弯曲不敏感单模光纤及其制作方法

张钊连, 张才彦, 陈炳炎

2014年9月17日

2014年3月31日

2014年3月31日

江苏科信光电科技有限公司

C03B37/025GK104049299SQ201410124462

单模 光纤 弯曲 敏感

1. 一种弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，包括纤芯和包层，纤芯折射率差为其中，&为纤芯折射率，I为包层基面折射率；纤芯外的包 - Λ. 层从内到外依次为内包层、掺氟折射率下陷包层和外包层，在包层区，掺氟折射率下陷包层 折射率差其中，％为掺氟折射率下陷包层2. 根据权利要求1所述的弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述的纤芯直径为8 μ m ?8· 5 μ m，所述的包层直径为121 μ πΓ?28 μ m，掺氟折射率下陷包层内半径为16 μ m?20 μ m， 掺氟折射率下陷包层外半径为37 μ m ~43 μ m3. 根据权利要求1所述的弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述的掺氟折射率下陷 包层包括Si02多孔基管，在所述的Si0 2多孔基管内渗透有含氟气体，形成下陷的斜坡型折 射率分布4. 根据权利要求1所述的弯曲不敏感单模光纤的制作方法，其特征在于，包括以下步 骤 (1) 用VAD法制作芯棒； (2) 用OVD法制作掺氟折射率下陷包层； (3) 在掺氟折射率下陷包层外沉积外包层，制得掺氟包层管； (4) 在掺氟包层管内插入芯棒，烧成一体； (5) 光纤拉丝，将制作完成的光纤棒拉制成光纤5. 根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步骤（1)用VAD法制作芯棒的具 体步骤为沉积起始后的石英棒向上提升，使沉积面保持在同一位置，并用两个火炬，一个 用于沉积纤芯，在Si0 2中掺杂Ge02，另一个用于沉积内包层，最后将制成的多孔质母材进行 脱水，烧结成透明的芯棒6. 根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步骤（2)用OVD法制作掺氟折射 率下陷包层的具体步骤为在靶棒上沉积Si0 2多孔体，制成Si02多孔基管，然后将Si02多 孔基管进行加热，并在Si0 2多孔基管中心通含氟气体，使含氟气体从管的中心向Si02多孔 管辐向渗透，从而形成下陷的斜坡型折射率分布，最后烧结成掺氟折射率下陷包层7. 根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤（3冲用OVD法在掺氟折射率下 陷包层外沉积Si02外包层，制得掺氟包层管8. 根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步骤（4)在掺氟包层管内插入芯 棒，烧成一体的具体步骤为先将完成步骤（3)的掺氟包层管进行加热，再将步骤（1)制作 完成的芯棒插入掺氟包层管内，并将两者烧结成一体，形成整体光纤棒9. 根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤（1)中，沉积纤芯和沉积内包层 的沉积端部的位置偏差均控制在小于50 μ m的精度10. 根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，步骤（2)中，在掺氟折射率下陷包层 烧结之前，在该管体外通用于干燥脱水的氦气和氯气，所述的含氟气体为SiF 4, CF4或C2F6

[0001] 本发明涉及数光纤领域，特别是涉及一种弯曲不敏感单模光纤及其制作方法

本发明公开了一种弯曲不敏感单模光纤及其制作方法，该弯曲不敏感单模光纤包括纤芯和包层，纤纤芯外的包层从内到外依次为内包层、掺氟折射率下陷包层和外包层。其制作方法包括以下步骤（1）用VAD法制作芯棒；（2）用OVD法制作掺氟折射率下陷包层；（3）在掺氟折射率下陷包层外沉积外包层，制得掺氟包层管；（4）在掺氟包层管内插入芯棒，烧成一体；（5）光纤拉丝，将制作完成的光纤棒拉制成光纤。本发明比传统的同类光纤具有更好的抗弯曲性能和更小的弯曲损耗，以及与G.652D有更好的兼容性，而且制作方法简单。

弯曲不敏感单模光纤及其制作方法