专利名称：处理电子元件的方法及装置的制作方法图1中。该装置包括用于容纳电子元件11的处理室10。加热溶剂源15可操作地通过管道17连接到处理室10，用于将加热溶剂引入处理室10。臭氧源20和去离子水(DI)源22可操作地连接到处理室10，用于将臭氧化处理流体提供到处理室10。在图1的实施例中，加热溶剂源15包括蒸馏器25，用于从溶剂源27接收溶剂并且加热溶剂以形成加热溶剂蒸气。在蒸馏器25上优选地提供压力发送器29和/或温度发送器30，用于监测加热溶剂蒸气的压力和/或温度。压力和温度发送器29和30可选地连接到处理器32以形成反馈回路，从而可以自动调节加热溶剂蒸气的温度。水位探针33可选地与蒸馏器25相关，用于监测蒸馏器25中的溶剂的水位。在一个特定的实施例中，水位探针33是能够自动监测与蒸馏器相关的再补充设定点的全长模拟水位探针。蒸馏器25通过管道17连接到处理室10。优选加热管道17以在蒸馏器25和处理室10之间将溶剂维持在其气态。气体源35也连接到管道17以从处理室10取代流体。在其他的实施例中，气体源35可用于促进加热溶剂蒸气向处理室10的输送和/或用于在处理室10中维持一个压力。在最优实施例中，气体源35是氮气源。能够用于加热溶剂的溶剂的示例是醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇或叔戊醇、丙酮、乙腈、六氟丙酮、硝基甲烷、乙酸、丙酸、乙二醇单甲醚、二氟乙烷、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、1，1，2-三氯-1，2，2-三氟乙烷、1，2-二氯乙烷、三氯乙烷、全氟-2-丁基四氢呋喃、全氟-1，4-二甲基环乙烷、或者它们的结合。优选地，该处理化学制品是C1到C6醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、叔戊醇、戊醇、己醇、或它们的结合。在一个最优实施例中，使用加热到大约82℃的温度的异丙醇(IPA)。加热的IPA具有大约15000埃/分钟(?/min)的光致抗蚀剂蚀刻速率。臭氧源20和DI源22包括任何用于将臭氧化处理流体传送到处理室10的各种结构。尽管臭氧源20和DI源22应该提供其中臭氧的浓度尽可能高的臭氧化处理流体，可以使用在标准温度和压力(25℃，1atm)下能够提供臭氧浓度(以每体积臭氧化处理流体的臭氧重量表达)为从大约10g/m3到大约300g/m3、从大约50g/m3到大约250g/m3、以及从大约100g/m3到大约200g/m3的臭氧源和DI源。尽管暴露在电子元件中的臭氧化处理流体的温度将依据所选择的臭氧化处理流体，大体上，臭氧化处理流体的温度优选地从大约20℃到大约145℃，更优选从大约40℃到大约120℃。在暴露在电子元件过程中的臭氧化处理流体的压力优选地从大约0psig到大约20psig，更加优选地从大约1psig到大约10psig，最优选地从大约1psig到大约5psig。在臭氧化处理流体中可能存在其他处理流体。其他处理流体的示例包括水、硫氨酸、盐酸、过氧化氢、氢氧化氨、氢氟酸(缓冲或非缓冲)、氟化氨、磷酸、硝酸、王水、或它们的组合。由于乙酸是羟基的清除剂，当气体臭氧在反应室中时，优选反应室中几乎没有乙酸，以防止羟基被清除。在臭氧化处理流体中可能存在其他处理流体以在臭氧化处理流体中优选提供臭氧与其他处理流体的摩尔比为大约1∶90到大约40∶1。这里使用的术语“处理室”和“反应室”指的是容器(相对环境封闭的或开放的)、容器槽、湿台和适合用于湿处理电子元件的其他储器。术语“单容器”指的是在整个湿处理序列中电子元件被保持在一个处理室中的任何湿处理系统。本发明可以使用处理室10来进行，该处理室10通常包括任何已知的湿处理系统例如包括多容器槽系统(例如湿台)和单处理室系统(相对环境封闭的或开放的)。