用于蚀刻机台的喷酸装置制造方法【技术领域】，尤其涉及一种用于蚀刻机台的喷酸装置。[0002]现有技术中，在非金属蚀刻机台(non-metal etcher)和铟锡氧化物蚀刻机台(ΙΤ0etcher)中因酸性气体(chemical gas,简称酸气)会通过玻璃基板(glass)的传送而带到中央腔室(neu chamber,也称BUFFER),经由中央腔室排气装置(neu chamber exhaust)使酸气中的水分减少，经过一段时间会形成化学(chemical)结晶而堆积在中央腔室和蚀刻腔室之间的卷门(shuttle door)上。[0003]因卷门结晶会刮伤玻璃基板表面，而形成缺陷造成产品的报废。并且清除结晶需花费人力、物力跟时间。因此，需要可减少产品的报废(Scrap)、减少制程成本、提升产品良率(Yield)的新技术。[0004]图1所示为现有技术中的一种常用蚀刻机台，其是一种湿蚀刻机台(WETetcher),其传送玻璃方式是以U型(U_type)方式。将玻璃基板由卡匣(Cassette)取出后，放入入口输送机21 (Entrance conveyor,简称IN CV),而开始进行玻璃基板的传送以及其蚀刻制程。[0005]如图1所示，蚀刻机台的中央为中央踏台1，两侧分别排布入口输送机21、出口输送机31和各个腔室。[0006]如图1所示的湿蚀刻机台目前的设计为:由自动机械(Robot，机器人或机械臂)将玻璃基板8由存放的卡夹取出后，放到IN CV21，依次经过EUV22—中央腔室23—蚀刻腔室24、25、26、27 —清洗腔室(RINSE) 37、36、35 —气刀单元 34 (A/Κ) — CV33、32，直至出口输送机31 (OUT CV)，再由自动机械将玻璃基板存放入卡夹(Cassette)。[0007]如图2所示，由于玻璃基板8由中央腔室23向与其相邻的蚀刻腔室24传送时，酸气会从卷门4溢散出来,长时间下来会在卷门4上形成酸结晶(chemical crystal),当结晶形成后会对后面的玻璃基板8通过造成刮伤，刮伤的面积大时就会造成报废。
[0008]现有技术的蚀刻机台，虽然有卷门4可以挡住大部分的酸气，但是不足以避免在卷门4上形成结晶。
[0009]故需要避免在中央腔室23与蚀刻腔室24之间的卷门上形成结晶。


[0010]针对现有技术中存在的问题，本发明的目的为提供一种能够避免在中央腔室与蚀刻腔室之间的卷门上形成结晶的用于蚀刻机台的喷酸装置。
[0011]为实现上述目的，本发明的技术方案如下:
[0012]一种喷酸装置，用于蚀刻机台，所述蚀刻机台具有中央腔体和蚀刻腔室，且所述中央腔室与所述蚀刻腔室之间具有卷门，其特征在于，所述喷酸装置包括:酸性液体源，存储有酸性液体；连接管路，连接于所述酸性液体源以传输所述酸性液体；喷射装置，设置于所述连接管路末端，用以向所述卷门喷射所述酸性液体以避免在所述卷门上形成结晶。
[0013]一种避免形成结晶的方法，用于避免蚀刻机台的中央腔室与蚀刻腔室之间的卷门上形成结晶，其中，所述避免形成结晶的方法包括步骤；步骤S1:设置连接管路，以向所述卷门所处位置传送酸性液体；步骤S2:在所述连接管路的末端设置喷射装置；步骤S3:设置控制装置，控制所述喷射装置喷射酸性液体，以调整所述卷门所处环境的湿度。
[0014]本发明的蚀刻机台，具有本发明的喷酸装置。
[0015]本发明的有益效果在于:
[0016]1.能有效去除结晶产生
[0017]因在中央腔室中有增设排气装置会加速结晶物生成。若装设本发明的喷酸装置能有效使卷门长时间保持湿润状态而不易产生结晶物。
[0018]2.提升良率
[0019]因结 晶物生成将导致正常产品的刮伤、ILD/IT0被损坏而报废。故本发明可减少产品的报废、减少制程成本、提升产品良率(Yield)。
[0020]3.降低前制程基板异常造成人力花费
[0021]基于第一项的优点，亦可降低人员的负担(Loading)，减少人力的成本花费，尽而使公司可获得最佳之人力(Man power)运用效率。
[0022]4.减少机台宕机时间，提升机台使用率
[0023]基于第一项的优点，亦可降低ILD/IT0密度所造成的当机时间(Down time)，提升机台使用率(Up time)，使产能利用率发挥至最大效率。
[0024]5.降低各式生产成本
[0025]基于上述的优点，对公司各式生产成本可大幅降低(Cost down) 0
[0026]6.增设的装置成本低
[0027]对于喷酸装置(spray device)所需的物料要求不多，只需设置连接管路(pipe)以转接头安装到蚀刻机台上，并通过可编程控制器进行控制即可。



[0028]图1现有技术的一种蚀刻机台的示意图。
[0029]图2为本发明实施例的喷酸装置的设置位置示意图。
[0030]图3为本发明实施例的喷酸装置的示意图。
[0031]图4为本发明实施例的避免形成结晶的方法的流程图。

