专利名称:一种硅片清洗装置的制作方法随着大规模集成电路的发展,对半导体的要求也越来越强烈,而硅片表面的洁净度及表面态对高质量的硅器件工艺品是至关重要的,如果硅片表面洁净度达不到要求,那么无论其它工艺步骤控制得多么优秀,也是不可能获得高质量的半导体器件的。现有技术中硅片的清洗皆是在切割完硅片之后进行的,而在线切割硅片时,切割的线会带有碎屑,从而使切割的线退出时会刮伤切割好的硅片。更重要的是硅块在多线切割机内完成切割后,再拿出在多线切割机外进行清洗喷淋时碰到的最大问题就是硅片之间粘结在一起,硅片粘结面之间很难清洗得到,无法彻底清洗干净,工作效率不高,所加工出来的硅片质量不高,导致所获得的半导体器件质量也不闻。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本实施例一中一种硅片清洗装置的示意图;图2是本实施例一中的一种喷淋管道的示意图;图3是图2中一种喷淋管道的横截面剖视图;图4是本实施例一中喷淋管路系统的示意图;图5是本实施例二中的一种喷淋管道的示意图;图6是图5中一种喷淋管道的横截面剖视图。为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例及附图,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此部分所描述的具体实施例仅可用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。如图1所示,本实施例公开了一种硅片清洗装置10,所述多线切割机包括四个排放成矩形的导轮1、多根切割钢线2以及四组砂浆喷嘴3,多根所述切割钢线2依次缠绕在四个所述导轮I上且相应的形成矩形切割线网,在本实施例中,所述导轮I为四个,排列成水平放置的矩形,所述矩形每个角上各有一个导轮I。四个所述导轮I上缠绕有多根所述切割钢线2,多根所述切割钢线依次缠绕在四个所述导轮上且相应的形成两个用于切割的矩形切割线网,两个所述切割钢线网分别包括第一切割面201和第二切割面202,所述第一切割面201和所述第二切割面202皆与地面平行,所述第一切割面201与所述第二切割面202分别设有第一侧和第二侧,所述第一侧与所述第二侧分别位于所述第一切割面201和所述第二切割面202上方,所述切割钢线2用于切割硅块5,加工出硅片。所述砂浆喷嘴3 —共有四组,每两组所述砂浆喷嘴3分别位于所述第一侧和所述第二侧,并且,所述砂浆喷嘴3轴线方向与所述导轮I轴线方向平行,每两组所述砂浆喷嘴3中的两个砂浆喷嘴3分别位于所述第一侧和所述第二侧两侧。如图2到图3所示,为了在切割硅块5后,能够第一时间对切割好的硅片进行清洗,所述硅片清洗装置10设于所述多线切割机内,所述喷淋管道4与所述砂浆喷嘴3并行排放且置于两组所述砂浆喷嘴3之间,在本实施例中,所述喷淋管道4为细小的管道,并且喷淋管道端部402为密封的,在喷淋管道管壁处403开有喷淋结构401,所述喷淋结构401用于喷淋出液体。由于喷淋管道4是为了解决硅片之间的粘接问题,在本实施例中,所述喷淋管道4位于所述硅块5的两侧,并且,因为在多线切割机内,一次切割两个硅块5,所述硅块5设有内侧502和相对设置的外侧501,两个所述娃块内侧502相对着,两个所述娃块外侧501背对着,故所述喷淋管道4分为八组,每组分别有一条,所述喷淋管道4 一共有八条,分别为两个位于所述娃块5的两外侧501和两个位于所述娃块5的两内侧502,其中,两个位于所述硅块5的两外侧501的所述喷淋管道4,且与所述砂浆喷嘴2并列排放在一起,两个位于所述硅块两内侧502的所述喷淋管道4并列排放在一起。为了保证喷淋管道4的冲击力度,所述喷淋管道4与所述切割钢线2和所述硅块5的距离相当近但不会相互接触。为了让水流从所述喷淋管道4中喷淋出来,冲洗硅片,在所述喷淋管道4第三侧即每两组所述喷淋管道4相对着的一侧开有一沿喷淋管道4轴心方向的喷淋结构401,所述喷淋结构401用于喷淋出液体。为了获得更高的清洗效率,所述喷淋结构401开在所述喷淋管道4第三侧的中间位置。为了方便加工和节约成本,在本实施例中,所述喷淋结构401为密集的小孔401a。在所述喷淋管道4第三侧加工出若干个细小的小孔401a,保证水流可以喷射而出,又有足够的水量可以满足清洗硅片的要求。如图4所示,所述硅片清洗装置10还包括喷淋管路系统6,在本实施例中,所述喷淋管路系统6包括依次连接的用于收集喷淋液的喷淋液收集室601、用于将所述喷淋液收集室601中的所述喷淋液回收的喷淋液回收系统602、用于将所述喷淋液回收系统602中的所述喷淋液收集的喷淋液收集装置603、用于使所述喷淋液收集装置603中的所述喷淋液加压的喷淋液加压系统604以及将所述喷淋液加压系统604中的所述喷淋液保持在同一个温度的喷淋液恒温系统605,所述喷淋管道4上接在所述喷淋液恒温系统605上。请参阅图5至图6,本发明第二实施例提供的硅片清洗装置10,所述硅片清洗装置10与第一实施方式所提供的硅片清洗装置10基本相同,其不同之处在于所述喷淋结构401还可以为槽402b,在本实施例中,在所述喷淋管道4第三侧加工出一个槽402b,所述槽402b的缝隙非常细小,可以满足水流喷射而出,又不会使缝隙被堵住。为了进一步增加冲击的水流强度,在本实施例中,所述槽402b的横截面为7字形,所述槽402b的横截面包括有第一面和第二面,所述第一面与所述喷淋管道4径向平行,所述第二面与所述第一面呈锐角,使所述喷淋管道4里的水流倾斜的射出,更能够给硅片上的砂浆形成冲击,带走硅片上的砂浆,从而将硅片冲洗干净。本实用新型的工作过程为:四个导轮I旋转带动所述切割钢线2绕动,砂浆喷嘴3喷出含碳化硅的切割液,其均匀的涂覆在所述切割钢线2上。所述切割钢线2带着切割液切割做着上下平移运动的所述待切割的硅块5,所述待切割的硅块5切割完之后,切割好的所述硅片自下而上的退出所述切割钢线2,同时,喷淋管道4连接上喷淋管路系统6开始工作,喷淋结构401向切割好的硅片喷淋出液体,清洗硅片上的砂浆和冲走所述硅块5切割时产生的碎屑。本实用新型与现有技术相比较,通过在多线切割机内实现硅片清洗喷淋,使得多线切割机切割完硅片后,切割钢线2在进行退刀时不会刮伤切割好的硅片,更重要的是,省却了把切割好的硅片在多线切割机外进行清洗的工序,直接变成在多线切割机内清洗,使得加工好的硅片之间不会粘结在一起,能高效的清洗硅片,操作简便,工作效率高,降低了成本,带来了经济利益。以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
一种硅片清洗装置制作方法
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