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一种用于切断单晶硅棒料的组合夹具制作方法
专利
专利摘要: 一种用于切断单晶硅棒料的组合夹具,用于提高单晶硅棒料切割质量。其技术方案是所述组合夹具设置在带锯切割机工作台上,它由分别位于带锯两侧的夹卡装置和扶正装置组成,夹卡装置由导轨、滑块和三组并列的夹紧机构组成,导轨与工作台托板固定,滑块与导轨滑动连接,夹紧机构位于滑块上,扶正装置由两组并列的扶正机构组成。本实用新型在带锯两侧对单晶硅棒料分别夹紧、扶正,解决了切割端面掰断裂痕及垂直度误差问题,它以夹紧汽缸为夹紧件,实现三点定位夹紧,具有夹紧力均衡可靠、操作简便快捷的特点。采用本实用新型可有效降低单晶硅棒料切割不合格率、提高单晶硅使用率。 -
多晶硅棒破碎设备制作方法
专利
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多晶硅开方机切割机构制作方法
专利
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多晶硅多线切片机砂浆引流设备制作方法
专利
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多晶硅锭开方金刚石线锯装置制造方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种多晶硅锭开方金刚石线锯装置,包括切割多晶硅锭的金刚石线锯,所述金刚石线锯包括环形金刚石锯丝,至少两条以上环形金刚石锯丝分别由各自对应设置的导轮组张紧运转而形成X向相互平行的一组切割面,至少两条环形金刚石锯丝分别由各自对应设置的导轮组张紧而形成Y向相互平行的另一组切割面,两组切割面上的X向金刚石锯丝线族和Y向金刚石锯丝线族交叉形成方格形切割网。本发明采用多条环形金刚石锯丝排列成纵横的网状线切割多晶硅锭,有效利用环形金刚石锯丝单方向、无惯性力、高速运动的特性,可使加工效率相比往复式金刚石线锯装置提高3倍~5倍。 -
便于夹紧的多晶硅片脱胶工装制作方法
专利
专利摘要: 本实用新型公开了一种便于夹紧的多晶硅片脱胶工装,包括框架,所述框架内贴着框架前后框设有晶托架,所述晶托架的一端上部设有晶托的定位装置,与晶托架平行、在晶托架的下方依次设有两根夹杆、两个插片槽和两根托架,所述晶托架、夹杆、插片槽和托架的两端连接于框架两端框。用本实用新型进行多晶硅片脱胶工装时,通过晶托一端长杆的端部固定于定位杆之间,将晶托位置固定;通过夹杆、托架和插片,将多晶硅片夹紧并固定。从上述工作过程可知,用本实用新型进行多晶硅片的脱胶工装时,既方便插入插片、工作效率高,又能保证多晶硅片在脱胶过程中插片不会滑动而造成多硅晶片散落损毁,降低了不必要的生产损耗,减少了生产成本,提高了生产效率。 -
多晶硅片脱胶工装制作方法
专利
专利摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅片脱胶工装,包括框架,所述框架内贴着框架前后框设有晶托架,所述晶托架的一端上部设有晶托的定位装置,与晶托架平行、在晶托架的下方依次设有两根夹杆、两根托架,所述晶托架、夹杆、托架的两端连接于框架两端框。用本实用新型进行多晶硅片脱胶工装时,通过晶托一端的挂杆端部固定于定位杆之间,将晶托位置固定;通过夹杆、托架和插片,将多晶硅片夹紧并固定。从上述工作过程可知,用本实用新型进行多晶硅片的脱胶工装时,既方便快捷、工作效率高,又能保证多晶硅片在脱胶过程中不会散落损毁,降低了不必要的生产损耗,减少了生产成本,提高了生产效率。 -
一种用于单晶硅片清洗的洗片机制作方法
专利
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一种截断单晶硅棒的方法
专利
