专利名称：彩饰釉面抛光瓷砖及其制备方法和设备的制作方法 目前市场上的瓷砖可分为两类一类是釉面砖，另一类是抛光砖。釉面砖包括底坯，位于底坯上的一层底釉和位于底釉层上一层面釉。本色釉面砖通常就由这三层组成。如果是彩饰釉面砖的话，在面釉上还有彩饰图案，其制备工艺是形成底坯并干燥，在底坯上施加一层底釉，在底釉上施加一层施釉干料量通常为400-700g/m2(厚度通常为0.3-0.5毫米)的面釉，在面釉层上印刷彩饰图案，对釉坯进行烧制。其缺点是图案在釉面的表面，易被磨损，且表面的光泽度较低。无论是本色釉面砖还是彩饰釉面砖，在烧成之后均不进行抛光，亦无法进行抛光，原因是面釉厚度不足且易磨损表面图案。釉面砖的平整度(以中心弯曲度表征，国家标准为±0.4％)和表面光泽度(通常为70-85度)都不是很高，无法满足建筑装饰业越来越严格的要求。抛光砖是一类以瓷质坯体为主的瓷砖。由于坯体是同质瓷质且硬度较高，因此可以在烧制之后直接进行抛光。抛光砖的平整度比上述釉面砖有所改进(中心弯曲度国家标准为±0.3％)，但表面光泽度则不如釉面砖(光泽度国家标准为＞55度，实际多为60-75度)。同时，抛光砖呈现的是石材本色，不能满足特殊的彩饰或图案花纹的需求。再者，抛光砖的耐污性能较差。因此其应用相当局限。近年来开发出了给抛光砖加上彩饰的技术，即通过渗透技术使所需印花釉渗入到抛光砖表面以下一定深度，使得经过抛光后还能保留这些印花釉。然而，这种渗透技术的重复稳定性较差，彩饰的线条不明晰，边渗现象严重，使得不同批次产品之间的彩饰颜色存在较大差异。此外，渗透技术局限性较大，无法获得较复杂的颜色图案、色彩单调、变化少、无法表达层次的变化。这类彩饰抛光砖还远远不能满足对瓷砖在图案精美和彩饰颜色一致方面的要求。还有一种工艺是在底坯成型时，依靠电脑布料技术将不同颜色的色粉料根据所需图案进行放置，最终得到彩饰砖。这种工艺采用的是干法布料，所得到的彩饰比较机械单一。与之相比，湿法印刷时可以通过调节浓度来控制图案的灰度、阴影等，以表达强烈的立体感和色彩。
本发明的一个目的是提供一种彩饰釉面抛光瓷砖，它能很好地满足对瓷砖彩饰图案和颜色的要求，并且具有高平整度和高表面光泽度。本发明的另一个目的是提供一种生产彩饰釉面抛光瓷砖的方法。本发明还有一个目的是提供一种生产彩饰釉面抛光瓷砖的设备。
本发明提供了一种彩饰釉面抛光瓷砖，它包括底坯、位于底坯上的一层底釉、位于底釉层上的彩饰印花和位于彩饰印花上的一层面釉，所述面釉是经过抛光的。
在本发明的一个优选实施方案中，所述面釉是透明的。本发明的瓷砖优选是中心弯曲度为±0.2％，光泽度为90-100度。
本发明还提供一种制备彩饰釉面抛光瓷砖的方法，该方法包括以下步骤(1)底坯成型；(2)在底坯上施加一层底釉；(3)在底釉上印刷彩饰图案；(4)在彩饰图案上再施加一层面釉；(5)对施加完面釉的釉坯进行烘干；(6)对经烘干的釉坯进行烧制；(7)在烧制后，对瓷砖的釉面进行抛光。
在本发明的一个优选实施方案中，所述面釉中加入了羧甲基淀粉。羧甲基淀粉的用量优选是占面釉总重量的0.1-0.4重量％。步骤(4)中面釉的施釉干料量优选为800-1200g/m2。在烧制之后抛光之前面釉的厚度优选为0.6-1.2毫米。在步骤(6)的烧制过程中，将最高烧成温度优选控制在1050-1250℃。此外，优选的是除了对瓷砖的釉面进行抛光，还对瓷砖进行磨边。采用连续式抛光机进行抛光和磨边。
