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一种锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜的制备方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜的制备方法,该锆钛酸钡钙的化学通式为(1-x)Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3。应用溶胶凝胶法制备不同成分的锆钛酸钡钙溶胶,依次在Pt/Ti/SiO2衬底上通过旋涂法涂覆,制备BZT-xBCT梯度厚膜,经过热处理后得到无铅锆钛酸钡钙梯度厚膜。该方法简单可靠,工艺重复性好,可操作性强。本发明制备的锆钛酸钡钙无铅梯度厚膜无孔隙、无裂纹、均匀度一致,兼具薄膜与体材料的优点,可与半导体工艺兼容。 -
一种用于厚膜工艺的介质浆料及其制备方法
专利
专利摘要: 本发明提供了一种用于厚膜工艺的介质浆料,由75wt%~93wt%的无机粉体与7wt%~25wt%的有机物制备而成;所述有机物包括5wt%~20wt%的溶剂,0.5wt%~3wt%的粘接剂,0.5wt%~4wt%的增塑剂,0.1wt%~0.5wt%的表面活性剂;所述无机粉体为陶瓷粉与玻璃粉中的一种或两种。本申请通过在介质浆料中添加无机粉体、溶剂、粘接剂、增塑剂与表面活性剂,上述各种组分相互配合、相互作用,使介质浆料具有较好的粘度与介电常数。本申请还提供了一种用于厚膜工艺的介质浆料的制备方法。实验结果表明,本发明提供的用于厚膜工艺的介质浆料的粘度最高可达280Pa.s,介电常数最高可达65。 -
提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法
专利
专利摘要: 本发明公开了提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法,包括:(1)在高真空环境中对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤,加热和抽真空同步进行,将水汽完全挥发和抽掉;(2)在高真空环境下,用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺,在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择性地形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜,在氮化铝陶瓷基片的背面整体形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜;(3)在已形成复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片正面进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻,进行常规混合集成,即得到附着力较高的氮化铝陶瓷基片。用本法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于高可靠装备系统领域。
胡娟
金牌知产顾问
215463210
全国服务热线:
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