专利摘要: 本发明涉及加工半导体硅单晶棒领域,具体是一种截断单晶硅棒的方法。本发明所采用的技术方案是一种截断单晶硅棒的方法,在截断单晶硅棒前,设定边缘切割速度为1~2mm/min,同时根据金刚石锯带的刀数使用情况来设定锯带的张力大小。本发明的有益效果是通过设定边缘切割速度为1~2mm/min,锯带出刀时能够有效避免硅棒端面发生崩边现象;根据锯带的刀数使用情况,来设定锯带的张力大小,有效克服锯带跑偏,避免硅棒端面发生平行度差的现象;根据锯带的刀数使用情况,来设定锯带的张力大小,有效延长了锯带的使用寿命,显著提升了锯带的切割刀数,有效降低了生产成本。 -
太阳能电池晶硅硅片清洗控制装置制作方法
专利
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一种单晶硅棒粘接工装制作方法
专利
专利摘要: 本实用新型涉及一种单晶硅棒粘接工装,包括设置有容纳槽的底座、固定设置在底座上并与底座垂直的导向柱面、设置于导向柱面两侧母线处的第一直线滑轨和第二直线滑轨、两端分别可滑动地设置于第一直线滑轨和第二直线滑轨上的弧形定位器、设置与弧形定位器以及导向柱面内的夹紧装置、设置在弧形定位器内的激光探测器以及用于接收激光探测器信号,并控制弧形定位器及夹紧装置动作的控制单元。由于采用激光探测器采集单晶硅棒的位置信息,并通过控制单元计算其轴线位置与容纳槽的位置偏差并通过夹紧装置进行自动调整,因此其测量精度将大大提高,避免了单晶硅棒的中心与托盘中心的位置偏差,保证了单晶硅棒与专用托盘粘接的准确性。 -
太阳能电池用单晶硅圆棒的开方工艺及应用制作方法
专利
专利摘要: 本发明公开了太阳能电池用单晶硅圆棒的开方工艺,先将硅棒棱线与相邻晶托棱线间的周向弧度调整为2π/9~5π/18,再将单晶硅圆棒开方。本发明还提供单晶硅太阳能电池片的生产工艺,包括单晶硅切割片的制备、表面制绒和电极栅线的印刷,所述单晶硅切割片为由单晶硅方棒线切割切片而成的准方形硅片,所述单晶硅方棒由单晶硅圆棒通过上述开方工艺制得;所述印刷的电极栅线与准方形硅片边缘平行或垂直。本发明可以得到四个侧面晶向为<110>±5°的单晶硅方棒,进而得到四个边缘晶向为<110>±5°的单晶硅切割片,该单晶硅片常规制绒后形成的绒面金字塔结构底边能用于传输光生电子,且不会使光生电子在该金字塔结构底边上产生路径延长。 -
多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片再生方法
专利
专利摘要: 本发明公开了一种多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片再生方法,依次包括如下步骤a)对多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片进行清洗分拣;b)对所述石英坩埚碎片进行非晶化处理;c)对所述石英坩埚碎片进行湿式粉碎;d)对粉碎后的石英坩埚碎片进行制浆,采用等静压方式成型;e)进行晾干及烧结处理。本发明提供的多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片再生方法,通过对多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片进行清洗分拣,非晶化处理,湿式粉碎以及等静压方式成型,能够避免石英材料的浪费,大大降低添加剂的加入量,避免引入杂质来源,从而使得再生坩埚具有成型强度高、致密度大、密度均匀、成品率高的特点,且制作周期短、耗费成本低。 -
一种单晶硅或多晶硅多块硅方的对接装置制作方法
专利
专利摘要: 本实用新型公开了一种单晶硅或多晶硅多块硅方的对接装置,包括底板、端部挡板、用于承托多块硅方的支撑单元以及用于推进多块硅方之间相互对接在一起的推进单元,所述底板为水平设置的一块平板,所述端部挡板竖向设置,端部挡板固定设置在底板的左端,端部挡板与多块硅方中位于最左端的一块硅方相接触,所述的支撑单元位于端部挡板和推进单元之间,所述的推进单元设置在底板的右端,所述推进单元与多块硅方中位于最右端的一块硅方相接触,所述推进单元能够向硅方施加推力,以推压多块硅方对接在一起。该对接装置能够使把不同长度单晶硅或多晶硅硅方拼接成大长度的硅方,并且能够保证多块单晶硅或多晶硅硅方更加平齐、吻合的粘接在一起。 -
