专利摘要：

专利摘要： 本发明属于软磁铁氧体材料领域，具体公开一种低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成，所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4～54.3mol%、ZnO2～13mol％和MnO余量；按主成分总重量计的副成分为SiO2100～250ppm、CaCO3150～1600ppm、Nb2O550～500ppm、TiO2200～1500ppm和SnO2200～6000ppm，其中副成分TiO2和SnO2的含量比以氧化物计算为TiO2SnO2=1（1-4）。本发明还提供了一种MnZn铁氧体制备方法，其中烧结工序中第二升温阶段从700℃至保温温度的氧分压浓度为2%以下。通过上述方式，本发明实现了电子器件的节能化，使损耗得到较大幅度的改善，提高了可靠性。

专利摘要： 本发明公开了一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成，所述主成分及含量以氧化物计算为Fe2O352.4～54.3mol%、ZnO2～13mol%和MnO余量；按主成分总重量计的副成分为SiO2100～250ppm、CaCO3150～1500ppm、Nb2O550～500ppm、TiO2200～1500ppm、SnO2200～5000ppm和Co2O33000～5000ppm。本发明还提供了一种宽温低损耗MnZn铁氧体制备方法，其中烧结工序中从700℃至保温温度的氧分压浓度为1.5%以下。通过上述方式，本发明实现了在较宽温度范围内的低损耗。

专利摘要： 本发明公开了一种低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成，主成分及含量以氧化物计算为Fe2O353～55mol%、ZnO6～8mol％、MnO35～37mol％及NiO1～4mol%；按主成分总重量计的副成分为SiO2100～250ppm、CaCO3150～1600ppm、Nb2O550～500ppm、ZrO2?50～300ppm、SnO2200～6000ppm和Co2O3500～2000ppm。本发明低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法具有以下优点设计合理，同时可以利用现有的生产设备就能够实现磁芯低损耗及饱和磁通密度的提高，具有良好的直流叠加特性和储能特性。

专利摘要： 本发明公开了一种高阻抗MnZn铁氧体材料及制备方法，其材料由主成分和辅助成分组成，特征在于，按摩尔百分比，以氧化物计算，主成分包括52.0-54.0mol％Fe2O3，24.0-26.0mol％MnO和20.0-22.0mol％ZnO；按重量百分比，以氧化物计算，基于所述主成分的总重量，辅助成分包括0.01wt％-0.08wt％MoO3，0.01wt％-0.08wt％CaCO3，0.01wt％-0.08wt％V2O5中的至少一种；具有高阻抗、低能耗且高起始磁导率的特性。

专利摘要：

专利摘要： 本发明公开了一种具有高频高阻抗MnZn铁氧体材料，由主成分和辅助成分组成，其特征在于，按摩尔百分比，以氧化物计算，主成分包括46.0-54.0mol％Fe2O3，25.0-27.0mol％MnO和19.0-21.0mol％ZnO；按重量百分比，以氧化物计算，基于所述主成分的总重量，辅助成分包括0.03wt％-0.08wt％TiO3，0.03wt％-0.08wt％CaCO3，0.03wt％-0.08wt％V2O5中的至少一种；具有在100MHz时，大于200·Ωm的直流电阻率、25℃的居里温度和≥7000的起始磁导率。