本发明还提供了一种制备彩饰釉面抛光瓷砖的设备，该设备依次包括如下装置底坯成型装置、在底坯上施加底釉层的装置、在底釉上印刷彩饰图案的装置、在彩饰图案上施加面釉层的装置、釉坯烘干装置、釉坯烧制装置和对面釉进行抛光的装置。
本发明的彩饰釉面抛光瓷砖结合了釉彩工艺和抛光工艺的优点，不仅能满足各种装饰图案的要求，而且其表面平整度和光泽度均很高。本发明的生产方法通过对现有技术的瓷砖生产方法作调整和改进，从而能简单高效地制造出各种尺寸规格的本发明彩饰釉面抛光瓷砖。本发明生产彩饰釉面抛光瓷砖的设备只需对现有的设备作一些改动即可，无需重新投资置备全新的生产设备。


图1是本发明彩饰釉面抛光瓷砖一个实施方案的剖面示意图。
图2是本发明制备彩饰釉面抛光瓷砖的设备的示意图。

本发明的彩饰釉面抛光瓷砖如图1所示，包括底坯11，位于底坯11上的一层底釉12、位于底釉12层上的彩饰印花13、位于彩饰印花13上的一层面釉14，该层面釉是经过抛光的。面釉层优选是透明的。
本发明彩饰釉面抛光瓷砖中，底坯、底釉和彩饰印花的原料和组成均类似于背景技术中所述的彩饰釉面砖的底坯、底釉和彩饰印花。为了更详细地加以说明，以下对底坯、底釉和彩饰印花的原料和组成作一简要说明。应该理解，本发明彩饰釉面抛光瓷砖中的底坯、底釉和彩饰印花不局限于这些说明，本领域普通技术人员熟知的任何底坯、底釉和彩饰印花均可用于本发明。
底坯可以是常用的陶质坯、炻质坯或瓷质坯，其材料组成以赛格式表示通常为(以摩尔份计)0.05-0.30 KNaO；0.05-0.50 CaO；1.0 Al2O3；6-12 SiO2；0.02-0.40 MgO。
在底坯上有一层底釉，底釉又被称作化妆土，其作用是提高底坯和面釉之间的结合力，遮蔽底坯的不良着色，提供一个装饰效果所要求的背景。化妆土的成分通常为0-40重量份熔剂、10-40重量份长石、0-30重量份石英、5-30重量份高龄土、球土和/或粘土、0-25重量份乳浊剂，以及可任选的色料，其用量视要求而定。
位于底釉层上的彩饰印花，又称印花釉。印花釉由陶瓷印刷色料、印刷釉粉(熔剂)和印油三部分组成。色料是图案色彩的来源，印刷釉粉是色料与面釉熔合的介质，印油是完成印刷所必须的载体，它在烧制时将完全分解。印花釉通常包括0.1-50重量份色料、10-100重量份印刷釉粉和40-200重量份印油。各种印花釉基于不同的化学组成会显示不同的颜色。本领域普通技术人员能够根据所需的颜色图案选择合适的印花釉。
在彩饰印花上有一层面釉，它是位于瓷砖最上面的一层玻璃质材料，提供所需的装饰效果和防污防水及耐用性。本发明瓷砖的面釉材料与现有技术中的常规面釉大致相同，以赛格式表示的组成通常为(以摩尔份计)0.05-0.20 KNaO；0.05-0.40 CaO；0.10-0.60 Al2O3；2.00-6.00 SiO2；0.02-0.20 MgO；0.02-0.30 B2O3；0.01-0.20 ZnO。在本发明的一个优选实例中，本发明的面釉与现有技术中常规面釉的区别在于在面釉原料中加入羧甲基淀粉，用来显著缩短面釉层施涂之后的变干时间。羧甲基淀粉的用量可根据所需的变干时间加以选择，只要不对本发明产生不利影响，优选的是占面釉总重量的0.1-0.4重量％，更好的是0.15-0.3重量％。所加入的羧甲基淀粉在烧制过程中被除去。该层面釉是经过抛光的，面釉的光泽度按照GB/T13891标准用光泽度仪测定，通常为90-100度，优选是93-100度。
本发明彩饰釉面抛光瓷砖的平整度以中心弯曲度表征，采用ISO/DIS13006-1994陶瓷砖标准测得，为±0.3％，优选是±0.2％。