例如，参见Handbook of SemiconductorWafer Cleaning Technology(半导体晶片清洁技术手册)(由Werner Kern编辑、Noyes Publication Parkridge出版，New Jersey，1993)的第一章Werner Kern的Overview and Evolution of Semiconductor WaferContamination and Cleaning Technology(半导体晶片污染和清洁技术的概述和演变)，和第三章Don C.Burkman、Donald Deal、Donald C.Grant和Charlie A.Peterson的Aqueous Cleaning Processes(水清洁过程)；和Ultraclean Technology Handbook(超净技术手册)第一卷(由Tadahiro Ohmi编辑、Marcel Dekker出版)中的Hiroyuki Horiki和TakaoNakazawa的Wet Etch Cleaning(湿蚀刻清洁)。上述文献中公开的内容在这里整体上引入作为参考。然而，特别是在要避免臭氧化处理流体中的气泡的应用中(例如对于憎水性晶片或含有憎水性区域的晶片的处理)，优选使用可封闭的容器槽。
在发明的一个实施例中，电子元件11放置在单处理室系统中。优选地，使用诸如那些公开在美国专利4,778,532、4,917,123、4,911,761、4,795,497、4899,767、4,984,597、4,633,893、4,917,123、4,738,272、4,577,650、5,571,337和5,569,330中的单处理室系统，其中上述文献中公开的内容在这里整体上引入作为参考。优选的商业中可用的单处理室系统是如由Mattson Technology公司生产的那些Omni(全向)和Hybrid(混合)容器、以及由Dainippon Screen生产的FL820L。优选这些系统的原因是杂质气体和污染水平能够被更容易地控制。
单容器湿处理系统还优选包括测量设备，如控制阀和/或泵，用于将化学试剂从存储箱区域37输送到反应室10。例如个人计算机的处理控制系统通常也用于监视处理条件(例如流速、混合率、暴露次数和温度)的装置。例如，处理控制系统可用于编排化学试剂和去离子水的流速，从而使得在反应性化学处理流体中存在化学试剂的适当浓度。
在本发明的最优选实施例中，电子元件11在可封闭的单湿处理室系统中被湿处理。处理室10优选地被增压使得臭氧化处理流体可以维持在超过大气压的压力(例如大约2psig)。在处理室10中将臭氧化处理流体维持在压力之下可能是必要的以防止在臭氧化处理流体中形成臭氧气泡。当正在加工的电子元件是憎水性的或含有憎水性区域时，应当特别避免气泡。此外，湿处理系统的处理室10内的升高的压力可对维持处理室10内的高臭氧扩散率有益，从而提高处理效率。
也优选可封闭的单湿处理室系统能够以各种顺序接收不同的处理流体。将处理流体传送到处理室的优选方法是通过直接用另一种流体取代一种流体。由Mattson Technology公司制造的采用了Full FlowTM技术的全向湿处理系统是能够通过直接排代来传送流体的系统的一个示例。另外，通常在电子元件的化学处理中使用的化学物质非常危险，这在于他们可能是强酸、碱金属或挥发性溶剂。通过避免化学物质的大气污染和人员接触、以及通过使化学物质的操作更加安全，封闭的单处理室使得与这样的处理流体相关的危险最小化。
