早鸽—汇聚行业精英
  • 联系客服
  • 帮助中心
  • 投诉举报
  • 关注微信
400-006-1351
您的问题早鸽都有答案
3000+专业顾问
搜索
咨询

一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法

  • 专利名称
    一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
  • 发明者
    高庞, 李思秋, 陶佳栋, 张建明, 王育伟, 张维
  • 公开日
    2014年7月16日
  • 申请日期
    2014年3月13日
  • 优先权日
    2014年3月13日
  • 申请人
    苏州天源磁业有限公司
  • 文档编号
    C04B35/26GK103922715SQ201410090307
  • 关键字
  • 权利要求
    1.一种低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和副成分组成,其特征在于,所述主成分及含量以氧化物计算为Fe203 52.4~54.3mol%、ZnO 2~13mol%和MnO余量;按主成分总重量计的副成分为Si02 1 00 ~250ppm、CaCO3 150 ~1600ppm、Nb2O5 50 ~500ppm、TiO2200 ~1500ppm 和 SnO2 200 ~6000ppm2.根据权利要求1所述的低损耗MnZn铁氧体材料,其特征在于,所述的副成分TiO2和SnO2的含量比以氧化物计算为=TiO2 =SnO2=1(1_4)3.根据权利要求2所述的低损耗MnZn铁氧体材料,其特征在于,所述的副成分TiO2和SnO2含量比以氧化物计算为Ti02SnO2=124.根据权利要求1-3任 一所述的低损耗MnZn铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述的制备方法依次包括下述步骤 (1)称取主成分原料进行湿式混合,得到粉料; (2)将步骤(1)得到的粉料进行预烧,得到预烧料; (3)在步骤(2)得到的预烧料中加入副成分原料进行湿式砂磨处理,得到料浆; (4)在步骤(3)得到的料浆中加入粘结剂进行喷雾造粒并成型,得到成型体; (5)将步骤(4)得到的成型体在控制氧分压的条件下、于保温温度下烧结,然后在氮气保护下冷却至室温,其中烧结分为第一升温阶段和第二升温阶段,所述第一升温阶段由室温升高到700°C,所述第二升温阶段由700°C升高到保温温度5.根据权利要求4所述的低损耗MnZn铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述的保温温度为1200~1350°C,烧结时间为0.5~8小时6.根据权利要求4所述的低损耗MnZn铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述第二升温阶段从700°C升高到保温温度的氧分压浓度为2%以下
  • 技术领域
    [0001]本发明涉及软磁铁氧体材料领域,具体涉及一种MnZn铁氧体材料及其制备方法,尤其涉及一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
  • 具体实施方式
    [0013]下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定
  • 专利摘要
    本发明属于软磁铁氧体材料领域,具体公开一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成,所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4~54.3mol%、ZnO2~13mol%和MnO余量;按主成分总重量计的副成分为SiO2100~250ppm、CaCO3150~1600ppm、Nb2O550~500ppm、TiO2200~1500ppm和SnO2200~6000ppm,其中副成分TiO2和SnO2的含量比以氧化物计算为TiO2SnO2=1(1-4)。本发明还提供了一种MnZn铁氧体制备方法,其中烧结工序中第二升温阶段从700℃至保温温度的氧分压浓度为2%以下。通过上述方式,本发明实现了电子器件的节能化,使损耗得到较大幅度的改善,提高了可靠性。
