积层陶瓷基板的切断方法 [0002]先前，在将在陶瓷基板上积层有金属层的积层陶瓷基板切断的情形时，多为使用切割锯等进行切断。此外，在专利文献1中提出一种玻璃陶瓷基板的切断方法，即在多次以轻负荷对玻璃陶瓷基板划线之后，将该玻璃陶瓷基板切断。 [0003]〔先前技术文献〕 [0004]〔专利文献〕 [0005]〔专利文献1]日本专利特开2001-113521号公报

[0006][发明所要解决的问题]
[0007]在专利文献1中，多次对玻璃陶瓷基板划线，但并非为将积层有玻璃层与陶瓷层的积层陶瓷基板切断的方法。
[0008]虽针对积层有玻璃层与陶瓷层的积层陶瓷基板的开发不断向前推进，但其切断方法却并未确立。本发明的目的在于可将包含玻璃层的陶瓷基板完全切断而使之个体化。
[0009]〔解决问题的技术手段〕
[0010]为解决所述课题，本发明的积层陶瓷基板的切断方法是积层有具有1004！！！以上的膜厚的玻璃层、及具有1004 以上的膜厚的至少1层陶瓷层的积层陶瓷基板的切断方法；在所述积层陶瓷基板的一表面沿预定切断线形成第1划线，且在所述积层陶瓷基板的另一表面沿预定切断线形成第2划线，并沿所述第1或第2划线压抵切断杆进行切断，由此将积层陶瓷基板沿划线切断。
[0011]此处，所述积层陶瓷基板也可为在玻璃层的两表面积层有第1、第2陶瓷层者。
[0012]此处，所述玻璃层及陶瓷层也可为具有100 4 111?500 4 111的膜厚者。
[0013][发明的效果]
[0014]根据具有所述特征的本发明，对积层有玻璃层与陶瓷层的积层陶瓷基板自两表面划线而进行切断。因此可获得如下效果，即，可将积层陶瓷基板完全切断为所期望的形状而使之个体化，且可使端面精度提闻。




[0015]图1(幻-图1(6)是表示本发明的第1实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
[0016]图2(幻-图2(6)是表示本发明的第2实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
[0017]图3(幻-图3(6)是表示本发明的第3实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
[0018]图4(幻-图4(6)是表示本发明的第4实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。


