专利摘要： 本发明公开了一种刚玉-莫来石复相陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤1）按照质量分数，将1～25%的粉煤灰、0～5%的氧化钙、0～10%的钠长石和60～99%的铝矾土混合均匀，得到原料，其中，所述铝矾土为三氧化二铝含量为50～68%铝矾土；2）将所述原料置于球磨机中混合均匀并球磨致其粒径小于74μm，得到混合粉料；3）向所述混合粉料中加入占其质量1～3%的水玻璃搅拌均匀，陈腐1～2h，在压力机或造粒机上进行成型制坯，得到坯料；4）将所述坯料以5～15℃/min的速率升温到1350～1420℃，保温40～120min后随炉冷却，即得所述刚玉-莫来石复相陶瓷材料。该制备方法选用的铝矾土为较低品味原料，在满足材料使用性能要求的同时降低生产能耗和成本、提高资源利用率。

专利摘要： 一种不同超导相含量硼化镁-氧化镁复相超导材料的原位制备方法，该方法是在真空条件下，以硼(B)、镁(Mg)和三氧化二硼(B2O3)为原料制备超导相含量原位可调控的MgB2-MgO复相超导体，涉及超导相含量原位可调控二硼化镁（MgB2）复相超导材料的制备方法。本发明制备方法简单，成功实现了MgB2复相超导体超导相含量的宽范围原位调控，为研究硼化镁超导弱连接特性、磁通钉扎行为及电阻型硼化镁超导故障限流器(SCFCL)等提供了关键技术和基础材料。

专利摘要： 本发明涉及一种氮化硅结合碳化硅复相耐高温材料及其制备方法。其技术方案是先将13~22wt%的硅粉和0.01~1wt%的催化剂粉干法球磨，加入0.1~0.99wt%的三氧化二钇细粉和12~22wt%的碳化硅细粉干法球磨，得混合细粉料；再将3~8wt%的结合剂、35~50wt%的碳化硅粗颗粒和10~18wt%的碳化硅中颗粒搅拌，得润湿后的碳化硅颗粒料；然后，将得到的混合细粉料加入到润湿后的碳化硅颗粒料中，混炼，成型，冷等静压处理，干燥，得烧结前驱体；最后将烧结前驱体置于管式电炉内，在氮气气氛和1320℃～1400℃条件下制得氮化硅结合碳化硅复相耐高温材料。本发明具有氮化反应温度低和反应完全的特点；该制品纯度高、寿命长、抗热震性和抗侵蚀性良好。

专利摘要： 一种Si-Al-O-N-B复相陶瓷材料及其制备方法。该Si-Al-O-N-B复相陶瓷材料由氮化硅25～55重量份，氮化铝10～40重量份，氧化铝5～40重量份的混合粉体压制成素坯，再将所述素坯浸渍BN的液态先驱体硼吖嗪，然后经交联固化，高温裂解、烧结而成；其介电常数小于6。本发明复相陶瓷材料不易开裂；制备工艺简单，还可根据目标产物的性质调整工艺参数，同时可利用先驱体良好的流变特性解决复杂构件成型难的问题。

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专利摘要： 一种高强耐磨复相多晶工程板的生产方法，涉及人造石材或部分工程材料的生产【技术领域】。将钙基废料、辅助原料、助熔澄清剂混合后热熔，经均化、澄清后形成高温熔体，将高温熔体经过压延或浇注或水淬制成基础非晶板或粒料，再经过晶化处理，形成高强耐磨复相多晶工程板。本发明综合利用了固体废弃物，提供了一种物理力学性能好、加工性能优良，可以代替天然石材或部分工程，且物理力学性能及化学稳定性优于天然石材或部分工程材料的高强耐磨复相多晶工程板，可广泛应用于化工、冶金、建筑装饰、石油等领域。

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专利摘要： 本发明提供了一种ⅣB、ⅤB族过渡金属(主要指钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)、钽(Ta))硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法。本发明以ⅣB、ⅤB族过渡金属氧化物或无机盐为相应陶瓷中金属元素来源，氮化硼为硼源，铝粉、铁粉、单质碳(石墨、裂解碳)等为还原剂配制反应物配方，随后根据配方对原料进行称量、研磨，最后经高温热处理制备硼化物及其复相陶瓷粉体。本发明提供的硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法具有制备温度低，应用范围广，制备工艺简单等特点，有望应用于硼化物超高温陶瓷粉体及超高温陶瓷基复合材料的制备等领域。

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专利摘要： 本发明公开了一种低温制备导电Si3N4-ZrB2复相陶瓷的方法，涉及非氧化物陶瓷材料领域，该方法在避免Si3N4和ZrB2反应的前提下，1300～1550℃低温下制备高致密、导电Si3N4-ZrB2复相陶瓷；本发明以Si3N4粉和ZrB2粉为原料，以MgO-Re2O3为添加剂；按配比经混料，干燥后得到Si3N4-ZrB2-MgO-Re2O3混合粉体；将混合粉体放入模具中，通过热压烧结获得导电Si3N4-ZrB2复相陶瓷；所述方法制备得到的导电Si3N4-ZrB2复相陶瓷的相对密度大于96％，硬度为15～25GPa，断裂韧性为4～8MPa·m1/2，抗弯强度为600～1200Mpa，电阻率为1*104Ω.cm～1*10-5Ω.cm；复相陶瓷材料主相Si3N4和ZrB2两相，显微结构均匀、气孔率小，具有优异的力学和导电性能。