专利名称：双面镀膜玻璃的制作方法镀膜玻璃如今已广泛应用于触摸屏领域和液晶显示领域，现有的一些 用于触摸屏和液晶显示屏的镀膜玻璃可见光透过率低，反射率高。特别在 环境光较强的情况下，画面图像的对比度会大大降低，严重影响着视觉效果。例如，目前普通ITO触摸屏玻璃可见光透过率约8696，反射率8%，在 环境光较强的情况下，画面对比度低，图像看不清楚，同时，高反射率导 致视觉效果更差，在长时间观看时，也影响着眼睛。
本实用新型解决的技术问题是克服现在技术中，触摸屏或液晶显示 屏用的镀膜玻璃透光率低、反射率高而导致视觉效果差的技术问题。本实用新型提供的解决技术问题的技术方案是构建一种双面镀膜玻 璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的两面依次重叠沉积NbA层和Si02层至Si02层为外层，或依次重叠沉积Ti02层和Si02层至Si02层为外层，在 一面所述重叠层外再沉积半导体膜层。本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述玻璃基片一面的 沉积层为五层，即:歸5层或Ti02层、Si02层、歸5层或Ti02层、Si02层、半导体膜层，另一面为四层，即恥205层或Ti02层、Si02层、Nb205 层或Ti02层、Si02层。本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述沉积层一面厚度 依次为恥205层或Ti02层为10nm至30nm， Si02层为20nm至50nm, Nb205 层或Ti02层为20nm至50nm, Si02层为60nm至140nm，半导体膜层为8 至28nm，所述沉积层另一面厚度依次为Nb205层或Ti02层为5nm至30nm， SiO2层为20nm至50nm, 1^>205层或1102层为10nm至40nm， Si02层为80nm 至140跳
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述玻璃基片一面的
沉积层为七层，即歸5层或Ti。2层、Si。2层、NbA层或Ti02层、Si02 层、恥205层或Ti02层、Si02层、半导体膜层，另一面为六层，即Nb205 层或Ti02层、Si。2层、恥205层或1102层、Si02层、NW)5层或Ti02层、Si02 层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述沉积层一面厚度 依次为吣205层或Ti02层为5nm至18nm， Si02层为20nm至50nm， Nb205 层或Ti02层为20nm至60nm， Si02层为5nm至20nm,恥205层或7102层 为20nm至70nm， Si02层为40nm至80nm，半导体膜层为8至28nm，所 述沉积层另一面厚度依次为Nb20s层或Ti02层为10nm至30nm， Si02层为20nm至50nm， NbA层或Ti02层为20nrn至50nm， Si02层为4nm至40歸， NbA层或Ti02层为20nm至80nm， Si02层为80nm至120nm。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述半导体膜层为惨 锡氧化铟膜层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述镀膜采用真空磁 控溅射方式镀膜。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述玻璃基片为透明 的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
本实用新型技术方案的技术效果是通过构建一种双面镀膜玻璃，包 括玻璃基片，在所述玻璃基片的两面依次重叠沉积NbA层和Si02层至Si02
层为外层，或依次重叠沉积Ti02层和Si02层至Si02层为外层，在一面所述
重叠层外再沉积半导体膜层。由于沉积了多层增透减反膜层，提高了所述 镀膜玻璃的可见光透过率和反射率。


图1为本实用新型九层镀膜玻璃结构示意图。
图2为本实用新型十三层镀膜玻璃结构示意图。

下面结合具体实施例对本实用新型技术方案进行进一步说明
本实用新型构建一种双面镀膜玻璃，本实用新型采用真空磁控溅射方式镀膜，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的两面依次重叠沉积恥205层和 Si02层至Si02层为外层，或依次重叠沉积Ti02层和Si02层至Si02层为外层，
在一面所述重叠层外再沉积半导体膜层。
如图1所示，所述玻璃基片1一面的沉积层为五层，所述沉积层厚度
依次为NbA层2或Ti02层2为10nm至30nm， Si02层3为20nm至50nm， 恥205层4或Ti02层4为20nm至50nm， Si02层5为60nm至140nm，半 导体膜层6为8至28nm。在所述基片另一面的沉积层厚度依次为Nb205 层7或Ti02层7为5nm至30nm， Si02层8为20nm至50腦，NbA层9或 Ti02层9为10nm至40nm， Si02层10为80nm至140nm。所述半导体膜 层6为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃 基片。
如图2所示，所述玻璃基片l一面的沉积层为七层，所述沉积层厚度 依次为歸5层2或Ti。2层2为5nm至18nm， Si02层3为20nm至50nm， NbA层4或Ti02层4为20nm至60nm， Si02层5为5nm至20nm， Nb205 层6或Ti02层6为20nm至70nm， Si02层11为40nm至80nm，半导体 膜层12为8至28nm。所述基片另一面沉的积层厚度依次为恥205层7或 Ti02层7为10nm至30nm， Si02层8为20nm至50nm，恥205层9或Ti02 层9为20nm至50nm， Si02层10为4nm至40nm， NbA层13或Ti02层 13为20nm至80nm， Si02层14为80nm至120nm。所述半导体膜层12 为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃基片1为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片l。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细 说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新 型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下， 还可以做出若千简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。