专利名称：倾斜磁场线圈以及磁共振成像装置的制作方法作为MRI装置，提出了在摄像区域中形成水平方向的磁场的水平磁场型(隧道型)的MRI装置。在该MRI装置中，在摄像区域中生成均勻的磁场的静磁场线圈(超导线圈等)被收纳在中空圆筒型容器中，在该中空圆筒型容器的内筒壁内侧(中空圆筒型容器的外部)，配置有在摄像区域中产生用于设定位置(信息)的脉冲状的磁场(倾斜磁场)的倾斜磁场线圈、和激励核自旋的RF线圈。在水平磁场型的MRI装置的摄像区域中，在静磁场线圈所生成的静磁场中插入被检体(通常为人体)，并照射RF线圈所生成的RF脉冲，由此来接收从被检体的生物体内产生的磁共振信号，取得医疗诊断用的被检体的断层图像。此时，倾斜磁场线圈具有在放置了被检体的摄像区域中，在中空圆筒型容器的轴方向(ζ轴方向)上产生线性地变化的倾斜磁场的ζ方向倾斜磁场线圈；产生在与该ζ轴垂直且与床平行的横方向(χ轴方向)上线性地变化的倾斜磁场的χ方向倾斜磁场线圈；和产生在与床垂直的纵方向(y轴方向)上线性地变化的倾斜磁场的y方向倾斜磁场线圈。倾斜磁场线圈，通过对χ轴方向用的倾斜磁场线圈以及y轴方向用的倾斜磁场线圈施加脉冲状的电流，来产生在各自的方向上倾斜的倾斜磁场，并对磁共振信号赋予被检体内的位置信息。倾斜磁场线圈在摄像区域以外也形成磁场(漏磁场)，该漏磁场使配置在周围的中空圆筒型容器产生涡流。并且，该涡流所形成的磁场有时对断层图像产生不良影响，因此为了抑制漏磁场，在倾斜磁场线圈中，除了形成倾斜磁场的主线圈之外，还设置有流过与主线圈相反方向的电流的屏蔽线圈。倾斜磁场线圈，一般按照沿着收纳静磁场线圈的中空圆筒型容器的内筒壁的方式，使与ζ轴垂直的剖面的形状成为圆形，但为了减小被检体、例如患者被插入内筒壁内时的压迫感，提出了使圆形的剖面的形状成为横长(例如，参照专利文献1)的技术方案。在专利文献1中，倾斜磁场线圈的主线圈以及屏蔽线圈的与ζ轴垂直的剖面的形状为横长的椭圆形。此外，在专利文献1中，提出了具备剖面形状为椭圆形的主线圈、和配置在该主线圈的外侧且其剖面形状为圆形的屏蔽线圈的倾斜磁场线圈。在专利文献2中，提出了倾斜磁场线圈的剖面形状为非圆形的水平磁场型的MRI 装置。该倾斜磁场线圈的主线圈，具有如下形状与ζ轴垂直的剖面的形状(剖面形状)的下半部分为扁平的圆弧，上半部分为大致正圆形的圆弧。专利文献2示出了在ζ方向上形成线性梯度的磁场的ζ方向倾斜磁场线圈的布线图案的例子，示出了在主线圈与屏蔽线圈之间的间隔较狭的上侧、和间隔较宽的下侧，布线图案的绕组密度不同的样态。(在先技术文献)(专利文献)专利文献1 JP特开2001-327478号公报专利文献2 JP特开2001-1700 号公报(发明要解决的课题)在ζ方向倾斜磁场线圈的主线圈和屏蔽线圈的剖面形状都为同心圆的圆形的情况下，主线圈和屏蔽线圈的布线图案，成为按照ζ轴贯通的方式配置的螺线管状线圈的布线图案。另一方面，如专利文献2那样，在ζ方向倾斜磁场线圈的主线圈的剖面形状为非圆形，屏蔽线圈的剖面形状为圆形的情况下，主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在较窄的区域和较宽的区域。在较窄的区域中，与较宽的区域相比，主线圈和屏蔽线圈的一方的线圈在配置了另一方的线圈的区域中形成的磁场变大。因此，仅用螺线管状线圈的布线图案无法形成主线圈和屏蔽线圈，还追加形成通过收纳静磁场线圈的中空圆筒型容器的中心(装置中心)，跨越与ζ轴垂直的剖面，且ζ轴不贯通的环状线圈。像这样，若螺线管状线圈和环状线圈混合存在，则由连接螺线管状线圈和环状线圈的布线图案的渡线产生多余的磁场。该渡线所产生的磁场随时间而变动，因此在周围的中空圆筒型容器中引起涡流，可以认为该涡流所形成的磁场对MRI装置的断层图像产生不良影响。此外，若螺线管状线圈和环状线圈混合存在，则它们的连接部分的制作性恶化。并且，若仅着眼于螺线管状线圈部分，则存在一周的电流路径不在同一平面上的情况，必须设置用于确保加工精度的机构。
因此，本发明的第1目的在于，提供一种即使主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在较窄的区域和较宽的区域，也能够不使用ζ轴不贯通的环状线圈地用螺线管状线圈构成布线图案的倾斜磁场线圈以及具备这样的倾斜磁场线圈的MRI装置。此外，本发明的第2目的在于，提供一种即使在ζ方向倾斜磁场线圈的主线圈的剖面形状为非圆形，屏蔽线圈的剖面形状为圆形的情况下(即使主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在较窄的区域和较宽的区域)，也具有主线圈在制造上容易且螺线管状线圈与环状线圈不混合存在的线圈图案的倾斜磁场线圈以及具备这样的倾斜磁场线圈的 MRI装置。(解决课题的手段)达成前述第1目的的本发明的特征在于，一种倾斜磁场线圈，具备大致螺线管状的第1线圈(主线圈)，其在磁共振成像装置的摄像区域中在轴方向上形成线性的磁场分布；和大致螺线管状的第2线圈(屏蔽线圈)，其在所述第1线圈(主线圈)的外侧，配置于在所述摄像区域中形成均勻的磁场分布的静磁场的静磁场线圈装置的内侧，抑制从所述第1线圈(主线圈)向所述静磁场线圈装置的漏磁场，所述第1线圈(主线圈)与所述第2线圈(屏蔽线圈)的间隔，在圆周方向上不同，具有第1区域(宽区域)和与所述第1区域相比所述间隔较窄的第2区域(窄区域)，在所述第1线圈(主线圈)中，通过所述第1线圈(主线圈)的中心且与所述轴方向垂直的零面侧的布线图案，在所述宽区域中远离所述零面，在所述窄区域中接近所述零面，在所述圆周方向上蜿蜒。此外，本发明的特征在于，一种具有本发明所涉及的倾斜磁场线圈、和与所述倾斜磁场线圈接近地配置的所述静磁场线圈装置的MRI装置。此外，达成前述第2目的的本发明的特征在于，一种水平磁场型的MRI装置，其具备产生静磁场的环形的静磁场线圈；在静磁场线圈的环形的开口部中移动的床装置；和生成磁场强度形成倾斜梯度的倾斜磁场的倾斜磁场线圈，倾斜磁场线圈具有在摄像区域中生成倾斜磁场的倾斜磁场主线圈(主线圈)；和抑制所生成的倾斜磁场泄露到倾斜磁场线圈的外部的倾斜磁场屏蔽线圈(屏蔽线圈)，倾斜磁场主线圈与所述倾斜磁场屏蔽线圈的间隔，被配置为在圆周方向上不同，在作为床装置的行进方向的Z轴方向上生成倾斜磁场的Z倾斜磁场主线圈，在与Z轴垂直的平面上具有其电流流路，是将该电流流路在Z轴方向上堆积而成的螺线管状线圈。(发明的效果)根据本发明的第1特征，能够提供一种即使主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在窄区域和宽区域，也能够不使用ζ轴不贯通的环状线圈地构成布线图案的倾斜磁场线圈，并且，能够提供搭载了该倾斜磁场线圈的MRI装置。此外，根据本发明的第2特征，通过使ζ倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与ζ轴垂直的面内形成的电流流路在ζ方向上堆积而成的螺线管状，能够将导体的布线简单化。此夕卜，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的Z位置固定， 因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。图IA是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图IB是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2 线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图2是本发明的第1实施方式所涉及的磁共振成像装置的立体图。