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低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法。该材料由主成分和副成分组成,主成分及含量以氧化物计算为Fe2O353~55mol%、ZnO6~8mol%、MnO35~37mol%及NiO1~4mol%;按主成分总重量计的副成分为SiO2100~250ppm、CaCO3150~1600ppm、Nb2O550~500ppm、ZrO2?50~300ppm、SnO2200~6000ppm和Co2O3500~2000ppm。本发明低损耗高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法具有以下优点设计合理,同时可以利用现有的生产设备就能够实现磁芯低损耗及饱和磁通密度的提高,具有良好的直流叠加特性和储能特性。 -
高饱和磁通、高直流叠加、低损耗的软磁材料及其制备方法
专利
胡娟
金牌知产顾问
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