一种全自动机械化多晶硅破碎机制作方法
专利
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多晶硅破碎物的制造方法
专利
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用于太阳能多晶硅石英坩埚的生产工艺及其养护干燥设备制作方法
专利
专利摘要: 一种用于太阳能多晶硅石英坩埚的生产工艺及其养护干燥设备,它解决了现有坩埚壁厚不均以及热工养护设备难以达到设定工艺要求等问题,其特征在于在石英陶瓷泥浆中加入一种有机单体,在非孔模具中成型后制得坩埚制品烧制而成,工艺流程为高纯熔融石英原料→制备石英陶瓷料浆→注凝成型→养护干燥→烧成→检测→包装→成品→入库。养护干燥设备的窑体为三层结构,每层辊道窑的窑墙两侧设置测温孔、测湿孔、测压孔和热风调节孔和观察门,在金属框架的上方设置循环风管道、供热风管道、排潮风管道和冷却风管道,并采用全集成自动化控制系统进行集散控制,确保石英坩埚制品干燥质量下最大限度的利用窑炉余热,达到节能降耗的目的。 -
一种自平衡冲击多晶硅破碎装置制作方法
专利
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一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置制作方法
专利
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一种多晶硅铸锭用的坩埚、及其涂层结构和涂层制备方法
专利
专利摘要: 本发明提供了一种多晶硅铸锭用的坩埚、及其涂层结构和涂层制备方法。本发明提供的多晶硅铸锭用的坩埚涂层结构包括置于坩埚内侧壁上的第一涂层,和置于该第一涂层上的第二涂层;所述第一涂层通过刷涂第一涂层组合物形成,所述第一涂层组合物包括氮化硅和溶剂;所述第二涂层通过喷涂第二涂层组合物形成,所述第二涂层组合物由氮化硅和溶剂组成。本发明提供的多晶硅铸锭用的坩埚涂层结构厚薄均匀、不易开裂,且涂层与陶瓷石英坩埚内侧壁的结合力高,涂层中氮化硅颗粒之间的结合力强,在铸锭工艺中不易剥落、粘锅率较低。 -
一种新型晶硅太阳能节能环保公交站系统制作方法
专利
专利摘要: 本实用新型提供一种新型晶硅太阳能节能环保公交站系统,包括立柱,顶端设有照明装置,照明装置的下方设有站台标志牌,站台标志牌下方设有信息提示牌,信息提示牌内设有语音装置;顶蓬;广告灯箱,设有相背设置的两侧壁,两侧壁上设有LED灯及可替换的广告或告示牌,之间设有防盗报警装置;固定在顶蓬的上表面的太阳能电池板;控制器;蓄电池,太阳能电池板通过控制器与蓄电池相连,防盗报警装置、信息提示牌及LED灯均通过到导线与蓄电池相连。本实用新型增加了防盗报警装置和照明装置,能够节约能源且具有防盗报警装置,有效的防止了太阳能系统被盗,增加了提示牌、语音装置及电子显示牌,有效的提示人们公交运行情况及到站信息。 -
一种窄黑边高效多晶硅片的制备方法
专利
专利摘要: 本发明涉及一种窄黑边高效多晶硅片的制备方法,制备方法为1)在普通的石英坩埚侧壁先刷涂一层致密的高纯石英砂涂层;在坩埚表面喷涂适合厚度的氮化硅涂层;2)在坩埚底部铺设碎单晶、多晶碎片或细碎原生硅料作为诱导生长“籽晶”;3)加热使硅料部分熔化,通过石英棒测试的方法确保籽晶层上方硅料完全熔融,但籽晶层仅部分熔化;4)控制所述坩埚内的温度在坩埚内形成由下到上的垂直温度梯度,使“籽晶”诱导生长,制得窄黑边高效多晶硅锭;5)通过钢线+磨料研磨的方式,将硅锭切割成薄片,该制备方法可制得一种侧边杂质扩散宽度窄、制造成本低且转换效率高的多晶硅片,且操作简单,生产成本低,适于大规模生产。 -
一种多晶硅太阳能电池切片方法
专利
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