图3是将本发明的第1实施方式所涉及的磁共振成像装置在包含y轴和ζ轴的平面上切断后的剖面图。图4是将本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。图5A是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的χ主线圈的布线图案的展开图的一半的图。图5B是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的χ屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。图6A是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y主线圈的布线图案的展开图的一半的图。图6B是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。图7是对比较例1的倾斜磁场线圈的ζ主线圈和ζ屏蔽线圈进行透视而记载的立体图。图8A是表示比较例1的倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的一半的图。图8B是表示比较例1的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。图9A是表示比较例2的倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的一半的图。图9B是表示比较例2的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。图IOA是对比较例2的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈进行透视而记载的立体图(其
1用ζ坐标的正负来分割环状线圈)。图IOB是对比较例2的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈进行透视而记载的立体图(其
2将环状线圈与螺线管线圈连接)。图IlA是对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第1线圈)进行透视而记载的立体图。图IlB是对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2线圈)进行透视而记载的立体图。图12A是将本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。图12B是表示本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图12C是表示本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2 线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图13A是将本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。图1 是表示本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图13C是表示本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2 线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图14A是将本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。图14B是表示本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图14C是表示本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2 线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图15A是将本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。图15B是表示本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图15C是表示本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2 线圈)的布线图案的展开图的一半的图。图16A是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图16B是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图17是表示将本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。图18A是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的χ主线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图18B是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的χ屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图19A是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y主线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图19B是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图20是表示ζ倾斜磁场线圈所形成的磁通密度ζ分量的图，(a)是本发明的第6 实施方式的ζ倾斜磁场线圈的情况，(b)是比较例2的ζ倾斜磁场线圈的情况，(c)是绘制了从摄像区域的中心部分向轴方向延伸的线段上的磁通密度的ζ分量的图。图21表示本发明的第6实施方式的ζ主线圈的布线图案的一部分，(a)是显示了在ζ方向上堆积的椭圆形电流流路的连接部的布线图案，(b)是表示ζ主线圈的导体的一部分的图。图22表示本发明的第6实施方式的ζ屏蔽线圈的布线图案的一部分，(a)是显示了在ζ方向上堆积的椭圆形电流流路的连接部的布线图案，(b)是表示ζ主线圈的导体的一部分的图。图23表示本发明的第7实施方式的ζ倾斜磁场线圈，(a)是ζ倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示ζ倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示 ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图M表示本发明的第8实施方式的ζ倾斜磁场线圈，(a)是ζ倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示ζ倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示 ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图25表示本发明的第9实施方式的ζ倾斜磁场线圈，(a)是ζ倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示ζ倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示 ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。图沈表示本发明的第10的实施方式的ζ倾斜磁场线圈，(a)是ζ倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示ζ倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是