本发明制备彩饰釉面抛光瓷砖的方法主要依次包括以下步骤底坯成型、施加底釉、印刷彩饰图案、施加面釉、烘干、烧制、抛光。
底坯成型可采用现有釉面砖底坯的形成方法，其工艺例如包括挤出成型法、粉末成型法等。
施加底釉可采用现有釉面砖的施加底釉方法，例如可使用甩釉机、瀑布式淋釉器、瀑布式淋釉器钟。
彩饰图案的印刷可采用现有釉面砖的彩饰印刷技术，常用的印刷设备例如但不限于丝网印刷机、滚筒印刷机或喷彩机。
在彩饰图案上施加面釉的工艺中，由于该层面釉还要在烧成之后经历抛光，因此应施涂足够厚度的面釉。面釉施涂厚度通常为0.8-1.5毫米，优选是1.0-1.5毫米。施釉干料量为800-1200g/m2。针对湿法施釉所得的较厚面釉层，优选的是在面釉涂料中加入羧甲基淀粉，这能显著缩短面釉层的变干时间。羧甲基淀粉的用量可根据所需的变干时间加以选择，只要不对本发明产生不利影响，优选的是占面釉总重量的0.1-0.4重量％，更好是0.15-0.3重量％。
烘干的目的是降低釉坯中的水分含量，优选是将含水率控制为小于或等于0.5重量％。本领域技术人员能根据所需要求容易地确定烘干的温度和时间。烘干的温度例如但不限于70-240℃，烘干时间例如但不限于20分钟至4小时。
烧制过程中，最高烧成温度通常控制在1050-1250℃的范围内，优选是1100-1200℃。本领域技术人员在满足该最高烧成温度的要求下，可以根据具体设备并视具体情况来选择恰当的烧制温度曲线。烧制时间通常为30-120分钟，优选是45-60分钟。烧制后面釉的厚度通常为0.6-1.2毫米，优选是0.8-1.0毫米。
对面釉的抛光采用抛光机来进行，常规的抛光机可以例如是科达的MBKD300/600-16、REORINT的M656型、FLAM的DELTA型。这些抛光机均具备粗磨定平、精磨抛光、软磨抛光、磨边倒角四大部分，每组磨头是压力可调的。
图2是本发明彩饰釉面抛光瓷砖的生产设备的一个实施方案的示意图。彩饰釉面抛光瓷砖的生产设备依次包括底坯成型机21、底釉淋釉器22、彩饰图案印刷机23、面釉淋釉器24、釉坯烘干设备25、釉坯烧制装置26、分选装置27(可任选)、面釉抛光装置28。其中面釉抛光装置28包括粗磨机30、细磨机31、精抛光32、一道磨边33和二道磨边34。
本发明生产设备中的所有上述机器均可以是现有技术中与各道工艺相对应的常用机器，所不同的是，本发明生产设备中的各种机器具有特殊的与本发明瓷砖结构相对应的位置安排，即面釉淋釉器24位于彩饰图案印刷机23和釉坯烧制装置26之间，并且在釉坯烧制装置26之前增加釉坯烘干设备25。由此，本发明的生产设备只需对现有的设备作一些小改动，就能制备本发明的新型彩饰釉面抛光瓷砖。
以下结合实施例对本发明作进一步说明，这些实施例仅起说明作用，决不限制本发明的范围。
实施例1混合24重量份伊利石、13重量份中山泥、14重量份白土、19重量份瓷石、21重量份低温砂和9重量份硅灰石，进行研磨、均化，在喷雾塔中粉化，然后陈化24小时，在280kgf/cm2的压力下用压机成型为300×300mm2的坯料，将该坯料于1080±10℃素烧45分钟，得到底坯。
在底坯上用底釉淋釉器施涂底釉，底釉的配方是12重量份高岭土、8重量份球土、12重量份石英、54重量份长石、14重量份熔块KR-64(上海润豪陶业有限公司)、0.2重量份羧甲基淀粉和0.2重量份三聚磷酸钠(STPP)。底釉的施釉量为360±20g/m2。