可选的，压力发送器38可操作地与处理室10相关，用于监视处理室10中的压力。可选的，压力发送器38也连接到处理器32，用于自动地控制电子元件11的处理。可选的，该装置还包括与处理室10相关的调节器39，用于控制处理室10中的载体气体和加热溶剂蒸气的分压。在一个实施例中，调节器39包括装有圆顶的调节器。可选的，调节器39也连接到处理器32，用于自动地控制电子元件的加工。处理室10中优选地具有水位探针42，用于监测处理室10中的液体的水位。在一个实施方案中，水位探针42包括一种电容式水位探针。提供了泵45，用于从处理室10中排出流体。如下面所述，泵45被操作以维持来自处理室10的所需流率，从而允许加热溶剂层以被控制的速率通过电子元件11。可选的，提供了再循环器47，用于接收来自处理室10的含有溶剂的流体并且将溶剂再循环给溶剂源27。
优选地，湿处理系统将包括用于化学试剂，如氢氧化铵(NH4OH)或氢氟酸(HF)的存储箱；以及用于传送用于漂洗电子元件和稀释化学试剂的去离子水的系统。优选地，化学试剂以其浓缩的形成存储，也就是过氧化氢(H2O2)(31％)、NH4OH(28％)、盐酸(HCl)(37％)、HF(49％)，以及硫酸(H2SO4)(98％)(百分比代表在水溶液中的重量百分比)。优选地，将存储箱设置成与加工电子元件11的反应室10流体相通。
在操作中，该装置用于加工电子元件11，该电子元件11放置在处理室10中，首先将电子元件11暴露在加热溶剂中，然后将元件11暴露在臭氧化处理流体中。一个或者多个电子元件11被放置在处理室10中，并且电子元件11被以一种或多种可选的化学处理流体预先处理。在预处理之后，优选地，漂洗流体(例如去离子水)被加入到处理室10中，从而在处理室10中的漂洗流体的水位足以完全覆盖电子元件11。例如，当电子元件被以DI水漂洗时，DI水源22工作，以用DI水填充处理室10。然后，蒸馏器25被操作以通过管道17把加热溶剂送到处理室10。在优选实施例中，加热溶剂以蒸气相进入处理室10并在处理室10中存在的流体上冷凝，以形成溶剂层。蒸馏器25被操作足够的时间以形成具有所需厚度的加热溶剂层。尽管溶剂层的厚度可以有较大的变化，在大约1cm到大约2cm之间的溶剂层通常足够用于大多数应用，以在加工时间和溶剂的消耗之间提供好的平衡。例如，如图2所示，具有大约1cm厚度的溶剂层50可被用于加工电子元件11，例如具有大约20cm直径的平的圆形半导体晶片。使用薄的加热溶剂层50(相比于整个容器槽的溶剂)还降低了溶剂的消耗，并且允许在一次使用之后将溶剂丢弃。例如，仅仅使用一薄层IPA，600mL的IPA可以加工100个半导体晶片。尽管，对于使用FullFlowTM技术的全向系统，通常通过在更冷的流体表面上冷凝加热溶剂蒸气来产生加热溶剂层50，也可以使用以加热溶剂加工电子元件的其他方法，包括使用喷嘴在电子元件上喷射加热溶剂。
一旦溶剂层50达到其所需的厚度，泵45被操作，以被控的速率从处理室10排干漂洗流体。如图3a和3b所示，当漂洗流体从处理室10被排干时，溶剂层50跨过电子元件11。一旦足够量的漂洗流体被去除以使得溶剂层50已经移动经过电子元件11的整个表面，泵45可以停止。优选地，溶剂层50跨过电子元件11的表面的速率被控制，从而沿着电子元件11表面的每个点暴露在加热溶剂中大约一分钟。例如，参考图2，当1cm厚的加热的IPA层用于扫掠具有20cm直径的晶片时，去除大约12000?的光致抗蚀剂层的总扫掠时间只有大约16分钟。
在电子元件11暴露在加热溶剂中之后，残留的有机层可能保留在电子元件11上。因此，优选地，电子元件11暴露在臭氧化处理流体(例如臭氧化去离子(DI)水)中以去除残留的有机层。电子元件11可以以由臭氧化处理流体浸湿电子元件表面的任何方式暴露在臭氧化处理流体中。例如，电子元件11可以浸入并从臭氧化处理流体中取出。电子元件11也可以放置在处理室10中，其中处理室10接着被充满臭氧化处理流体，然后排干臭氧化处理流体。臭氧化处理流体也可以作为喷雾或薄雾施加到电子元件11上。电子元件11暴露在臭氧化处理流体中的时间足以去除残留的有机层。所选的时际暴露时间也将取决于诸如下列所述的变量臭氧化处理流体的温度、压力和成分；以及电子元件11的表面的成分。优选地，与臭氧化处理流体的暴露时间将持续至少30秒。X光光电放射光谱(XPS)测量显示，残留的有机层通常为大约30到50?厚。因此，优选电子元件暴露在臭氧化处理流体中大约30秒到大约10分钟之间，并且更优选在大约4分钟到大约8分钟之间。