9表示ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

在图5A中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的主线圈加的χ 主线圈9x的布线图案的θ方向的展开图的一半。S卩，在图5Α中，示出了 θ为0 π弧度的范围，但省略了 π 弧度的范围的记载。θ为π 弧度的范围的χ主线圈虹的布线图案，是将θ为0 π弧度的范围的χ主线圈虹的布线图案，以与θ为π弧度(Θ = π)的ζ轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，χ主线圈9χ具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。在图5Β中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的屏蔽线圈2b的 X屏蔽线圈IOx的布线图案的θ方向的展开图的一半。S卩，在图5Β中，示出了 θ为0 η弧度的范围，但省略了 π 弧度的范围的记载。θ为π 弧度的范围的χ屏蔽线圈IOx的布线图案，是将θ为0 π弧度的范围的χ屏蔽线圈IOx的布线图案，以与 θ为η弧度(Θ = π)的ζ轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，χ屏蔽线圈IOx具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。在图6Α中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的主线圈加的 y主线圈9y的布线图案的θ方向的展开图的一半。在图6Α中，也示出了 θ为0 π弧度的范围，而省略了 π 弧度的范围的记载。θ为π 弧度的范围的y主线圈 9y的布线图案，是将θ为0 π弧度的范围的y主线圈9y的布线图案，以与θ为π弧度(θ = π)的ζ轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，y主线圈9y具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。y主线圈9y与将χ主线圈9x在ζ轴的周围旋转了 90度后的线圈大体一致。在图6Β中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的屏蔽线圈2b的 y屏蔽线圈IOy的布线图案的θ方向的展开图的一半。在图6Β中，也示出了 θ为0 π 弧度的范围，而省略了 π 弧度的范围的记载。θ为π 弧度的范围的y屏蔽线圈IOy的布线图案，是将θ为0 π弧度的范围的y屏蔽线圈IOy的布线图案，以与θ 为η弧度(θ = π)的ζ轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，y屏蔽线圈IOy具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。y屏蔽线圈IOy与将χ屏蔽线圈IOx 在ζ轴的周围旋转90度后的线圈大体一致。像这样，χ主线圈9χ、χ屏蔽线圈10x、y主线圈9y、y屏蔽线圈IOy分别能够由4 个所构成的漩涡状的鞍型环状线圈来构成。另外，在构成漩涡状的环状线圈的多重环状线圈中，连接相邻的环状线圈间的渡线省略了图示。在图IA中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的主线圈加的 ζ主线圈(第1线圈)9z的布线图案的θ方向的展开图的一半。S卩，在图IA中，示出了 θ 为0 π弧度的范围，但省略了 π 弧度的范围的记载。θ为π 弧度的范围的ζ主线圈(第1线圈)9ζ的布线图案，是将θ为0 π弧度的范围的ζ主线圈(第1线圈)9ζ的布线图案，以与θ为π弧度(θ = π)的ζ轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，ζ主线圈(第1线圈)如是ζ轴贯通的大致螺线管状线圈。 ζ主线圈(第1线圈)9ζ，在MRI装置100的摄像区域7中，形成强度在轴方向(ζ轴方向) 上线性地倾斜的磁场分布。在ζ主线圈(第1线圈)9ζ中，通过ζ主线圈(第1线圈)9ζ的中心且与轴方向 (ζ轴方向)垂直的零面FO (z = 0面)侧的布线图案17a、17b (在图IA中由6条构成的布线图案)在宽区域Al ( θ =0，π附近)中远离零面F0(z = 0面)，在窄区域Α2(θ = ji/2 附近)中接近零面F0(z = 0面)，在圆周方向(Θ方向)上蜿蜒。布线图案17a、17b的6条布线图案内、最接近零面FO (ζ = 0面)的零面FO (z = 0 面)的两侧的2条布线图案，在宽区域Α1( θ =0，π附近)以外的、包含窄区域Α2(θ = η/2附近)在内的圆周方向(Θ方向)的大部分区域中，接近零面？0(2 = 0面)。因此， 该2条布线图案，在宽区域Α1(θ =0，π附近)中，在ζ轴方向发生了位移。布线图案17a、17b的6条布线图案内、最远离零面FO (z = 0面)的零面FO (ζ = 0面)的两侧的2条布线图案，在包含宽区域Α1( θ =0，π附近)在内的圆周方向(Θ方向)的大部分区域中，远离零面FO (z = 0面)而接近布线图案18a、18b，仅在窄区域Α2( θ =η/2附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)。因此，该2条布线图案，在窄区域Α2( θ = ji/2 附近)中，在ζ轴方向上发生了位移。布线图案17a、17b的6条布线图案内、最接近零面FO (ζ = 0面)的零面FO (z = 0 面)的两侧的2条布线图案、和最远离零面FO (z = 0面)的零面FO (z = 0面)的两侧的2 条布线图案所夹着的2条布线图案，在包含宽区域Al ( θ =0, π附近)在内的周边的区域中，远离零面FO (z = 0面)而接近布线图案18a、18b，在包含窄区域Α2( θ = π/2附近) 在内的周边的区域中，接近零面F0(z = 0面)。因此，该2条布线图案，在宽区域Α1(θ = 0，JI附近)和窄区域Α2(θ = π/2附近)之间的区域中，在ζ轴方向上发生了位移。ζ主线圈(第1线圈)9ζ还具有远离零面F0(z = 0面)的外侧的布线图案18a、 18b。布线图案18a、18b是由在圆周方向(θ方向)上大致直线状的、多条图案构成的布线图案。另外，ζ轴为正的一侧的布线图案17a、18a中流过的电流的方向，是θ方向的正方向，ζ轴为负的一侧的布线图案17b、18b中流过的电流的方向，是θ方向的负方向。此夕卜，连接相邻的布线图案17a、17b、18a、18b的渡线省略了的记载。在图IB中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的屏蔽线圈2b 的ζ屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案的θ方向的展开图的一半。