专利摘要： 本发明公开了一种中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn0.84Ni0.16TiNb2O8-0.18TiO2；先将ZnO、NiO、Nb2O5和TiO2分别按化学计量比称量配料，球磨罐、烘干、过筛后于810℃煅烧，合成前驱体；再将前驱体压制成坯体，于1040～1120℃烧结，制成中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料。本发明的介电常数为40～46，品质因数为37,000～39,500GHz，谐振频率温度系数为-17～20×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。

专利摘要： 本发明属于软磁铁氧体材料领域，具体公开一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成，所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4～54.3mol%、ZnO2～13mol％和MnO余量；按主成分总重量计的副成分为SiO2100～250ppm、CaCO3150～1600ppm、Nb2O550～500ppm、TiO2200～1500ppm和SnO2200～6000ppm，其中副成分TiO2和SnO2的含量比以氧化物计算为TiO2SnO2=1（1-4）。本发明还提供了一种MnZn铁氧体制备方法，其中烧结工序中第二升温阶段从700℃至保温温度的氧分压浓度为2%以下。通过上述方式，本发明实现了电子器件的节能化，使损耗得到较大幅度的改善，提高了可靠性。

专利摘要： 本发明公开了一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成，所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4～54.3mol%、ZnO2～13mol%和MnO余量；按主成分总重量计的副成分为SiO2100～250ppm、CaCO3150～1500ppm、Nb2O550～500ppm、TiO2200～1500ppm、SnO2200～5000ppm和Co2O33000～5000ppm。本发明还提供了一种宽温低损耗MnZn铁氧体制备方法，其中烧结工序中从700℃至保温温度的氧分压浓度为1.5%以下。通过上述方式，本发明实现了在较宽温度范围内的低损耗。

专利摘要： 本发明公开了一种中温烧结温度稳定型低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ca0.45Zn0.55TiNb2O8，采用化学原料ZnO、CaO、Nb2O5和TiO2，于850℃煅烧，合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明使用Ca2+离子对Zn2+离子进行取代，改变了材料的物相组成。本发明的烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～40，品质因数为42,000～51,500GHz，谐振频率温度系数为-10～11×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。

专利摘要： 本发明公开了一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1～4)wt％B2O3，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5和TiO2，于900～940℃烧结。本发明在ZnTiNb2O8系陶瓷的基础上，使用B2O3做为烧结助剂，提供一种低温烧结的低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，并同时保持了相对较好的介电性能。其烧结温度为900～940℃，介电常数为30～36，品质因数为32,100～39,500GHz，谐振频率温度系数为-32～-39×10-6/℃。此外，本发明的制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。

专利摘要： 本发明公开了一种低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成，主成分及含量以氧化物计算为Fe2O353～55mol%、ZnO6～8mol％、MnO35～37mol％及NiO1～4mol%；按主成分总重量计的副成分为SiO2100～250ppm、CaCO3150～1600ppm、Nb2O550～500ppm、ZrO2?50～300ppm、SnO2200～6000ppm和Co2O3500～2000ppm。本发明低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法具有以下优点设计合理，同时可以利用现有的生产设备就能够实现磁芯低损耗及饱和磁通密度的提高，具有良好的直流叠加特性和储能特性。

专利摘要： 本发明公开了一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.4～0.6％的MnCO3；0.6～1.8％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.5～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂；所述(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，是将NiO和Nb2O5按摩尔比1-xx/2，其中x＝0.6～0.8合成。本发明通过碳酸锰的添加，可有效改善了陶瓷微观结构，提升了陶瓷的介电性能，降低了介电损耗，室温损耗值达到0.5％以下(tanδ<0.5％)；本发明具有优良的介电性能在-55℃～150℃温区内，电容量变化率在±15％以内，且具有较高的室温介电常数(～2700)。

专利摘要：

专利摘要： 本发明公开了一种低损耗锰锌铁氧体材料及其制备方法，其原料包括Fe2O3、ZnO、MnO、SiO2、CaCO3、Nb2O5、Co2O3、V2O5、TiO2、CuO、ZrO、Li2CO3，其中Fe2O3MnOZnO的摩尔比为(51～56)(32～36)(8～13)，以Fe2O3、ZnO、MnO三者质量和为基准，SiO2、CaCO3、Nb2O5、Co2O3、V2O5、TiO2、CuO、ZrO、Li2CO3的质量分数分别为20～100ppm、100～800ppm、0～500ppm、100～3000ppm、100～500ppm、0～2400ppm、100～500ppm、100～500ppm、0～500ppm；在制备过程中，在称取各原料后，通过混合、振磨、整形、预烧、粉碎、制浆、制粉、调湿、成型、烧结、研磨多工艺步骤的相互配合，得到铁氧体材料。

专利摘要： 本发明公开了一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，外加质量百分比为0.4～0.6％的MnCO3；0.6～1.8％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.5～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂。首先合成(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，再合成CaZrO3及合成玻璃助熔剂；再经过配料、造粒、成型、排胶后，于1140℃烧结，再于980℃～1050℃退火，获得性能优异的低损耗多层陶瓷电容器介质材料。本发明通过退火处理，降低了介电损耗，tanδ<0.5％；在-55℃～150℃温区内，电容量变化率在±15％以内，且具有较高的室温介电常数(～2900)；实现了中温烧结，并配合Ag-Pd电极使用，利于工业化生产。

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专利摘要： 本发明提出了一种低损耗功率旋磁材料及其制备方法。该旋磁材料由下列重量份的原料组成：Bi2O315-20份，V2O54-8份，Gd2O315-20份，In2O35-9份，CaCO313-17份，Al(OH)30.2-1.5份，Fe2O330-35份，SnO21-2.5份，与现有技术相比，本发明的有益效果是，本发明中制备方法制备的低损耗功率旋磁材料(BiCaV材料)不使用Y(氧化钇)，节约使用了稀土资源，而且具有低磁矩、低△H、高居里温度等优点，还具有烧结温度低，能耗小的优点。