专利摘要： 一种半导体晶片加工机台的基座结构，主要包括一外围钢框体，在外围钢框体的凹腔中固设有一由若干根钢筋连接成的立体网格状整体式的内部骨架，该立体网格状整体式内部骨架的周边与外围钢框体的内周壁接触部焊固在一起，在外围钢框体内灌注有填充物，填充物将立体网格状整体式内部骨架的镂空部充满，并使填充物、立体网格状整体式内部骨架及外围钢框体凝固连接成一体式基座。故可提高基座的强、刚性及稳定性。

专利摘要： 本专利公开了碲隔汞晶片溶剂溶液自动化清洗的动态装置，包括聚四氟乙烯多孔花篮，石英烧杯，恒温水槽，手柄，力臂杆，滑块，导轨，平行连接杆，拨杆，拨盘，滑槽，搁架。特点是；有机或无机溶剂灌入石英烧杯，石英烧杯置于恒温水槽水浴中，将碲隔汞晶片竖立于聚四氟乙烯多孔花篮中浸入灌有溶剂的石英烧杯内，聚四氟乙烯多孔花篮通过花篮手柄与力臂杆、滑块、平行连接杆等机构连接在主杆架上，整个装置通过主杆架呈弓字形结构，主杆架的下端通过固定架紧套在恒温水槽上不会因为偏重而倾斜，上端固定直流电机，提供动力后聚四氟乙烯多孔花篮呈上下运动状态，达到动态清洗的目的。

专利摘要： 本实用新型公开了一种晶片盒清洁装置，所述晶片盒清洁装置包括工作台、进气管路、排气管路、气体供给装置以及排风装置，所述气体供给装置与所述进气管路连接，所述排风装置与所述排气管路连接，所述工作台包括一腔体，所述进气管路与所述腔体连通形成进气通道，所述排气管路与所述腔体连通形成排气通道。所述晶片盒清洁装置可有效清洁晶片盒，减小颗粒对晶片损坏的可能性，提高晶片的成品率，并可保证半导体加工装置的正常运作。

专利摘要： 本实用新型涉及新型晶片锯割系统。该系统包括铸锭输入模块、铸锭输出模块、两个或更多线锯腔，其分别包括两个线引导圆筒；至少一个线，其被布置横跨两个所述线引导圆筒；支撑台，其被构造以接收单一铸锭；以及铸锭定位系统，其被构造以将布置在所述支撑台上的所述单一铸锭压靠至所述至少一个线；以及机器人，其被构造以在所述铸锭输入模块、所述两个或更多线锯腔中至少一者以及所述铸锭输出腔之间传输所述单一铸锭。

专利摘要： 一种晶片清洗机，机架上设有清洗筒，清洗筒底缘设有凸缘，盖体枢设于清洗筒上缘转盘安装于清洗筒内底部，马达设置于清洗筒下方，马达上缘利用螺钉与清洗筒底缘的下凸缘固定一体，马达输出轴的轴端锁定在转盘底缘，数个定位体固定在转盘的表面，数个限位柱是对称固定于转盘表面边缘，数个治具设置于转盘表面上，每个治具的中央设有供晶片载盘插置的插槽，每个治具顶面侧形成有槽孔，其侧面与底面分别设有测流通孔，而端面下缘对应该定位体与转盘间构成的嵌槽设有嵌体。本实用新型治具可供晶片转盘直接插接定位，并可直接嵌置定位于请系统的装盘，可免除繁琐的定位过程，具有操作方便的功效。

专利摘要： 本发明属于石英晶片用具【技术领域】，尤其涉及一种大直径超薄石英晶片的生产工艺。本发明公开了一种大直径超薄石英晶片的生产工艺，其步骤如下A把石英晶坨用线剧切割；B用双面研磨机加绿碳硅砂研磨；C在晶片一个面上用匀胶机涂上保护漆；D把晶片粘在光胶板；E把上下粘有晶片的光胶板研磨；F把双面研磨好的晶片用双面抛光机抛光；G检验合格后放入晶片盒中。本发明保证了加工石英晶片的产品精度，实现了大直径超薄片的批量生产，提高了生产效率得到大直径石英晶片生产。

专利摘要： 本实用新型是一种石英晶片腐蚀机，包括箱体，箱体内设有腐蚀液池和清洗池，在腐蚀液池和清洗池之间的台面上设有自动清洗摆动机构，自动清洗摆动机构包括的支臂上端通过转轴连接有横梁，横梁的前端连接有盛放晶片篮的清洗架，横梁内设有相互啮合的主动齿轮和从动齿轮，主动齿轮与横梁上的驱动电机输出轴相连，从动齿轮与清洗架相接；在腐蚀液池和清洗池上方分别设有与腐蚀液池连接的腐蚀液喷淋头以及与清洗池相连的清洗液喷淋头。本实用新型通过安装自动清洗摆动机构，可以使清洗架带动晶片篮在腐蚀液池和清洗池交替轮换，并使清洗架实现360°自动旋转，清洗、腐蚀更均匀，从而取代了人工操作，提高了工作效率，降低了工人劳动强度。

专利摘要： 本发明公开了一种压电双晶片用压电陶瓷材料及其制备方法，该材料组成为Pb1-p-qSrpBaq(Mg1/3Nb2/3)m(Ni1/3Nb2/3)n(Zn1/3Nb2/3)0.3-m-nZrxTiyO3+awt%Nb2O5+bwt%Li2CO3，p+q=0～0.12，m=0～0.2，n=0～0.05，x+y=0.7，x=0.3～0.4，a=0.1～0.3，b=0.1～0.3。本发明d33≥700pc/N，Kp≥60%，ε33/ε0≥5000，Tc≥200℃，是一种五元系压电陶瓷体系，不仅烧结温度低，居里温度高，而且压电和介电性能更好，机电耦合系数更高，且制备工艺简单，特别适用于贾卡导纱针上使用。

专利摘要：

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