过锆酸钙的添加，有效改善了陶瓷微观结构，其耐压值达到13kv/mm以上；在-55℃～150℃温区内，电容量变化率在±15%以内，且具有较高的室温介电常数（～3000）和较低介电损耗（tanδ<1.0%）。

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专利摘要： 本发明公开了一种陶瓷电容器的制造方法及其使用的陶瓷电容器瓷料，该方法的步骤如下按如下组份和各组份质量百分比备料电子级钛白粉58%；三氧化钨3%；莹石2%；石英熔块30%；膨润土5%；碳酸钡1%；氧化锌1%；将各组份混合均匀，投入球磨机中加入纯净水球磨；将球磨后的料放入浆池搅拌均匀；然后经过过滤、除铁、杂质处理，然后抽入榨泥机压滤，压滤后泥料烘干造粒，通过50T液压机压坯成型，成型坯精车，检验白坯合格品；将检验的合格品经过高温炉烧成瓷，然后后期处理，接着包装成最终产品。本发明方法能够缩短生产周期，提高瓷料的利用率，节约了能源和劳动成本，并且制作的陶瓷电容器介电性能优良。

专利摘要： 本发明公开了一种中温烧结多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.3～0.6％的Na0.5Bi0.5TiO3；0.6～1.5％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；1.0～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂；所述Na0.5Bi0.5TiO3，是将Na2CO3、Bi2O3和TiO2按摩尔量比为1:1:4合成。本发明通过钛酸铋钠及玻璃助熔剂的添加，可有效促进烧结过程中的传质，从而降低了烧结温度，实现了低于1150℃的中温烧结；具有优良的介电性能在-55℃～150℃温区内，电容量变化率在±12％以内，且具有较高的室温介电常数(～2700)。

专利摘要： 本发明公开了一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.4～0.6％的MnCO3；0.6～1.8％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.5～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂；所述(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，是将NiO和Nb2O5按摩尔比1-xx/2，其中x＝0.6～0.8合成。本发明通过碳酸锰的添加，可有效改善了陶瓷微观结构，提升了陶瓷的介电性能，降低了介电损耗，室温损耗值达到0.5％以下(tanδ<0.5％)；本发明具有优良的介电性能在-55℃～150℃温区内，电容量变化率在±15％以内，且具有较高的室温介电常数(～2700)。

专利摘要： 本发明公开了一种高介电常数高温度稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法。其组成包含基质成分和掺杂成分，基质成分为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3-(1-x)BaTiO3，x＝0.18；掺杂的Bi2O3占基质成分质量分数的10％～20％，Nb2O5占基质成分质量分数的2％～3％。通过掺杂Nb2O5和Bi2O3使Bi(Zn2/3Nb1/3)O3-BaTiO3体系电容器陶瓷材料烧结温度不超过1050℃，介温谱在-35～200℃容温变化率在±250ppm之间，介电常数保持在650以上，增大了材料的介电常数同时保持了高的温度稳定性，具有较小的电容温度系数。且相比于其他含稀土类的的体系，其成本已经相当低廉。

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专利摘要： 本发明公开了一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，外加质量百分比为0.4～0.6％的MnCO3；0.6～1.8％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.5～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂。首先合成(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，再合成CaZrO3及合成玻璃助熔剂；再经过配料、造粒、成型、排胶后，于1140℃烧结，再于980℃～1050℃退火，获得性能优异的低损耗多层陶瓷电容器介质材料。本发明通过退火处理，降低了介电损耗，tanδ<0.5％；在-55℃～150℃温区内，电容量变化率在±15％以内，且具有较高的室温介电常数(～2900)；实现了中温烧结，并配合Ag-Pd电极使用，利于工业化生产。

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专利摘要： 本发明主要用于电子元器件的陶瓷材料【技术领域】，涉及到一种用于多层陶瓷电容器的介质材料，由基质组分和掺杂组分组成，基质组分的化学表达式为(1-x)BaTiO3-x(Na1/4Bi3/4)(Mg1/4Ti3/4)O3，掺杂组分的化学表达式为yNb2O5，所述用于多层陶瓷电容器的介质材料的化学表达式为(1-x)BaTiO3-x(Na1/4Bi3/4)(Mg1/4Ti3/4)O3-yNb2O5，x＝0.01～0.3，y＝0～0.05且不为零。本发明所述介质材料能够满足宽温高稳定的X8R、X9R特性，且制备时烧结温度低。