  • 发明内容
  • 专利说明
    一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
  • 专利详情
  • 全文pdf
  • 权力要求
  • 说明书
  • 法律状态
一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法[0002]伴随着便携式移动电子设备的普及,多媒体通信、数字网络的高速发展,以及电磁兼容和抗电磁干扰等领域的需求,目前对功率MnZn铁氧体材料提出了更高更新的要求。随着电子元器件的节能化,希望功率MnZn铁氧体的损耗越低越好。低损耗MnZn铁氧体的制备,除选用合适的主配方设计外,合适的微量添加物及其组合也是十分重要的。[0003]中国专利申请(CN02137639.5)、(CN200510033612.1)、(CN200610022471.8)、(CN200910133729.5)、(CN201110260074.5)、(CN201110385076.7)等通过选择主配方组成、添加剂设计和组合来降低MnZn铁氧体的损耗,但没有对TiO2和SnO2的组合添加进行详细研究。现有的组合添加对降低损耗不够显著。
[0004]本发明主要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法,经过该方法得到的MnZn功率铁氧体,其损耗能够得到较大幅度的改善,并实现电子器件的节能化,提高可靠性。[0005]为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和副成分组成,所述主成分及含量以氧化物计算为=Fe2O3 52.4~54.3mol%, ZnO 2~13mol %和MnO余量;按主成分总重量计的副成分为:SiO2 100~250ppm、CaCO3 150 ~1600ppm、Nb2O5 50 ~500ppm、TiO2 200 ~1500ppm 和 SnO2 200 ~6000ppmo[0006]在本发明一个较佳实施例中,所述的副成分TiO2和SnO2的含量比以氧化物计算为=TiO2 =SnO2=1:(1-4)。[0007]在本发明一个较佳实施例中,所述的副成分TiO2和SnO2含量比以氧化物计算为:TiO2:SnO2=1:2。
[0008]本发明采用的另一个技术方案是:提供一种低损耗MnZn铁氧体材料的制备方法,所述的制备方法依次包括下述步骤:
(1)称取主成分原料进行湿式混合,得到粉料,
(2)将步骤(1)得到的粉料进行预烧,得到预烧料,
(3)在步骤(2)得到的预烧料中加入副成分原料进行湿式砂磨处理,得到料浆,
(4)在步骤(3)得到的料浆中加入粘结剂进行喷雾造粒并成型,得到成型体,
(5)将步骤(4)得到的成型体在控制氧分压的条件下、于保温温度下烧结,然后在氮气保护下冷却至室温,其中:烧结分为第一升温阶段和第二升温阶段,所述第一升温阶段由室温升高到700°C,所述第二升温阶段由700°C升高到保温温度。[0009]在本发明一个较佳实施例中,所述的保温温度为1200~1350°C,烧结时间为
0.5~8小时。
[0010]在本发明一个较佳实施例中,所述第二升温阶段从700°C升高到保温温度的氧分压浓度为2%以下。
[0011]本发明的有益效果是:本发明通过限制材料主成分、副成分组成特别是副成分TiO2和SnO2的用量和比例,配合适当的烧结工艺,实现了所提供的铁氧体磁心,在100°C下的损耗在250 kff/m3以下(测试条件:100kHz/200mT)。
[0012]与现有技术相比,本发明具有以下优点:
副成分TiO2和SnO2等都为市面上普通的化工原料,不需要采用高纯的添加剂。同时可以利用现有的生产设备就能够实现磁心损耗的降低。低磁心损耗可以提高器件的能量转换效率,减少发热,实现了电子器件的节能化,提高了可靠性。

[0014]实施例1
