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一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法

  • 专利名称
    一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法
  • 发明者
    吴太平, 张晓霞, 李国太
  • 公开日
    2011年2月23日
  • 申请日期
    2010年8月25日
  • 优先权日
    2010年8月25日
  • 申请人
    吴太平
  • 文档编号
    A01G1/00GK101978811SQ20101026634
  • 关键字
  • 权利要求
    一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法,其特征是包括以下步骤1)将土地在十月中旬至十月下旬深耕至20~25厘米;2)在三月中下旬,土壤水分含量为65~70%时按常规方法划行起垄,并在垄沟内按照20~25千克/亩施硝酸磷肥,垄沟两侧按照20~25千克/亩施硫酸钾肥,并覆盖微膜;3)四月上旬,在垄沟内按照40~50厘米的株距种植西瓜;4)四月下旬,在垄的上部按照23~26厘米的株距轧孔种植甘薯幼苗,按常规方法浇水、盖土2.根据权利要求1所述的旱地甘薯西瓜立体栽培方法,其特征是所述的土地为红壤土 质或纯砂土质土地3.根据权利要求1所述的旱地甘薯西瓜立体栽培方法,其特征是所述的轧孔的直径为 1. 2 1. 5厘米,深度为15 20厘米
  • 技术领域
    本发明属于农作物栽培方法技术领域,具体涉及一种旱地甘薯西瓜立体栽培方 法
  • 背景技术
  • 具体实施例方式
    实施例1一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法包括以下步骤1)将红壤土质土地在十月中旬深耕至20厘米;2)在三月中下旬,土壤水分含量为65%时按常规方法划行起垄,并在垄沟内按照 20千克/亩施硝酸磷肥,垄沟两侧按照20千克/亩施硫酸钾肥,并覆盖微膜;3)四月上旬,在垄沟内按照40厘米的株距种植西瓜;4)四月下旬,在垄的上部按照23厘米的株距轧孔种植甘薯幼苗,孔直径为1. 2厘 米,深度为15厘米,按常规方法浇水、盖土实施例2一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法包括以下步骤1)将红壤土质土地在十月下旬深耕至23厘米;2)在三月中下旬,土壤水分含量为68%时按常规方法划行起垄,并在垄沟内按照 22千克/亩施硝酸磷肥,垄沟两侧按照23千克/亩施硫酸钾肥,并覆盖微膜;3)四月上旬,在垄沟内按照45厘米的株距种植西瓜;4)四月下旬,在垄的上部按照25厘米的株距轧孔种植甘薯幼苗,孔直径为1. 4厘 米,深度为17厘米,按常规方法浇水、盖土实施例3一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法包括以下步骤1)在十月下旬深耕纯砂土质土地,深度为25厘米;2)在三月中下旬,土壤水分含量为70%时按常规方法划行起垄,并在垄沟内按照 25千克/亩施硝酸磷肥,垄沟两侧按照25千克/亩施硫酸钾肥,并覆盖微膜;3)四月上旬,在垄沟内按照50厘米的株距种植西瓜;4)四月下旬,在垄的上部按照26厘米 株距轧孔种植甘薯幼苗,孔直径为1. 5厘 米,深度为20厘米,按常规方法浇水、盖土
  • 专利详情
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  • 权力要求
  • 说明书
  • 法律状态
专利名称:一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法甘薯营养价值很高,在保健食品中有广泛应用,现有甘薯种植过程中存在甘薯秧 苗生长过快,影响甘薯块根的生长,导致甘薯产量降低,针对此种情况,薯农常需经常翻秧, 人为抑制秧苗的生长,确保甘薯产量;西瓜在种植过程中同样存在瓜秧生长过快的问题,同 时为确保西瓜花授粉充分,瓜农需随西瓜秧的生长不断压秧、打叉、该方法虽可提高西瓜花 的授粉,但是也存在因瓜秧翻滚而出现的化瓜减产。此外,由于甘薯秧苗和西瓜秧苗较大, 需占据一定的空间,因此甘薯和西瓜种植过程中需留出充分的土壤空间,造成土地资源的 极大浪费。
本发明的目的是针对现有旱地甘薯、西瓜栽培方法不合理、劳动强度大、产量低、 土地利用率低等问题,提供一种产量高、劳动强度小、土地利用率高的旱地甘薯西瓜立体栽 培方法。本发明为解决上述问题而采取的技术方案为一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法包括以下步骤1)将土地在十月中旬至十月下旬深耕至20 25厘米;2)在三月中下旬,土壤水分含量为65 70%时按常规方法划行起垄,并在垄沟内 按照20 25千克/亩施硝酸磷肥,垄沟两侧按照20 25千克/亩施硫酸钾肥,并覆盖微 膜;3)四月上旬,在垄沟内按照40 50厘米的株距种植西瓜;4)四月下旬,在垄的上部按照23 26厘米的株距轧孔种植甘薯幼苗,按常规方法饶水、盖土 ο其中所述的土地为红壤土质或纯砂土质土地。所述的轧孔的直径为1. 2 1. 5厘米,深度为15 20厘米。本发明与现有技术相比具有以下有益效果1)本发明根据甘薯和西瓜的不同生长周期先后、交替种植,科学利用共生原理, 借甘薯打桩,让西瓜秧须缠在甘薯苗上,既解决了以往西瓜种植压秧、打叉、压蔓等复杂的 人工劳动,又防止了甘薯秧的狂长,省去中耕,翻秧的辛苦劳动,可谓是一举两得的省工之 举;2)本发明地膜覆盖具有增温保湿的作用,有利于土壤微生物的增殖,使养分源源 不断地供作物生长发育吸收利用,据测定,覆盖地膜后速效性氮可增加30% 50%,钾增 加10% 20%,磷增加20% 30%,同时地膜覆盖,还可减少养分的淋溶、流失、挥发,提高养分的利用率;3)本发明方法采取合理的株距和薄膜栽培,维持旱地的水分和营养,经试验比不 盖膜单种甘薯或西瓜的每亩增产2 3倍,比盖膜的单种作物增产50% 90%以上,且科 学的提高土地利用率,全面实现生产者低投入、高产出的最大化效益。本发明属于农作物栽培方法技术领域,具体涉及一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法。本发明的目的是解决现有旱地甘薯西瓜栽培方法不合理、劳动强度大、产量低、土地利用率低等问题。本发明的技术方案为包括以下步骤1)将土地在十月中旬至十月下旬深耕至20~25厘米;2)在三月中下旬,土壤水分含量为65~70%时按常规方法划行起垄,并在垄沟内按照20~25千克/亩施硝酸磷肥,垄沟两侧按照20~25千克/亩施硫酸钾肥,并覆盖微膜;3)四月上旬,在垄沟内按照40~50厘米的株距种植西瓜;4)四月下旬,在垄的上部按照23~26厘米的株距轧孔种植甘薯幼苗,按常规方法浇水、盖土。本发明具有产量高、劳动强度小、土地利用率高等优点。



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