S卩，在图IB中，示出了 θ为0 π弧度的范围，但省略了 π 弧度的范围的记载。θ为π 弧度的范围的ζ屏蔽线圈(第2线圈)10ζ的布线图案，是将θ为0 π弧度的范围的ζ屏蔽线圈(第2线圈)IOz的布线图案，以与θ为π弧度(θ = π)的ζ轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。可知，ζ屏蔽线圈(第2线圈)102是2轴贯通的大致螺线管状线圈。ζ屏蔽线圈(第2线圈)10ζ，在ζ主线圈(第1线圈)9ζ的外侧，抑制从ζ 主线圈(第1线圈)9ζ向静磁场线圈装置1的漏磁场。在ζ屏蔽线圈(第2线圈)IOz中，布线图案19内的、轴方向(ζ轴方向)的外侧和零面F0(z = 0面)侧的布线图案，平滑地蜿蜒。布线图案19内的、轴方向(ζ轴方向)的外侧的布线图案的包含窄区域Α2( θ = π/2附近)在内的圆周方向(Θ方向)的周边区域，与其他区域相比，靠近零面FO (z = 0面)方向。布线图案19内的、零面F0(z = 0面) 侧的布线图案的包含宽区域Α1( θ =0，π附近)在内的圆周方向(Θ方向)的周边区域， 与其他区域相比，靠近零面FO (z = 0面)方向。另外，ζ轴为正的一侧的布线图案19中流过的电流的方向，是θ方向的负方向，ζ轴为负的一侧的布线图案19中流过的电流的方向， 是θ方向的正方向。
在图7中，示出对比较例1的倾斜磁场线圈的ζ主线圈11和ζ屏蔽线圈12进行透视而记载的立体图。在比较例1中，使用以ζ轴为共同的中心轴的ζ主线圈11和ζ屏蔽线圈12，ζ主线圈11和ζ屏蔽线圈12的与ζ轴垂直的面上的剖面形状为圆形。因此，ζ主线圈11与ζ屏蔽线圈12的间隔，在圆周方向上固定，不具有宽区域Al和窄区域A2。在图8A中，示出比较例1的倾斜磁场线圈的ζ主线圈11的布线图案的展开图的一半，在图8B中，示出ζ屏蔽线圈12的布线图案的展开图的一半。在比较例1中，ζ主线圈11、ζ屏蔽线圈12的剖面形状都为圆形，ζ主线圈11与ζ屏蔽线圈12的间隔在圆周方向上一样(固定)，因此布线图案也成为在圆周方向(Θ方向)上固定的图案，成为由在圆周方向(Θ方向)上大致直线状的、多条图案构成的布线图案。在图9A中，示出比较例2的倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案13、14的展开图的一半，在图9B中，示出比较例2的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈的布线图案15、16的展开图的一半。在比较例2中，与第1实施方式的图4的ζ主线圈9z和ζ屏蔽线圈IOz同样， ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz的间隔在圆周方向上不同，具有宽区域Al和窄区域A2。在窄区域A2中，与宽区域Al相比，ζ主线圈9z和ζ屏蔽线圈IOz的一方的线圈，在配置有另一方的线圈的场所所产生的磁场变强。因此，按照用该另一方的线圈来抵消该磁场(重现其强度(不过，方向相反))的方式，若为ζ主线圈9z则如布线图案14那样，若为ζ屏蔽线圈IOz则如布线图案16那样，形成跨越零面FO (z = 0面)的环状线圈。布线图案14和16 的环状线圈，是ζ轴不贯通的环状线圈。另外，布线图案14以外的ζ主线圈9z的布线图案 13、和布线图案16以外的ζ屏蔽线圈IOz的布线图案15，在圆筒面上或者椭圆筒面上形成在圆周方向(Θ方向)上蜿蜒的大致螺线管状线圈。在比较例2中，如图9A的布线图案14和图9B的布线图案16那样，形成了环状线圈，但在第1实施方式中，如图IA的ζ主线圈9z、和图IB的ζ屏蔽线圈IOz所示那样，没有形成不贯通ζ轴的环状线圈。像这样，在第1实施方式中，在图IA的ζ主线圈9z、和图IB 的ζ屏蔽线圈IOz中不形成不贯通ζ轴的环状线圈方面取得了成功。首先，针对图IA的ζ主线圈9z的布线图案17a、17b、18a、18b所形成的磁场在以下进行详述。在ζ坐标为正(z>0)的区域中，布线图案17a以及布线图案18a的电流的方向，为θ方向的正方向，在ζ坐标为负(ζ<0)的区域中，布线图案17b以及布线图案18b 的电流的方向，为θ方向的负方向。因此，在零面FO (z = 0面)上，磁通密度的ζ分量成为零(0) (T)。并且，形成越远离零面FO (z = 0面)则磁通密度的ζ分量越大的倾斜磁场。在宽区域Al ( θ =0, π附近)中，蜿蜒的布线图案17a通过布线图案18a的附近，蜿蜒的布线图案17b通过布线图案18b的附近，因此布线图案17a和布线图案17b远离。 因此，布线图案17a和布线图案17b所形成的磁场不相互抵消，起到增强布线图案17a、18a 和布线图案17b、18b所形成的磁场(倾斜磁场和漏磁场)的作用。另一方面，在窄区域Α2( θ = π/2附近)中，蜿蜒的布线图案17a和布线图案17b 接近。因此，布线图案17a和布线图案17b所形成的磁场相互抵消，不会增强布线图案17a、 18a和布线图案17b、18b所形成的磁场(倾斜磁场和漏磁场)。因此，从ζ主线圈9z向外侧的ζ屏蔽线圈IOz的方向离开一定距离的位置上的θ 方向的磁场的轮廓，宽区域Α1( θ =0，π附近)比窄区域Α2(θ = π/2附近)大。换言之，相对于离窄区域Α2(θ = π/2附近)中的ζ主线圈9ζ某距离上的磁场(漏磁场)，在宽区域Α1(θ =0，π附近)中，在比该距离更远(大)的距离的位置上，存在形成与该磁场(漏磁场)大小相等的磁场(漏磁场)的位置。即，在远离ζ主线圈9ζ的外侧的ζ主线圈9ζ的区域中，存在ζ主线圈9ζ所生成的磁场(漏磁场)的圆周方向(Θ方向)的分布大致均勻的环状的区域。并且，在该环状的区域中，配置有ζ屏蔽线圈10ζ。ζ屏蔽线圈IOz 只要抑制(屏蔽)圆周方向(Θ方向)的分布大致均勻的磁场(漏磁场)即可，因此能够用大致螺线管线圈容易地形成。即，在窄区域Α2(θ = π/2附近)和宽区域Α1(θ =0, π 附近)中，根据ζ主线圈9ζ与ζ屏蔽线圈IOz的间隔的大小，来调节布线图案17a和布线图案17b的蜿蜒的程度和条数，由此能够将ζ屏蔽线圈IOz形成为剖面形状为大致圆形的螺线管线圈形状。例如，在图IA中，布线图案17a和布线图案17b各为3圈(条)，但只要 ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz的最大间隔和最小间隔的差(窄区域Α2( θ = π/2附近) 和宽区域Al (θ =0，π附近)的间隔的差)越大，则越增加蜿蜒的圈数即可。根据第1实施方式，由于ζ主线圈9ζ和ζ屏蔽线圈IOz都不具有环状线圈，因此能够将连接布线图案间的渡线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的多余的涡流，而且， 制造也变得容易。因此，在后述中，对连接布线图案间的渡线等的连接布线进行说明。首先，为了与第1实施方式进行比较，针对图9Β所示的比较例2的ζ屏蔽线圈，对连接相邻的布线图案 15,16间的渡线等的连接布线进行说明。在图IOA中，示出对比较例2的ζ屏蔽线圈进行透视而记载的立体图。在图IOA 中，用ζ坐标的正负(用零面F0(z = 0面))对布线图案16 (16a、16b)的环状线圈进行了分害I]。比较例2的ζ屏蔽线圈，在宽区域Α1( θ = π附近)中，用连接布线20、21与外部连接。从连接布线20流入电流，从连接布线21流出电流。从连接布线20流入的电流，首先， 流过布线图案15a(15)。多个布线图案15a(15)的相互间，由渡线观来连接。