除了加热溶剂和臭氧化处理流体以外，电子元件11可暴露在任何数量的其他反应性化学处理流体(例如气体、液体、蒸气或它们的任何结合)中以达到所需的结果。例如，电子元件11可暴露在用于蚀刻、生长氧化层；去除光致抗蚀剂；增强清洁；或它们的结合的反应性化学处理流体中。在湿处理方法中，电子元件11也可在任何时刻以漂洗流体漂洗。优选地，反应性化学处理流体和漂洗流体是液体。这样的加工步骤在下列时刻有选择地执行(1)在将元件暴露在加热溶剂中之前；(2)在将元件暴露在加热溶剂中之后但在将元件暴露在臭氧化处理流体中之前；(3)在将元件暴露在臭氧化处理流体中之后但在将元件暴露在可选的干燥处理流体中之前；和/或(4)在将元件暴露在可选的干燥处理流体中之后。优选地，加工步骤在将元件暴露在臭氧流体中之后但在将元件暴露在可选的干燥处理流体中之前进行。例如，将加工流体或其他化学物质注入到容器模块的处理室中的合适的方法和系统在美国专利4,778,532、4,917,123、4,795,497和4,899,767中描述。上述文献中公开的内容在这里整体上引入作为参考。
在本发明中有用的可选的反应性化学处理流体含有一种或多种化学反应剂以达到所需的表面加工。优选地，以反应性化学处理流体的重量为基础，这样的化学反应剂的浓度将大于1000ppm，并且更优选地大于10000ppm。然而，在臭氧的情况下，通常该浓度等于或大于大约10ppm，并且更优选地从大约10ppm到大约50ppm。化学反应剂的示例包括例如盐酸或包括盐酸的缓冲液、氢氧化铵或包括氢氧化铵的缓冲液、过氧化氢、硫酸或包括硫酸的缓冲液、硫酸和臭氧的混合液、氢氟酸或包括氢氟酸的缓冲液、铬酸或包括铬酸的缓冲液、磷酸或包括磷酸的缓冲液、乙酸或包括乙酸的缓冲液、硝酸或包括硝酸的缓冲液、氟化铵缓冲的氢氟酸、去离子水和臭氧、或者它们的组合。
反应性化学处理流体也可能含有100％的一种或多种化学反应剂。例如，可能需要以诸如丙酮、N-甲基吡咯烷酮或它们的组合的溶剂暴露在电子元件中。例如，这样的溶剂是用于去除有机物或提供其他清洁优点的化学反应剂。
在本发明中有用的优选的反应性化学处理流体的示例包括清洁流体、蚀刻流体、和光致抗蚀剂去除流体。清洁流体通常包括诸如酸或碱的一种或多种腐蚀剂。用于清洁的合适的酸包括例如硫酸、盐酸、硝酸或王水。合适的碱包括例如氢氧化铵。在清洁流体中的腐蚀剂所需浓度将取决于所选的特定的腐蚀剂和需要清洗的量。这些腐蚀剂也可与诸如臭氧或过氧化氢的氧化剂一起使用。优选的清洁溶液是含有水、氨水和过氧化氢的“APM”溶液，以及含有水、过氧化氢和盐酸“HPM”溶液。对于HPM溶液，通常的浓度范围是大约5∶1∶1到大约200∶1∶1的体积份数的H2O∶H2O2∶NH4OH。对于APM溶液，通常的浓度范围是大约5∶1∶1到大约1000∶0∶1的体积份数的H2O∶NH4∶HCl。合适的蚀刻溶液含有能够去除氧化物的试剂。使用的普通的蚀刻剂例如是氢氟酸、缓冲的氢氟酸、氟化铵、或在溶液中产生氢氟酸的其他物质。含有氢氟酸的蚀刻溶液可含有例如从大约4∶1到大约1000∶1重量份的H2O∶HF。本领域的普通技术人员将认识到有多种处理流体可在湿处理中使用。在湿处理中能够使用的处理流体的其他示例在ThinFilm Processes(薄膜处理)(由John L. Vossen等人编辑、由AcademicPress出版，NY 1978，第401-496页)中的Werner Kern等人的“ChemicalEtching”(化学蚀刻)公开。上述文献中公开的内容在这里整体上引入作为参考。