[0019]下面，对本发明的第1实施方式进行说明。图1(3)是表示积层有玻璃层11与陶瓷层12的，作为本实施方式的切断对象的积层陶瓷基板(以下，简称积层基板)10的图。玻璃层11的板厚为100”以上，例如设为100?500”。陶瓷层12的板厚为100 ,以上，例如设为 100 ?500^111。此处，关于陶瓷层 12，也可为00-^11-6(1
低温共烧陶瓷)层、氧化招(11100,111811 161111)61-81:111-6 00-^1-0(1 06X0.^10 (高温共烧陶瓷”、氮化铝、钛酸钡、肥粒铁、氮化硅等陶瓷、即所谓的细陶瓷。
[0020]而且，在以特定的图案切断该积层基板10的情形时，首先如图1(6)所示股自玻璃层11沿预定切断的线，通过未图示的划线装置按压划线轮13并使之转动而形成第1划线31。用于该划线的划线轮13，也可为普通的划线轮(在形成划线(划线)时的加工部位(刃尖)的最外周边部的棱线上未形成缺口或槽的普通的划线轮)，但也可为在刃尖形成有缺口或槽的划线轮(日本专利文献3074143号、日本专利文献5022602号、日本专利文献5078354号、日本专利文献5055119号等)。一股而言，通过使用在刃尖形成有缺口或槽的划线轮，划线时的刃尖的切入性佳，此外，虽也取决于缺口或槽的形成间隔，但就缺口或槽的各者的最外周边方向的长度长于被缺口或槽遮断的棱线(突起)的各者的最外周边方向的长度的划线轮型刃尖)，尤其是缺口或槽的深度超过5 4 %尤其是超过10^ ！！！的？型刃尖而言，可形成高渗透的划线。另一方面，就缺口或槽的各者的最外周边方向的长度短于被缺口或槽遮断的棱线(突起)的各者的最外周边方向的长度的划线轮(八型刃尖)，尤其是缺口或槽的深度为5 4 以下，尤其是3 4 ！！！以下的八型刃尖而言，虽有难以实现高渗透的倾向，但有切断后的基板端面的状态不易发生不良的倾向。此处，优选使用在刃尖形成有槽(缺口)的刀轮，虽也取决于基板的厚度，但在基板的厚度较薄的情形时(例如为500^ III以下的情形时)优选八型刃尖，在基板的厚度较厚的情形时(例如超过500 9 III的情形时)优选？型刃尖。例如在日本专利文献3074143号中提出一种划线轮，其在圆周面上隔开特定间隔而形成有多个槽，且使该等槽之间为突起而实现高渗透。
[0021]其次如图1(0所示股，反转积层基板10，自划线31的正上方通过未图示的划线装置按压划线轮13并使之转动而形成第2划线32。
[0022]其次，如图1((1)所示股使用切断装置，并在一对支持部件14、15的上表面配置带16，以划线32位于支持部件14、15的中间的方式配置积层基板10。然后，自该积层基板10的上部朝向陶瓷层12的表面，自划线32的正上方下压切断杆17而进行切断。
[0023]如此一来，如图1(6)所示股，可将积层基板10沿划线31、32完全切断而使之个体化，且可使端面精度提高。通过以格子状进行该积层陶瓷基板的切断而可形成个体的积层基板芯片。
[0024]该实施方式中，自玻璃层11侧划线，但也可自陶瓷层12侧划线。该实施方式中，将切断杆压抵于陶瓷层12而进行切断，但也可将切断杆压抵于玻璃层11而进行切断。此夕卜，也可自玻璃层11与陶瓷层12这两者进行切断。
[0025]接下来，对本发明的第2实施方式进行说明。第2实施方式中，积层陶瓷基板20如图2(4所示股为在玻璃层21的下表面积层有两层陶瓷层22、23的基板。另外，玻璃层21、陶瓷层22、23的板厚与第1实施方式相同。该情形也与第1实施方式相同，如图2 (幻所示股，对玻璃层21划线而形成划线31。其次如图2(0所示股反转积层基板20，自划线81的正上方通过未图示的划线装置按压划线轮13并使之转动而形成第2划线32。
[0026]其后，如图2((1)所示股反转积层陶瓷基板20，并将切断杆17压抵于陶瓷基板23而进行切断。
[0027]如此一来，如图2 (6)所示股，可将积层基板20沿划线31、32完全切断而使之个体化，且可使端面精度提高。通过以格子状进行该积层陶瓷基板的切断而可形成个体的积层基板芯片。
[0028]该实施方式中，自玻璃层21侧划线，但也可自陶瓷层23侧划线。该实施方式中，将切断杆压抵于陶瓷层22而进行切断，但也可将切断杆压抵于玻璃层21而进行切断。此外也可自玻璃层21与陶瓷层23这两者进行切断。
[0029]其次，对本发明的第3实施方式进行说明。第3实施方式中，积层陶瓷基板30如图3(4所示股为积层有玻璃层31、陶瓷层32、玻璃层33的基板。另外，玻璃层31、33、陶瓷层32的板厚与第1实施方式相同。该情形也如图3(4所示股对一玻璃层，此处对玻璃层31划线而形成划线31。其次如图3(0所示股，反转积层基板30，自划线51的正上方通过未图示的划线装置按压划线轮13并使之转动而形成第2划线32。
[0030]其后，如图3 ((1)所示股反转积层陶瓷基板30，并将切断杆17压抵于玻璃层33而进行切断。
[0031]如此一来，如图3 (6)所示股，可将积层基板30沿划线31、32完全切断而使之个体化，且可使端面精度提高。通过以格子状进行该积层陶瓷基板的切断而可形成个体的积层基板芯片。
[0032]该实施方式中，自玻璃层31侧划线，但也可自玻璃层33侧划线。该实施方式中，将切断杆压抵于玻璃层33而进行切断，但也可将切断杆压抵于玻璃层31而进行切断。此外也可自玻璃层31与玻璃层33这两者进行切断。
[0033]接下来，对本发明的第4实施方式进行说明。第4实施方式中，如图4(3)所示股将陶瓷层41、玻璃层42、陶瓷层43积层为3层的积层陶瓷基板40切断。另外，陶瓷层41、43、玻璃层42的板厚与第1实施方式相同。在该实施方式中，也如图4(6)所示股自划线装置沿预定切断的线将划线轮13按压于任一陶瓷层、例如陶瓷层41并使之转动而形成第1划线31。在使用高渗透型的划线轮的情形时，也有裂纹渗透至内部的玻璃层42的情形。
[0034]其次，如图4(0)所示股，反转积层基板40，自划线51的正上方使用未图示的划线装置按压划线轮13并使之转动而形成第2划线32。
[0035]其次如图4((1)所示股，使用切断装置在一对支持部件14、15的上表面载置带16，以划线32位于支持部件14、15的中间的方式配置积层基板20。然后，自该积层基板20的上部朝向陶瓷层43的表面，自划线32的正上方下压切断杆17而进行切断。
[0036]如此一来，如图4 (6)所示股，可将积层基板20沿划线31、32完全切断而使之个体化，且可使端面精度提高。通过以格子状进行该积层陶瓷基板的切断而可形成个体的积层基板芯片。
[0037]该实施方式中，自陶瓷层41侧划线，但也可自陶瓷层43侧划线。该实施方式中，将切断杆压抵于陶瓷层43而进行切断，但也可将切断杆压抵于陶瓷层41而进行切断。此外也可自陶瓷层41与陶瓷层43这两者进行切断。
[0038]另外，在所述的各实施方式中，划线轮的种类可根据所要划线的玻璃层或陶瓷层的材质或厚度、硬度等而适当地选择最佳的划线轮。关于划线轮的刃尖的角度或划线负荷等，也可结合于陶瓷基板而适当地选择。一股而言若为肥粒铁，则较浅的划线即可，至于1100,由于根据进行烧结的温度或添加物等而性质大不同，因此使用与该基板相符的刃尖角度与种类的划线轮及划线负荷。
[0039]此外，各实施方式中，在图1(4、图1(0、图2(4、图2⑷、图3(4、图3⑷、图4(4、图4(0的步骤中，使用划线装置并使划线轮转动而执行划线，但也可通过激光划线装置进行划线。对于该激光划线，也可为在刚通过激光加热后便进行冷却来使划线渗透的激光划线装置，也可为提高激光自身的输出而使基板熔融来进行划线。此外，也可为断断续续地照射激光而使照射位置不同来进行划线的激光划线装置。
[0040]〔产业上的可利用性〕
[0041]本发明可对异质材料的积层陶瓷基板使用划线装置与切断装置而容易地进行切断，且对微小的积层基板的制造较为有效。
[0042][符号的说明]
[0043]10、20、30、40 积层陶瓷基板
[0044]11、21、31、33、42 玻璃层
[0045]12、22、23、32、41、43 陶瓷层
[0046]13划线轮
[0047]14、15支持部件
[0048]16带
[0049]17切断杆