电流在流过布线图案之后，经由与布线图案15a(15)大致平行的引绕线(连接布线)22，而流过环状线圈的上侧的布线图案16a(16)。然后，将电流的方向从θ方向的负的方向变为正的方向，流过环状线圈的下侧的布线图案16b(16)。接着，电流流过引绕线22，并流入到布线图案15b(15)。多个布线图案1恥(15)的相互间，由渡线观来连接。布线图案15b(15) 与连接布线21连接，电流从布线图案1恥(15)流出到连接布线21。如图1OA所示，引绕线22每4条接近地配置，每2条中各自的电流的方向相反，因此几乎不由它们生成磁场，但由于以导体宽度的间隔而相互分离，因此生成微弱的磁场。该微弱的磁场与在摄像区域7中形成的磁场(倾斜磁场)相比可以无视，但相对于ζ屏蔽线圈IOz的径方向外侧的原本磁场被遮蔽的区域的磁场(漏磁场)则无法无视。因此，该磁场所产生的对周围的构造物的涡流影响，与不考虑圈间的连接的情况相比，变大为无法无视的程度。在图IOB中，也示出对比较例2的ζ屏蔽线圈进行透视而记载的立体图。在图IOB 中，布线图案16的环状线圈，与相邻的布线图案15(1如、1恥)，在相互最接近的位置经由连接布线23a、2 而连接。图IOB所示的ζ屏蔽线圈，也在宽区域Al ( θ = π附近)中，通过连接布线20、21与外部连接。从连接布线20流入电流，从连接布线21流出电流。从连接布线20流入的电流，首先，流过布线图案15a(15)。多个布线图案15a(15)的相互间通过渡线观而连接。电流在流过与布线图案16的环状线圈接近的布线图案15a(15)的途中，经由与布线图案大致垂直的连接布线23a，流过环状线圈的布线图案16，并返回到布线图案15a(15)。然后，流过布线图案之后，电流将方向从θ方向的负的方向变为正的方向，并流过布线图案15b(15)。电流在流过与布线图案16的环状线圈接近的布线图案1恥(15)的途中，经由与布线图案1恥(15)大致垂直的连接布线23b，流过环状线圈的布线图案16，并返回到布线图案15b(15)。电流流过布线图案15b(15)。多个布线图案 15b (15)的相互间通过渡线观而连接。布线图案15b (15)与连接布线21连接，电流从布线图案15b (15)流出到连接布线21。如图IOB所示，连接布线23a、23b，由于能够缩短布线长度，故而能将涡流的影响抑制在最小限度，但若环状线圈的布线图案16成为2圈O圈)以上，则2条连接布线23a 中的1条、和2条连接布线23b中的1条，与环状线圈的布线图案16交叉。该交叉在窄区域Α2(θ = π/^3 π Λ附近)中产生，ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz的间隔变得最窄，只要使用一条线圈绞线用一个绕组来形成，则在空间上没有使布线交叉的空余。接下来，针对图IA所示的第1实施方式的ζ主线圈9ζ，对连接相邻的布线图案 17 (17a、17b)、18 (18a、18b)间的渡线等的连接布线进行说明。在图IlA中，示出对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ主线圈(第 1线圈)9z进行透视而记载的立体图。第1实施方式的Z主线圈9z，在宽区域Α1(θ = JI 附近)中，通过连接布线对、25与外部连接。从连接布线M流入电流，从连接布线25流出电流。从连接布线M流入的电流，首先，流过布线图案18b。多个布线图案18b的相互间，通过渡线观而连接。电流在流过布线图案18b之后，经由渡线观，流过蜿蜒的布线图案17b。 然后，电流流过渡线观，将方向从θ方向的负的方向，变为正的方向，并流过蜿蜒的布线图案17a。接着，电流流过渡线28，流入到布线图案18a。多个布线图案18a的相互间通过渡线观而连接。布线图案18a与连接布线25连接，电流从布线图案18a流出到连接布线25。如图IlA所示，所有的渡线观能够设置在宽区域Α1(θ = π附近)中，并能够与连接布线M接近地配置为大致平行。流过渡线观的电流的方向，大体朝向ζ轴方向的正的方向，因此与流过连接布线M的电流的方向相反，几乎不由它们产生磁场。此外，连接布线M虽然与布线图案17a、17b、18a、18b以及渡线观交叉，但该交叉在宽区域Al ( θ = ji 附近)中产生，因此ζ主线圈9z与ζ屏蔽线圈IOz的间隔变得最宽，能够容易地确保使布线交叉的空间上的余地。接下来，针对图IB所示的第1实施方式的ζ屏蔽线圈10z，对连接相邻的布线图案 19间的渡线等的连接布线进行说明。在图IlB中，示出对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈(第2线圈)IOz进行透视而记载的立体图。第1实施方式的ζ屏蔽线圈10z，在宽区域 AK θ = π附近)中，通过连接布线沈、27与外部连接。从连接布线沈流入电流，从连接布线27流出电流。从连接布线沈流入的电流，首先流过布线图案19a(19)。多个布线图案19a的相互间，通过渡线28而连接。然后，在流过布线图案19a(19)之后，电流流过渡线 28，将方向从θ方向的负的方向变为正的方向，并流过布线图案19b(19)。多个布线图案 19b (19)的相互间，通过渡线观而连接。布线图案19b(19)与连接布线27连接，电流从布线图案19b流出到连接布线27。如图IlB所示，所有的渡线观能够设置在宽区域Α1(θ = π附近)中，并能够与连接布线27接近地配置为大致平行。流过渡线28的电流的方向，大体朝向ζ轴方向的负的方向，因此与流过连接布线27的电流的方向相反，几乎不由它们产生磁场。此外，连接布线27虽然与布线图案19(19a、19b)以及渡线观交叉，但由于该交叉在宽区域Al ( θ = π 附近)中产生，因此ζ主线圈9ζ与ζ屏蔽线圈IOz的间隔变得最宽，能够容易地确保空间上使布线交叉的余地。如前述那样，根据第1实施方式，ζ主线圈9ζ和ζ屏蔽线圈IOz都不生成不贯通 ζ轴的环状线圈，从而能够将连接圈间的连接布线的引绕距离抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的多余的涡流，也能够容易地制造。通过如本实施方式那样配置倾斜磁场屏蔽线圈2b(10X、10y、10Z)，能够抑制倾斜磁场主线圈h(9X、9y、9z)所生成的脉冲状的磁场泄露到倾斜磁场线圈的外部的情况，能够抑制在覆盖静磁场线圈装置1的容器(氦容器、辐射屏蔽、真空容器)中产生涡流，并能够得到希望的倾斜磁场分布。此外，通过在倾斜磁场主线圈与静磁场线圈装置1之间配置倾斜磁场屏蔽线圈2b，能够抑制静磁场线圈装置1中流过的电流和从倾斜磁场主线圈加泄露的磁场所产生的振动电磁力导致的静磁场线圈装置1的振动，能够防止在摄像区域中形成的均勻磁场随时间而变动。(第2实施方式)在图12A中，示出将本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2A在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第2实施方式的倾斜磁场线圈2A与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，主线圈2a、特别是ζ主线圈9z的剖面形状成为跑道形状。不过，ζ主线圈9z的剖面形状与第1实施方式同样，χ轴方向(水平方向)的宽度成为最大宽度，因此在被检体40 (参照图2、仰卧的情况下，能够在肩宽方向上具有余地地插入，因此能够提高被检体40对MRI装置100 (参照图2)所感到的宽敞感。(倾斜磁场)主线圈加的中心轴与(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴成为ζ轴方向，且相一致。