用丝网印刷机在底釉上印刷彩饰图案(印花釉)。该印花釉的配方是100重量份印花釉粉、152重量份印油R-300(上海润豪陶业有限公司)、2.7重量份锆铁红、8.6重量份镨锆黄、1.7重量份钴黑。
然后，用面釉淋釉器施涂面釉，面釉的配方是27重量份熔块KR-33(上海润豪陶业有限公司)、65重量份熔块1610(大洪制釉有限公司)、8重量份高岭土、0.25重量份羧甲基淀粉和0.1重量份三聚磷酸钠(STPP)。面釉的施釉量为900g/m2，面釉厚度为1.0毫米。
在120℃的烘干炉中对釉坯进行烘干40分钟。经烘干的釉坯的含水率小于或等于0.4重量％，将其送入窑炉进行烧制，烧制时间为60分钟，最高烧成温度被控制在1160℃。烧制完成后，面釉的厚度为0.8毫米。然后进行分选，用REORINT M656型抛光机对瓷砖面釉进行抛光。
所得彩饰釉面抛光瓷砖按照ISO/DIS13006-1994陶瓷砖标准测量中心弯曲度，为±0.15％。按照GB/T13891标准用光泽度仪测定其光泽度，为99°。
实施例2按实施例1相同的方式制备底坯并施涂底釉。
用滚筒印刷机在底釉上印刷彩饰图案(印花釉)。该印花釉的配方是100重量份印花釉粉、197重量份印油R-300、14.0重量份镨锆黄、33.6重量份金棕。
然后，用面釉淋釉器施涂面釉，面釉的配方与实施例1中相同，仅将羧甲基淀粉的用量改为0.1重量份。面釉的施釉量为800g/m2，面釉厚度为0.8毫米。
在240℃的烘干炉中对釉坯进行烘干20分钟。经烘干的釉坯的含水率小于或等于0.5重量％，将其送入窑炉进行烧制，烧制时间为120分钟，最高烧成温度被控制在1050℃。烧制完成后，面釉的厚度为0.6毫米。然后进行分选，用FLAM DELTA型抛光机对瓷砖面釉进行抛光。
所得彩饰釉面抛光瓷砖按照ISO/DIS13006-1994陶瓷砖标准测量中心弯曲度，为±0.18％。按照GB/T13891标准用光泽度仪测定其光泽度，为97°。
实施例3按实施例1相同的方式制备底坯并施涂底釉。
用喷彩机在底釉上印刷彩饰图案(印花釉)。该印花釉的配方是100重量份印花釉粉、154重量份印油R-300、7.2重量份镨锆黄、4.3重量份金棕和3.2重量份钴黑。
然后，用面釉淋釉器施涂面釉，面釉的配方与实施例1中相同，仅将羧甲基淀粉的用量改为0.4重量份。面釉的施釉量为1200g/m2，面釉厚度为1.5毫米。
在70℃的烘干炉中对釉坯进行烘干4小时。经烘干的釉坯的含水率小于或等于0.2重量％，将其送入窑炉进行烧制，烧制时间为30分钟，最高烧成温度被控制在1250℃。烧制完成后，面釉的厚度为1.2毫米。然后进行分选，用科达的MBKD300/600-16型抛光机对瓷砖面釉进行抛光。
所得彩饰釉面抛光瓷砖按照ISO/DIS13006-1994陶瓷砖标准测量中心弯曲度，为±0.20％。按照GB/T13891标准用光泽度仪测定其光泽度，为95°。


公开了一种彩饰釉面抛光瓷砖，它包括底坯(11)、位于底坯上的一层底釉(12)、位于底釉层上的彩饰印花(13)和位于彩饰印花上的一层面釉(14)，所述面釉是经过抛光的。还公开了彩饰釉面抛光瓷砖的制备方法，包括底坯成型；在底坯上施加一层底釉；在底釉上印刷彩饰图案；在彩饰图案上再施加一层面釉；对施加完面釉的釉坯进行烘干；对经烘干的釉坯进行烧制；在烧制后，对瓷砖的釉面进行抛光。还公开了生产彩饰釉面抛光瓷砖的设备，依次包括如下装置底坯成型装置、在底坯上施加底釉层的装置、在底釉上印刷彩饰图案的装置、在彩饰图案上施加面釉层的装置、釉坯烘干装置、釉坯烧制装置和对面釉进行抛光的装置。