专利名称：石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置的制作方法[0002]目前，含锂的半导体在温度高于800°C时都有锂的挥发，致使生长单晶体用石英管内壁发生严重腐蚀，甚至石英管破裂；另外，现有石墨坩埚含有大量的孔隙导致表面粗糙不利于生长单晶体。采用在石英管内壁和石墨坩埚表面镀裂解碳的方法可以解决上述问题。实用新型内容[0003]本实用新型为解决生长含锂的半导体在温度高于800°C时，锂挥发导致生长单晶体用石英管内壁发生严重腐蚀、甚至石英管破裂以及现有的石墨坩埚含有大量的孔隙导致表面粗糙、不利于生长单晶体的问题，进而提供一种石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置。[0004]本实用新型为解决上述技术问题采取的技术方案是[0005]石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置包括加热炉、石英 管沉淀管、沉淀管盖、石英支架、第一进气管、第一排气管、玻璃通气管道、第二进气管、第二排气管、第一二通阀、第二二通阀、气体流量计、装高纯丙酮的容器、带有小孔的石英管和两个开关阀门，沉淀管盖端面的中心处沿其厚度方向加工有第一盖孔，沉淀管盖上位于第一盖孔的下方的端面沿其厚度方向加工有第二盖孔，带有小孔的石英管的底端管壁中心处加工有第一通孔，所述底端管壁上环绕第一通孔均匀加工有多个第二通孔，石英管沉淀管平放在加热炉内且管口设置在加热炉外，石英管沉淀管内的侧壁设置有石英支架；将待镀石墨坩埚设置在石英管沉淀管内并通过石英支架支撑，沉淀管盖紧密套装在石英管沉淀管管口处的外壁上，第一进气管的一端穿过沉淀管盖的第一盖孔设置在待镀石墨坩埚的底部，或者将待镀石英管设置在石英管沉淀管内并通过石英支架支撑，带有小孔的石英管紧密贴合设置在待镀石英管内的管口一端，沉淀管盖紧密套装在石英管沉淀管管口处的外壁上，第一进气管的一端依次穿过沉淀管盖的第一盖孔和带有小孔的石英管的第一通孔设置在待镀石英管的底部，带有小孔的石英管、待镀石墨坩埚和待镀石英管的开口方向与石英管沉淀管的开口方向相同；第一排气管的一端穿过第二盖孔设置在石英管沉淀管内的管口端，第一排气管的另一端设置在石英管沉淀管外，玻璃通气管道包括第一玻璃通气管、第二玻璃通气管、第三玻璃通气管、 第四玻璃通气管和第五玻璃通气管，第一玻璃通气管、第二玻璃通气管、第三玻璃通气管、 第四玻璃通气管和第五玻璃通气管依次连通设置为一体，第二玻璃通气管的侧壁上连通设置有第二进气管，第二进气管的侧壁上连通设置有气体流量计，第二进气管和第二玻璃通气管连接处的内部设置有第一二通阀，第四玻璃通气管的侧壁上连通设置有第二排气管， 第四玻璃通气管和第二排气管连接处的内部设置有第二二通阀，第一玻璃通气管和第五玻璃通气管的内部各设置有一个开关阀门，第一玻璃通气管和第五玻璃通气管的下端设置在装高纯丙酮的容器内，第一玻璃通气管的下端位于丙酮溶液内，第五玻璃通气管的下端位于丙酮溶液的液面上方，第一进气管的另一端与第二排气管连通固接。[0006]本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果[0007]本实用新型可在石墨坩埚或石英管表面镀裂解碳，阻碍了单晶生长原料与石墨的接触，避免了石墨坩埚内部杂质对单晶体的污染，同时保持了单晶体完整光滑的外形。带有小孔的石英管，保护了待镀石英管管口处不需要镀裂解碳的部位。控制开关阀门的启闭和调节二通阀可以改变气体流通方向，调节气体流量计控制气体流量和镀裂解碳速率，同时， 通过调节气体流量计和开关阀门的启闭调节反应速率，可操作性强、清洗方便。[0008]图1是本实用新型用于石墨坩埚镀裂解碳时的主视图，图2是本实用新型用于石英管镀裂解碳时的主视图，图3是图1和图2中沉淀管盖的左视图，图4是图3中A-A面的剖面图，图5是图2中带有小孔的石英管的左视图。