在(倾斜磁场)主线圈加的所述跑道形状的短轴的延长线上产生第1区域(宽区域)A1，在(倾斜磁场)主线圈加的跑道形状的长轴的延长上线上产生第2区域(窄区域)A2。此外，与第1实施方式同样，ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔根据圆周方向(Θ方向)而不同，χ轴上 (Θ = Ji/2，3 π/2(窄区域A2))的ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz的间隔，比y轴上(Θ = 0，η (宽区域Al))的间隔窄。在图12Β中，示出本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2Α的ζ主线圈 (第1线圈)9ζ的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第2实施方式中，也与第1实施方式同样，在宽区域Α1( θ =0，π附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域Α2( θ = π/2附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)，形成绕ζ 轴向θ方向前进且在ζ轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。在图12C中，示出本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2A的ζ屏蔽线圈 (第2线圈)IOz的布线图案19的展开图的一半。在第2实施方式中，也第1实施方式同样，ζ屏蔽线圈IOz形成不生成ζ轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。根据第2实施方式，与第1实施方式同样，ζ主线圈9ζ和ζ屏蔽线圈IOz都不生成环状线圈，从而能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。
(第3实施方式)在图13A中，示出将本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2B在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第3实施方式的倾斜磁场线圈2B与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，在主线圈加、特别是ζ主线圈9z的剖面形状中，成为使短轴所通过的周边的圆弧部分为椭圆形状，并使该椭圆形状的长轴所通过的周边的圆弧部分成为使该椭圆形状向y轴方向膨胀那样的曲率不同的圆弧的、组合了多个具有不同的曲率的圆弧的形状。即，在与(倾斜磁场)主线圈加的轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状，以椭圆形为基础，使该椭圆形的长轴的两端周边的圆弧部分，成为向该椭圆形的短轴方向膨胀那样的圆弧。(倾斜磁场)主线圈加的中心轴、和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴， 成为ζ轴方向，且相一致。在(倾斜磁场)主线圈加的椭圆形的短轴的延长线上产生第1 区域(宽区域)A1，在(倾斜磁场)主线圈加的椭圆形的长轴的延长上产生第2区域(窄区域)A2。不过，ζ主线圈9z的剖面形状，与第1实施方式同样，χ轴方向(水平方向)的宽度为最大宽度，因此在被检体40 (图2参照)仰卧的情况下，由于能够在肩宽方向上留有余地地插入，因此能够提高被检体40对MRI装置100(参照图2)所感到的宽敞感。此外， 与第1实施方式同样，ζ主线圈9z与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔根据圆周方向(θ方向) 而不同，χ轴上(θ = π/2，3 π/2(窄区域Α2))的ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz的间隔， 比y轴上(Θ =0，π (宽区域Al))上的间隔窄。在图13Β中，示出本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2Β的ζ主线圈 (第1线圈)9ζ的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第3实施方式中，也第1 实施方式同样，在宽区域Α1( θ =0，π附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案l&i和18b，在窄区域Α2(θ = Ji/2附近)中，接近零面F0(z = 0面)，形成绕ζ轴向 θ方向前进且在ζ轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。在图13C中，示出本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2B的ζ屏蔽线圈 (第2线圈)IOz的布线图案19的展开图的一半。在第3实施方式中，也与第1实施方式同样，ζ屏蔽线圈IOz形成不生成ζ轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。根据第3实施方式，与第1实施方式同样，ζ主线圈9ζ和ζ屏蔽线圈IOz都不生成环状线圈，从而由于能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。(第4实施方式)在图14Α中，示出将本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2C在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第4实施方式的倾斜磁场线圈2C与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，主线圈加、特别是ζ主线圈9z的剖面形状为圆形形状，ζ主线圈9z的圆形形状的中心与ζ屏蔽线圈IOz的圆形形状的中心不一致，不是同心圆，成为各自的圆形形状的中心在y轴方向上偏离(圆形的中心位置不同)的形状。不过，与第1实施方式同样，ζ主线圈9z与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔根据圆周方向(θ方向)而不同， y轴上(θ = 窄区域A2))的ζ主线圈如与2屏蔽线圈IOz的间隔，比y轴上(Θ = 0(宽区域Al))的间隔窄。S卩，在(倾斜磁场)主线圈加和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴偏离的方向的进退两个方向中的一方产生了第1区域(宽区域)Al，在另一方产生了第 2区域(窄区域)A2。