在本发明的方法中，电子元件11也可暴露在漂洗流体中。可以选择能够达到上述效果的任何漂洗流体。在选择漂洗流体中，应该考虑下列因素如要被漂洗的电子元件的表面的性质、溶解在反应性化学处理流体中污染物的性质、以及待漂洗的反应性化学处理流体的性质。而且，所提出的漂洗流体应该与暴露在流体中的构造的材料相兼容(例如相对地非反应性)。可以使用的漂洗流体包括例如水、有机溶剂、有机溶剂的混合液、臭氧水、或他们的组合。优选的有机溶剂包括下文公开的那些可用作干燥溶液的有机化合物，如C1到C10醇并优选为C1到C6醇。优选地，漂洗流体是液体，并且更优选地，漂洗流体是去离子水。
漂洗流体也可选地含有少量的活性剂以增强漂洗。例如，漂洗流体可以是盐酸或乙酸的稀释水溶液，以防止例如在电子元件的表面上的金属沉积。表面活性剂、防腐蚀剂和/或臭氧是在漂洗流体中使用的其他添加剂。在漂洗流体中这样的添加剂的浓度极小。例如基于漂洗流体的总重量，该浓度优选不大于大约1000ppm重量，并且更优选不大于大约100ppm重量。在臭氧的情况下，在漂洗流体中臭氧的浓度优选为5ppm或更低。
本领域的普通技术人员将认识到，反应性化学处理流体的选择、反应性化学处理流体和漂洗流体的顺序、以及加工条件(例如处理流体的温度、浓度、暴露时间和流速)将取决于所需的湿处理结果。例如，在一个或多个化学处理步骤之前或之后，电子元件可能暴露在漂洗流体中。作为选择，在一些湿处理方法中，可能需要一个化学处理步骤紧接着另一个化学处理步骤，而不需要在两个化学处理步骤之间使电子元件暴露在漂洗流体中(例如没有插入漂洗)。没有插入漂洗的此类顺序的湿处理在例如1996年7月19日提交的美国申请08/684,543中描述。上述文献中公开的内容在这里整体上引入作为参考。
在本发明的优选实施例中，电子元件11暴露在至少一个是液体(例如处理溶液)的处理流体中，以随后暴露在臭氧化处理流体中以去除反应副产品或残留的化学物质(诸如氧化的有机物)。当臭氧化处理流体被用于从电子元件的表面去除有机物时，这个随后的暴露在电子元件中是特别优选的。处理溶液可以是反应性化学处理流体或漂洗流体或它们的结合。
例如，在本发明的一个实施例中，在暴露在臭氧化处理流体中之后，电子元件11暴露在清洁溶液，如APM溶液、HPM溶液、和/或氢氟酸溶液中。APM溶液、HPM溶液和蚀刻溶液可按照任何序列使用。在优选实施例中，电子元件11暴露在下列溶液中具有浓度大约80∶3∶1的体积份数的H2O∶H2O2∶NH4OH的HPM溶液；具有浓度大约80∶1∶1的体积份数的H2O∶NH4∶HCl的APM溶液；和/或具有浓度大约4∶1到大约1000∶1的体积份数的H2O∶HF的氢氟酸溶液。优选地，APM、HPM和/或氢氟酸溶液在从大约15℃到大约95℃的温度下，并且更优选地在大约25℃到大约45℃。优选地，漂洗流体在从大约15℃到大约90℃的温度下，并且更优选地在大约25℃到大约30℃。APM、HPM和/或氢氟酸溶液的使用对于清洁和蚀刻特别有用。在暴露在APM、HPM和/或氢氟酸溶液进行中以后，电子元件11可选地被漂洗液体(诸如去离子水)漂洗。
在本发明的另一个实施例中，在暴露在臭氧化处理流体中以后，电子元件11暴露在蚀刻溶液中。在蚀刻溶液含有氢氟酸，优选地，氢氟酸的温度从大约15℃到大约95℃，并且更优选地在大约24℃到大约40℃。在蚀刻之后，电子元件可暴露在漂洗流体(比如去离子水)中。优选地，漂洗流体的温度从大约15℃到大约90℃，并且更优选地在大约25℃到大约30℃。
在以臭氧化处理流体、反应性化学处理流体或漂洗流体进行湿处理之后，优选地，电子元件11被干燥。被“干(dry)”或“干燥(drying)”意味着电子元件优选地被基本上去除液滴。通过在干燥中去除液滴，当液滴蒸发时，在液滴中存在的杂质不再保留在半导体基片的表面上。这样的杂质不受欢迎地在半导体基片的表面上留下痕迹(例如水印)或其他残余物。然而，也预期干燥可简单地涉及以干燥流体流的帮助去除处理或漂洗流体，或者通过本领域普通技术人员已知的其他方法。可以使用任何干燥方法或系统。干燥的合适方法包括例如蒸发、在旋转漂洗干燥器中的离心力、蒸或者化学干燥、或者它们的组合。在优选实施例中，不从处理室中去除电子元件而在单处理室中执行湿处理和干燥。合适的干燥方法还包括在电子元件11的表面上留下一层薄膜或其一部分的方法。
