专利名称：晶体生长炉用碳纤维复合材料预制体的制作方法半导体娃材料行业长期以“提闻娃单晶的尺寸和质量”为主要目标，由于石墨的耐高温性能和良好的化学稳定性，CZ硅单晶炉的衬套、坩埚等均采用高纯石墨制造。但是石墨有以下缺点(I)石墨的脆性大，在交变了热应力作用下容易产生裂纹，裂纹有可能改变零件的热传导性能；(2)从石墨件中挥发出来的杂质或石墨降解形成的颗粒可能会污染硅熔体，这使石墨坩埚受到较大的拉应力作用，导致刚性降低；(3)成本高，大直径的坩埚用闻品质的石墨主要依罪进口，其价格闻昂。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是本实用新型的剖面层叠示意图。如图1所示，晶体生长炉用碳纤维复合材料预制体为一个坩埚，利用三维编织机将碳纤维编织成坩埚形状的三维织物1，面密度为400克/平方米，厚度为I厘米；三维织物表面再针刺复合由多层碳纤维网毡和碳纤维织物组成的复合层2 ；如图2所示，利用气流成网机将短切纤维制成面密度为180克/平方米的碳纤维网毡21，将碳纤维网毡21覆在三维织物I上，针刺复合；[0014]再将面密度为200克/平方米的碳纤维织物22覆在碳纤维网毡21上针刺复合；依次再覆盖碳纤维网毡21、碳纤维织物22，直到厚度达到要求，最外层为碳纤维网毡。针刺密度为28针/平方厘米，针刺深度为15毫米逐层针刺，层间密度为13层/厘米，得到体积密度为O. 5 4克/立方厘米适用于晶体生长炉用的坩埚。