将由53.0mo 1%的Fe2O3,8.0mo 1%的Zn0,39.0mo 1%的MnO组成的原材料在砂磨机中混合I小时,然后在850°C下预烧2小时。以预烧后的粉料质量为基准,在上述预烧料中加入辅助成分,添加的辅助成分(wt%)是:150ppm的SiO2, 1000ppm的CaCO3,400ppm的Nb2O5,300ppm的TiO2和600ppm的Sn02。然后进行二次砂磨2小时,加入PVA后进行喷雾造粒,成型为Φ25的标准环形磁心样品。烧结过程中,第一个升温阶段,该阶段先从室温升高到700°C,升温速率为2°C /分钟,升温在大气气氛中进行;再从700°C升到1200°C,升温速率为1.(TC /分钟,该升温阶段的氧分压维持在0.5% ;第二个升温阶段,该阶段从1200°C升高到1300°C,升温速率为5°C /分钟,升温阶段的氧分压维持在0.5% ;在1300°C下保温5小时,氧分压维持在6% ;最后在维持平衡氧分压下冷却至室温。
[0015]用CH2335型损耗测试仪在100kHz/200mT、100°C下测试样品的损耗,结果为234
kff/m3 。
[0016]比较例I
与实施例1相同,只是把辅助成分SnO2的添加量改为7000ppm。用CH2335型损耗测试仪在100kHz/200mT、100°C下测试样品的损耗,结果为318 kW/m3。
[0017]实施例2
将由52.7mol%的Fe2O3, llmol%的Zn0,36.3mol%的MnO组成的原材料在砂磨机中混合I小时,然后在850°C下预烧2小时。以预烧后的粉料质量为基准,在上述预烧料中加入辅助成分,添加的辅助成分(wt%)是:120ppm的SiO2,1200ppm的CaCO3, 300ppm的Nb2O5,400ppm的TiO2和1600ppm的Sn02。然后进行二次砂磨2小时,加入PVA后进行喷雾造粒,成型为Φ25的标准环形磁心样品。烧结过程中,第一个升温阶段,该阶段先从室温升高到700°C,升温速率为2°C /分钟,升温在大气气氛中进行;再从700°C升到1200°C,升温速率为1.(TC /分钟,该升温阶段的氧分压维持在0.5% ;第二个升温阶段,该阶段从1200°C升高到1300°C,升温速率为5°C /分钟,升温阶段的氧分压维持在0.5% ;在1300°C下保温5小时,氧分压维持在6% ;最后在维持平衡氧分压下冷却至室温。
[0018]用CH2335型损耗测试仪在100kHz/200mT、100°C下测试样品的损耗,结果为243
kff/m3 ο
[0019]比较例2
与实施例2相同,只是把主成分改为52.0mo 1%的Fe2O3,14.0mo 1%的ZnO, 34.0mo 1%的MnO0用CH2335型损耗测试仪在100kHz/200mT、100°C下测试样品的损耗,结果为413 kff/m3。
[0020]实施例3
将由54.5mol%的Fe2O3, 2.0mo 1%的Zn0,43.5mol%的MnO组成的原材料在砂磨机中混合I小时,然后在850°C下预烧2小时。以预烧后的粉料质量为基准,在上述预烧料中加入辅助成分,添加的辅助成分(wt%)是:100ppm的Si02,800ppm的CaCO3, 250ppm的Nb2O5,500ppm的TiO2和1000ppm的Sn02。然后进行二次砂磨2小时,加入PVA后进行喷雾造粒,成型为Φ25的标准环形磁心样品。烧结过程中,第一个升温阶段,该阶段先从室温升高到700°C,升温速率为2°C /分钟,升温在大气气氛中进行;再从700°C升到1200°C,升温速率为1.(TC /分钟,该升温阶段的氧分压维持在1.5% ;第二个升温阶段,该阶段从1200°C升高到1330°C,升温速率为5°C /分钟,升温阶段的氧分压维持在1.5% ;在1330°C下保温3小时,氧分压维持在VA ;最后在维持平衡氧分压下冷却至室温。
[0021]用CH2335型损耗测试仪在100kHz/200mT、100°C下测试样品的损耗,结果为246
kff/m3 ο
[0022]比较例3
与实施例3相同,只是把从700°C至1330°C保温段的氧分压改为10%。用CH2335型损耗测试仪在100kHz/200mT、100°C下测试样品的损耗,结果为359 kW/m3。
[0023]本发明揭示了一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法,通过限制材料主成分、副成分组成特别是副成分TiO2和SnO2的用量和比例,配合适当的烧结工艺,使MnZn功率铁氧体的损耗得到较大幅度的改善,实现电子器件的节能化,提高可靠性。
[0024]以上所述仅 为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的【技术领域】,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

查看更多专利详情