[0009]一结合图1 图5说明，本实用新型的石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置包括加热炉1、石英管沉淀管2、沉淀管盖3、石英支架4、第一进气管5、第一排气管6、 玻璃通气管道7、第二进气管8、第二排气管9、第一二通阀10、第二二通阀11、气体流量计 12、装高纯丙酮的容器13、带有小孔的石英管14和两个开关阀门15，沉淀管盖3端面的中心处沿其厚度方向加工有第一盖孔3-1，沉淀管盖3上位于第一盖孔3-1的下方的端面沿其厚度方向加工有第二盖孔3-2，带有小孔的石英管14的底端管壁中心处加工有第一通孔 14-1，所述底端管壁上环绕第一通孔14-1均匀加工有多个第二通孔14-2，石英管沉淀管2 平放在加热炉I内且管口设置在加热炉I外，石英管沉淀管2内的侧壁设置有石英支架4 ； 将待镀石墨坩埚16设置在石英管沉淀管2内并通过石英支架4支撑，沉淀管盖3紧密套装在石英管沉淀管2管口处的外壁上，第一进气管5的一端穿过沉淀管盖3的第一盖孔3-1设置在待镀石 墨坩埚16的底部，或者将待镀石英管17设置在石英管沉淀管2内并通过石英支架4支撑，带有小孔的石英管14紧密贴合设置在待镀石英管17内的管口一端，沉淀管盖 3紧密套装在石英管沉淀管2管口处的外壁上，第一进气管5的一端依次穿过沉淀管盖3的第一盖孔3-1和带有小孔的石英管14的第一通孔14-1设置在待镀石英管17的底部，带有小孔的石英管14、待镀石墨坩埚16和待镀石英管17的开口方向与石英管沉淀管2的开口方向相同；第一排气管6的一端穿过第二盖孔3-2设置在石英管沉淀管2内的管口端，第一排气管6的另一端设置在石英管沉淀管2外，玻璃通气管道7包括第一玻璃通气管7-1、第二玻璃通气管7-2、第三玻璃通气管7-3、第四玻璃通气管7-4和第五玻璃通气管7-5，第一玻璃通气管7-1、第二玻璃通气管7-2、第三玻璃通气管7-3、第四玻璃通气管7-4和第五玻璃通气管7-5依次连通设置为一体，第二玻璃通气管7-2的侧壁上连通设置有第二进气管 8，第二进气管8的侧壁上连通设置有气体流量计12，第二进气管8和第二玻璃通气管7-2 连接处的内部设置有第一二通阀10，第四玻璃通气管7-4的侧壁上连通设置有第二排气管 9，第四玻璃通气管7-4和第二排气管9连接处的内部设置有第二二通阀11，第一玻璃通气管7-1和第五玻璃通气管7-5的内部各设置有一个开关阀门15，第一玻璃通气管7-1和第五玻璃通气管7-5的下端设置在装高纯丙酮的容器13内，第一玻璃通气管7-1的下端位于丙酮溶液内，第五玻璃通气管7-5的下端位于丙酮溶液的液面上方，第一进气管5的另一端与第二排气管9连通固接。晶体生长用石英管在装完原料之后，管口处需要进行熔封，而在需要熔封的部位不应有裂解碳，否则会导致熔封不严密。本实施方式设置有带有小孔的石英管14，用于保护其外部的待镀石英管17不被镀上裂解碳。[0011]二结合图3 图4说明，本实施方式的沉淀管盖3的内壁上加工有多个环形凹槽3-3，每个环形凹槽3-3内设置有一个橡胶圈3-4。如此设计，保证了石英管沉淀管2的密封良好。其他组成和连接关系与
一相同。[0012]
三结合图3 图4说明，本实施方式的沉淀管盖3的沉淀管盖3为铝制盖或铜制盖。其他组成和连接关系与
一或二相同。[0013]
四结合图5说明，本实施方式的第二通孔14-2的数量为三个。其他组成和连接关系与
三相同。[0014]工作原理步骤一从烘干设备中取出待镀石墨坩埚16或待镀石英管17放入石英管沉淀管2中，并用沉淀管盖3密封，炉体温度升高至1060°C，从第二进气管8通入高纯氩气，调节气体流量计12的读数为30-40ml/min，打开第一二通阀10使第二进气管8和第三玻璃通气管7-3相通，同时关闭两个开关阀门15，打开第二二通阀11使第三玻璃通气管 7-3和第二排气管9相通，通入高纯氩气的时间为40-60min，目的是排除石英管沉淀管2中的空气。[0015]步骤二 改变第一二通阀10的方向使第二进气管8和第一玻璃通气管7-1相通， 同时打开两个开关阀门15，改变第二二通阀11使第五玻璃通气管7-5和第二排气管9相通，调节气体流量计12，使插入丙酮溶液内部的第一玻璃通气管7-1冒出气泡速率为I个/ 秒，通高纯氩气的时间为30min (石英管镀裂解碳膜)或7-9h (石墨坩埚镀裂解碳膜)。氩气把丙酮蒸汽带入石英管沉淀管2中，并发生裂解反应，得到的裂解碳沉积到待镀器件上。[0016]步骤三再次改变第一二通阀10方向使第二进气管8和第三玻璃通气管7-3相通，改变第二二通阀11的方向使使第三玻璃通气管7-3和第二排气管9相通，同时关闭两个开关阀门15，调节气体流量计12读数为30-40ml/min，通高纯氩气时间为30min，目的是使碳膜稳定，并将加热炉I的温度降至室温。