在图14B中，示出本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2C的ζ主线圈 (第1线圈)9ζ的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第4实施方式中，也与第 1实施方式同样，在宽区域Α1( θ =0附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域Α2(θ = π附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)，形成绕ζ轴向θ 方向前进且在ζ轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。在第1 第3实施方式中，ζ主线圈9z的剖面形状相对于yz面、xz面为面对称， 因此与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔为最大间隔的区域(宽区域)Al存在于θ =0、θ = π 这2处，在各个宽区域Al中，蜿蜒的布线图案17a、17b接近于大致螺线管线圈状的布线图案18a、18b，而在第4实施方式中，与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔成为最大间隔的区域(宽区域)Al为θ =0这1处，因此该宽区域Al仅在一处，蜿蜒的布线图案17a、17b接近大致螺线管线圈状的布线图案18a、18b。在图14C中，示出本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2C的ζ屏蔽线圈 (第2线圈)IOz的布线图案19的展开图的一半。在第4实施方式中，也与第1实施方式同样，ζ屏蔽线圈IOz形成不生成ζ轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。根据第4实施方式，与第1实施方式同样，ζ主线圈9ζ和ζ屏蔽线圈IOz都不生成环状线圈，从而由于能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。(第5实施方式)在图15Α中，示出将本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2D在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第5实施方式的倾斜磁场线圈2D与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，主线圈2a、特别是ζ主线圈9z的剖面形状，在上部和下部组合了曲率不同的圆弧。使下部的圆弧的(曲率)半径比上部的圆弧大。并且，使y轴的正的区域的开口面积比负的区域的开口面积大。即，在与(倾斜磁场)主线圈加的轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状，以圆形为基础，使该圆形的大致下半部分的圆弧部分，成为比该圆形的半径大的半径的圆弧。(倾斜磁场)主线圈加的剖面形状的基础圆形和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的剖面形状的圆形的中心一致。在(倾斜磁场)主线圈加的基础圆形一侧产生第2区域(窄区域)A2，在比(倾斜磁场)主线圈加的基础圆形的半径大的半径的圆弧一侧产生第1区域(宽区域)Al。由此，在被检体40仰卧的情况下，能够使下部的圆弧与被检体40的后背相吻合，并且，在被检体40的脸部的前方能够确保充分的空间。此外， 与第1实施方式同样，ζ主线圈9z与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔根据圆周方向(θ方向) 而不同，y轴上(θ = η (窄区域Α2))的ζ主线圈如与ζ屏蔽线圈IOz的间隔比y轴上 (Θ =0(宽区域Al))的间隔窄。在图15B中，示出本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2D的ζ主线圈 (第1线圈)9ζ的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第5实施方式中，也与第 1实施方式同样，在宽区域Α1( θ =0附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域Α2(θ = π附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)，形成绕ζ轴向θ 方向前进且在ζ轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。在第5实施方式中，与第4实施方式同样，与ζ屏蔽线圈IOz之间的间隔成为最大间隔的区域(宽区域)Al为θ =0这1处，因此该宽区域Al，仅在一处，蜿蜒的布线图案17a、17b接近大致螺线管线圈状的布线图案18a、18b。在图15C中示出本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2D的ζ屏蔽线圈 (第2线圈)IOz的布线图案19的展开图的一半。在第5实施方式中，也与第1实施方式同样，ζ屏蔽线圈IOz形成不生成ζ轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。根据第5实施方式，与第1实施方式同样地，ζ主线圈9ζ和ζ屏蔽线圈IOz都不生成环状线圈，从而由于能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。(第6实施方式)以下，利用图16Α、图16Β、图17、图18Α、图18Β、图19Α以及图19Β，对本发明的其
他实施方式的水平磁场型的MRI装置进行说明。本实施方式的MRI装置，具有将第1实施方式的MRI装置中的倾斜磁场线圈2替换为倾斜磁场线圈2Ε的构成。对于本实施方式的倾斜磁场线圈2Ε，利用图17进行说明。 图17是将本实施方式的倾斜磁场线圈2Ε在包含χ轴和y轴的平面上切断后的剖面图。倾斜磁场线圈2E配置在真空容器6的外部且比真空容器6更接近摄像区域7的位置。该倾斜磁场线圈2E，从接近摄像空间7的一侧开始依次具有倾斜磁场主线圈9 (9x、 9y、9z)、倾斜磁场屏蔽线圈10(10X、10y、10z)。本实施方式所示的倾斜磁场线圈2E的剖面形状，是倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)为椭圆形、倾斜磁场屏蔽线圈10 (10x、10y、IOz)为圆形的情况。倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)具有χ轴方向为长轴、y轴方向为短轴的椭圆形状。倾斜磁场线圈2E形成相对于与静磁场8平行的磁场分量，分别在χ轴方向、y轴方向、 ζ轴方向上线性地变化的倾斜磁场。具体来说，倾斜磁场主线圈9由在χ轴方向生成倾斜磁场的X倾斜磁场主线圈(X主线圈)9x、在y轴方向生成倾斜磁场的y倾斜磁场主线圈(y 主线圈)9y、在ζ轴方向生成倾斜磁场的ζ倾斜磁场主线圈(ζ主线圈)9z构成，在各自的剖面方向上隔着绝缘层而层叠。倾斜磁场屏蔽线圈10由抑制倾斜磁场主线圈9所生成的磁场泄露到倾斜磁场线圈2E的外部的χ倾斜磁场屏蔽线圈(χ屏蔽线圈)10x、y倾斜磁场屏蔽线圈(y屏蔽线圈)10y、z倾斜磁场屏蔽线圈(ζ屏蔽线圈)IOz构成，分别在剖面方向上夹持绝缘层而层叠。χ倾斜磁场线圈的χ主线圈虹以及χ屏蔽线圈IOx分别在相对于ζ = 0对称面、 χ = 0对称面分别对称的位置配置4个具有漩涡状鞍型的形状的线圈(漩涡状鞍型线圈)。 Y倾斜磁场线圈的y主线圈9y以及y屏蔽线圈10y，与χ倾斜磁场线圈形状不同，是将χ倾斜磁场线圈相对于ζ轴旋转了 90度的形状。接着，利用图16Α、图16Β、图18Α、图18Β、图19Α以及图19Β，对本实施方式的倾斜