[0032]体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是，本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用，而非用以限制本发明。
[0033]本发明实施例的避免形成结晶的方法，可以由本发明实施例的喷酸装置实现，本发明实施例的蚀刻机台，具有本发明实施例的喷酸装置。
[0034]下面先介绍本发明实施例的喷酸装置。
[0035]本发明实施例的喷酸装置，包括喷射装置、连接管路和控制装置。以下逐一介绍:[0036]一、喷射装置
[0037]如图2和图3所示，本发明实施例的喷酸装置5的喷射装置，设置于本发明实施例的蚀刻机台的蚀刻腔室24内，而喷射装置优选的为连接管路的末端设置的多个喷射口。如果连接管路的末端为在蚀刻腔室24的地板上设置的圆柱形管，且圆柱形管的轴向平行于卷门4，则喷射口可以设置在圆柱形管的上缘，各个喷射口之间的距离可以相等。
[0038]喷射装置的作用，是喷射酸性液体，以调整卷门4所处环境的湿度。因为酸气只有在一定的湿度以下，才可以在物体上形成结晶，因此，能够使酸气在物体上形成结晶的湿度范围必然有一个最大值，即最大湿度，本说明书称这个最大湿度为结晶湿度。因此，如果卷门4所处环境的湿度大于结晶湿度，即可避免在卷门4上形成结晶。因此，喷射装置喷射酸性液体的目的，是使得卷门4所处环境的湿度保持在结晶湿度以上，避免结晶的形成。
[0039]由于喷射装置是设置在蚀刻腔室24的地板上，因此，喷射装置是自下向上的向卷门4喷射酸性液体。
[0040]对于喷射装置所喷射的酸性液体，则优选的为蚀刻机台所使用的蚀刻液，例如包含有草酸的蚀刻液。之所以选取蚀刻液作为喷射的酸性液体，是因为蚀刻液可以就地取材，便于通过连接管路将蚀刻液传送至蚀刻腔室24，并从喷射口喷出。
[0041]二、连接管路
[0042]本发明实施例的喷酸装置的连接管路，用于向所述喷酸装置的传送酸性液体；
[0043]连接管路可以由一系列的能够容纳酸性液体的管路、管接头和阀组成。管路需选用耐腐蚀性，主要是耐酸腐蚀性好的管路；相邻管路之间用管接头进行连接以进行管路转向。而阀则是为了控制喷射装置的动作，例如为气动阀，但本发明并不以此为限。如果需要调节喷射装置的喷射压力，则可以在连接管路上装设调压阀。
[0044]如果酸性液体为蚀刻液,则连接管路的源头为蚀刻腔室24的蚀刻液存储装置,而末端是在在蚀刻腔室24的地板上，并且是靠近中央腔室23与蚀刻腔室24之间的卷门4的位置，越靠近卷门4，则越能保证卷门4所处环境的湿度在结晶湿度之上。
[0045]三、控制装置
[0046]本发明实施例的喷酸装置的控制装置，用于控制所述喷射装置的喷射动作。包括喷射时机，喷射时喷射的压力及喷射持续的时间等。
[0047]对于喷射时机的控制，主要考虑两个方面，或者这两个方面的结合。一是在湿度明显会发生变化时进行喷射，二是实时对卷门4所处的环境的湿度进行检测，如果湿度大于结晶湿度，则不必进行喷射，如果湿度已经小于结晶湿度，则需进行喷射，以免在卷门4上形成结晶。
[0048]其中，湿度明显会发生变化的时候，主要是指卷门4开启的时候，这时，玻璃基板8在上下传送辊7的传送下由中央腔室23向蚀刻腔室24传送，此时需进行酸性液体的喷射。
[0049]也可以在卷门4附近安装湿度传感器，在检测到卷门4所处环境的湿度小于结晶湿度时，即进行酸性液体的喷射，以提高卷门4所处环境的湿度。
[0050]控制装置通常为可编程控制器(PLC)，通过远程控制气动阀的开启与关闭来控制所述喷射装置的喷射动作。可编程控制器可以通过运算，来控制喷射装置的动作，例如可以是在经过了一定时间以后，喷射装置动作一次或多次，或者在一定片数的玻璃基板8传送完成后，喷射装置动作一次或多次。[0051]下面再介绍一下本发明实施例的避免形成结晶的方法，在装置中提到的相同或相应的特征，在介绍方法时，不再赘述。
[0052]如图4所示，本发明实施例的避免形成结晶的方法，用于避免蚀刻机台的中央腔室23与蚀刻腔室24之间的卷门4上形成结晶，具体包括以下的步骤；
[0053]步骤S1:设置连接管路，以向卷门4所处位置传送酸性液体；
[0054]步骤S2:在所述连接管路的末端设置喷射装置；
[0055]步骤S3:设置控制装置，控制所述喷射装置喷射酸性液体，以调整所述卷门4所处环境的湿度。
[0056]具体的，在步骤S3中，控制装置可控制喷射装置在中央腔室23与蚀刻腔室24之间的卷门4开启且玻璃基板8通过卷门4时喷射所述酸性液体。
[0057]具体的，在步骤S3中，控制装置可通过控制连接管路上设置的气动阀的开启与关闭来控制喷射装置的喷射动作。
[0058]本领域技术人员应当意识到在不脱离本发明所附的权利要求所揭示的本发明的范围和精神的 情况下所作的更动与润饰，均属本发明的权利要求的保护范围之内。