干燥的优选方法使用干燥流体流以直接排代电子元件11在干燥前接触的最后处理溶液(下文称为“直接排代干燥”)。用于直接排代干燥的合适的方法和系统在例如美国专利4,778,532、4,795,497、4,911,761、4,984,597、5,571,337和5,569,330中披露。能够使用的其他直接排代干燥器包括由诸如Mattson Technology公司的制造商提供的Marangoni类型的干燥器。优选地，干燥流体流从部分或全部蒸发的干燥溶液中形成。干燥流体流可以是例如过热的、蒸气和液体的混合物、饱和的蒸气或蒸气和不可压缩的气体的混合物。
选出的形成干燥流体流的干燥溶液优选可与处理室10中的最后处理流体混合，并且与电子元件11的表面不起反应。干燥溶液还优选具有相对低的沸点以利于干燥。由于水是用于化学处理或漂洗流体的最方便和常用的，与水形成最低沸点共沸混合物的干燥溶液是特别优选的。例如，优选干燥溶液选自在大气压下沸点低于大约140℃的有机化合物。可以应用的干燥溶液的示例是蒸气、醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇或叔戊醇、丙酮、乙腈、六氟丙酮、硝基甲烷、乙酸、丙酸、乙二醇单甲醚、二氟乙烷、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、1，1，2-三氯-1，2，2-三氟乙烷、1，2-二氯乙烷、三氯乙烷、全氟-2-丁基四氢呋喃、全氟-1，4-二甲基环乙烷、或者它们的结合。优选地，干燥溶液是C1到C6醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、叔戊醇、戊醇、己醇、或它们的结合。
在干燥之后，电子元件可被从干燥处理室中去除并以任何需要的方式进一步加工。
通过参考下面的实施例，该发明的这些和其他方面和优点可被进一步理解，其中提供下面的实施例仅用于说明本发明，并不意味着以任何方式限制本发明。
在加热IPA中的大块光致抗蚀剂(硬的、烘干的、没有掺杂的物质，或者由硼掺杂的)的蚀刻率以时间的函数确定。留在晶片上的光致抗蚀剂用Rudolph ellipsometer Caliber 300(鲁道夫椭球偏光计口径300)进行测量。结果示于图4。图4的数据显示在加热IPA中的光致抗蚀剂的蚀刻率是均匀的并且在大约12000?/分的级别上。然而，X光光电放射光谱(XPS)测量显示在暴露在加热IPA中之后，有机材料的薄残余物留在晶片上。该层在30到50?厚的级别上。当以加热IPA处理过的晶片随后暴露在臭氧化DI水中时，当以使用颗粒扫描或XPS的椭球偏光计检验晶片的表面时，没有任何残余物在表面上的证据。
为了比较的目的，臭氧化去离子水单独的蚀刻率也被测量。参考图5，当臭氧浓度足够高时，在大约100?/分到大约200?/分之间的蚀刻率很容易获得。这样的蚀刻率太慢了以至于无法在商业可行的方法中去除大块的光致抗蚀剂(其通常为大约12000?厚)。然而，当那些元件被诸如异丙醇的加热溶剂预处理时，臭氧去离子水的蚀刻率适于去除留在电子元件上的大块的有机层。
本领域的普通技术人员将意识到，对本发明的优选实施例可以进行多种变化和改进，并且进行这样的变化和改进将不会脱离该发明的精髓。因此，随附的权利要求覆盖了落在该发明的真正范围和精髓中的所有等效变化。


一种处理电子元件(11)的方法，其中电子元件(11)暴露在加热溶剂(15)中，并且随后暴露在臭氧化处理流体中。可选的，通过将电子元件(11)暴露在加热溶剂的经过层中，使电子元件(11)暴露在加热的溶剂(15)中。还提供了一种处理电子元件(11)的装置，其具有加热的溶剂(15)和臭氧化的流体。