磁场线圈2Ε的布线图案进行说明。χ倾斜磁场线圈的χ主线圈9χ(图18Α)、χ屏蔽线圈 10χ(图18Β)分别是具有漩涡状的鞍型的形状的线圈(鞍型线圈)。此外，y倾斜磁场线圈的y主线圈9y (图19A)、y屏蔽线圈IOy (图19B)也分别是漩涡状的鞍型线圈。以上的χ 倾斜磁场线圈以及y倾斜磁场线圈的布线图案，虽然圈数与倾斜磁场主线圈以及倾斜磁场屏蔽线圈的剖面形状为圆形的情况不同，但成为几乎相同的漩涡状鞍型线圈。在此，没有显示连接各自的电流回路的连接部。另一方面，本实施方式的ζ倾斜磁场线圈10的布线图案，与倾斜磁场线圈的剖面形状为圆形的现有技术的ζ主线圈以及ζ屏蔽线圈的布线图案相比有很大不同。在描述其差别时，作为本实施方式的倾斜磁场线圈与比较例1(图7、图8A、图8B)以及比较例2(图 9A以及图9B)的差别在以下进行说明。比较例1，如图7所示，ζ主线圈、ζ屏蔽线圈的剖面形状都为圆形，因此ζ主线圈的布线图案11 (图8A)和Z屏蔽线圈的布线图案12 (图8B)所形成的磁场分布在圆周方向上一样。因此，比较例1的这两个布线图案在与ζ轴垂直的面内具有圆形的电流流路，形成将该电流流路在ζ方向堆积而成的螺线管状线圈。在图7、图8A、图8B中，没有显示连接相邻的圆形的电流流路的连接部。接着，作为比较例2，针对作为x-y平面的剖面形状中的ζ倾斜磁场线圈的布线图案，利用图9Α、图9Β来进行说明。在图9Α中示出比较例2的ζ主线圈的布线图案13、14的展开图，在图9Β中示出比较例2的ζ屏蔽线圈的布线图案15、16的展开图。这是如专利文献2所记载的那样的、存在主线圈与屏蔽线圈的间隔较窄的部分和较宽的部分的情况，在间隔较窄的χ方向上，各个线圈所形成的磁场变强。因此，在比较例2中，按照重现该磁场的方式，若为ζ主线圈则如布线图案14那样，若为ζ屏蔽线圈则为布线图案16那样，形成跨越ζ = 0面的环。此外，除此之外的ζ主线圈的布线图案13、ζ屏蔽线圈的布线图案15， 在圆筒面上或者椭圆筒面上形成绕ζ轴蜿蜒的大致螺线管状线圈。在图9Α，图9Β中，与图 7、图8Α、图8Β同样，没有显示连接相邻的电流流路的连接部。利用图16Α、图16Β、图21以及图22对本实施方式的倾斜磁场线圈的ζ主线圈进行说明。在图16Α中示出本实施方式的倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的展开图，在图 16Β中示出ζ屏蔽线圈的布线图案的展开图。本实施方式是图17所示的剖面形状(x-y平面上的剖面形状)中的ζ倾斜磁场线圈的布线图案。ζ主线圈的布线图案117，如图16A所示，在与ζ轴垂直的面内具有在χ方向上横长的椭圆形的电流流路，形成将该电流流路在ζ 方向上堆积而成的螺线管状线圈。另一方面，ζ屏蔽线圈的布线图案118，如图16B所示，在圆筒面上形成绕ζ轴蜿蜒的大致螺线管状线圈，布线图案119形成跨越Z = O面的环。像这样，ζ屏蔽线圈，具有在ζ轴方向上在磁共振成像装置的中心附近形成为鞍状(形成环)，在形成为鞍状的区域外在圆筒面上形成为绕ζ轴蜿蜒的大致螺线管状的布线图案。换言之， ζ屏蔽线圈，如图22(a)所示，沿着床装置41的行进方向依次具有在圆筒面上形成为绕ζ 轴蜿蜒的大致螺线管状的布线部；形成为鞍状的布线部；在圆筒面上形成为绕ζ轴蜿蜒的大致螺线管状的布线部。在本实施方式的图16A、图16B中也没有显示连接相邻的电流流路的连接部。根据本实施方式，ζ主线圈在与ζ轴垂直的面内具有在χ方向上横长的椭圆形的电流流路，通过采用将该电流流路在ζ方向上堆积而成螺线管状，能够将导体的布线简单化。 此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的Z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于Z主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小， 因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。以下，通过比较ζ倾斜磁场线圈所形成的磁通密度来确认该效果。图20(a)示出了 XZ面上的比较例2的Z倾斜磁场线圈所形成的磁通密度的Z分量的等高线。等高线的宽度在1 (mT)以上、-l(mT)以下为l(mT)间隔，除此之外为0. 1 (mT)间隔。图20(b)是本实施方式中的磁通密度ζ分量的等高线。这两者几乎为相同的分布，为了更详细地比较，如图20 (c)那样示出对从摄像区域的中心部向轴方向延伸的线段上的磁通密度ζ分量进行了绘制而得到的图。在图20(c)中，用菱形绘制的是比较例2的分布，用正方形绘制的是本实施方式的分布，用三角形绘制的是理想分布。从轴方向的某位置zm上的理想分布可知，本实施方式的值小于比较例2的值，本实施方式的ζ倾斜磁场线圈形成高精度的磁场分布。关于以上说明了的本实施方式的ζ倾斜磁场线圈的构造在以下进行说明。图 21 (a)是标注了在ζ方向上堆积的椭圆形电流流路的连接部来显示了本实施方式的ζ倾斜磁场线圈的ζ主线圈的布线图案的图。电流流过与ζ轴平行且设置在y方向上的连接布线 120，从2 < 0的区域的椭圆形流路的布线流过ζ > 0的椭圆形流路的布线121，到达连接布线122。在此，连接部设置在χ方向、y方向的哪一个方向上都可以，但由于比起ζ主线圈与 Z屏蔽线圈的间隔较窄X方向，间隔较宽的y方向在设置空间上更充裕，因此设置在y方向上最为理想。图21(b)示出了本实施方式的ζ主线圈的导体的一部分。导体123采用在内部流动制冷剂124的构造最为理想。其理由在以下说明。在摄像时，在倾斜磁场线圈的导体中流动的电流的振幅为数100(A)，对其进行驱动的电压为IOOO(V)程度，由于这样的高电力，因此无法无视导体内部的发热量，必须设置对导体进行冷却的机构。另一方面，配置在收纳超导线圈的中空圆筒容器与摄像区域之间的倾斜磁场线圈的设置空间有限。因此， 优选采用不需要另外设置冷却管的本实施方式的构造。以后，假设ζ倾斜磁场线圈由该导体构成。ζ主线圈，如图21 (a)所示，除了连接布线120之外，能够使布线一次也不交叉地形成。另外，由于连接布线120被设置在设置空间充裕的y方向，因此设置空间上不成问题。 另一方面，ζ屏蔽线圈由于大致上螺线管状布线与环状布线混合存在，故而布线交叉。因此， 产生无法收纳在设置空间中的部分。以下，对其解决方法进行说明。图22 (a)是标注了连接部地显示了本实施方式的ζ倾斜磁场线圈的ζ屏蔽线圈的布线图案的图。电流流过与ζ轴平行且设置在y方向上的连接布线125，从2 > 0的区域的大致螺线管状布线1 经由环状布线127a，流过ζ < 0的大致螺线管状布线以及环状布线 127b，到达连接布线128。在此，与ζ主线圈同样，连接部设置在χ方向、y方向的哪一个方向都可以，但由于比起ζ主线圈与ζ屏蔽线圈的间隔较窄的χ方向，间隔较宽的y方向在设置空间上更充裕，因此设置在y方向最为理想。此外，在本实施方式中，环状布线127a与ζ > 0的区域的大致螺线管状布线连接，环状布线127b与ζ < 0的区域的大致螺线管状布线连接，但也可以将环状布线127a与ζ < 0的区域的大致螺线管状布线连接，将环状布线127b 与ζ >0的区域的大致螺线管状布线连接。图22(b)示出了本实施方式的ζ屏蔽线圈的导体形状的一部分。ζ屏蔽线圈如图22(a)所示，通过大致螺线管状线圈与环状线圈的组合而形成。大致螺线管状的部分，能够采用像导体1 那样在导体内部流动制冷剂124的构造，但若想要在环状导体130的部分使用导体1 的构造，则在从外侧漩涡状地卷绕导体并到达中心之后朝向外侧时，布线会发生交叉，因此无法收纳在倾斜磁场线圈的设置空间中。 因此，由切掉了作为不流过电流的区域的槽之后的薄板状的导体来形成环状线圈。将该环状线圈与螺线管状线圈电接合来形成ζ屏蔽线圈。此时，按照电流从导体1 流入到导体 130的方式，在导体130的附近设置绝缘层131。像这样，在ζ屏蔽线圈内，对于成为大致螺线管状的部分，在内部流动制冷剂来使其具有冷却功能，对于成为环的部分，通过使用薄的导体