专利名称：一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法我国是世界第一甘薯生产大国，年种植面积3. 69X106hm2,占世界种植总面积的 45. 06%，年总产8.52 X 107t，占世界总产量的77. 38% (FA0，2008)。因此，我国甘薯产业的发展对世界甘薯生产起着举足轻重的作用。近年来，甘薯病毒病危害日趋严重，已成为限制甘薯产量增加和导致品质下降的主要因素。对于病毒病的防治，由于高抗病毒品种尚未培育成功，也无有效地防治药剂，目前生产上为了减轻病毒病带来的危害，最有效的方法就是生产和推广脱毒苗(薯)，其增产效果十分显著，一般增产幅度为20-40%，甚至更高。 现世界各甘薯生产国，多采用茎尖分生组织培养的方法脱除甘薯病毒、繁育和生产脱毒种薯和种苗，以提高甘薯产量和品质。但是，基因型是决定植株再生的最主要因素，许多甘薯优良品种在生产上推广应用，病毒侵染后，由于再生能力弱，很难通过茎尖培养获得大量脱毒苗，严重制约了优良品种的推广应用和缩短了优良品种服务生产的年限；同样，在其它作物，如棉花等，也存在由于部分品种难以再生或再生能力较弱，限制了转基因技术对品种的遗传改良。
本发明提供一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法，通过利用这ー 再生方法，弱再生基因型甘薯可以一次诱导成苗，再生率获得显著提高，均超过80. 0 % ；并且植株再生的时间也大大缩短，普遍为20-30d天，植株长势好，生长速度快。本发明是通过如下技术方案实现的一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法，选取弱再生基因型甘薯品种心香为试验材料，选取薯块催生嫩芽为试验材料，在显微镜下剥取茎尖分生组织接种于一次性诱导植株再生培养基；茎尖分生组织接种于诱导培养基后，首先经过暗培养；然后，在温度观士1で、光照10小吋/天条件下培养；待芽分化后，将其转入光照培养箱，在暗培养条件下培养，促进植株再生及节间的伸长；然后将再生植株转入常规MS基本培养基、正常光照条件下进行繁殖培养。所述的在显微镜下剥取的茎尖分生组织是接种于一次性诱导植株再生培养基， MS 基本培养基 +NAA 0. lmg/L+6-BA 2. Omg/L+TDZ 0. 1-1. Omg/L+4-FA 0. lmg/L+ 蔗糖 30g/ L+Phytagel 2. 5g/L，灭菌前调PH :5. 8-6. 0 ；进行培养的，这ー配方是在发明人前期大量组培工作及经验基础上，积极引进新型細胞分裂素4-FA，在同NAA、6-BA、TDZ协同作用下，能显著提高弱再生基因型甘薯的植株再生率。所述的接种于一次性诱导植株再生培养基的茎尖分生组织，首先是经过32°C暗培养4-8天；暗培养有助于剥离茎尖分生组织的自身修复及細胞分裂的启动，再同该进一次性诱导培养基的互作，进ー步提高植株再生的频率。所述的茎尖分生组织接种于一次性诱导植株再生培养基培养，待芽分化后，转入光照培养箱，在35°C下暗培养；芽分化后，前人的通常情况是更换培养基(去除植物生长调节剂)、光照培养；但是通过本实验发现，芽分化后，将其转入35°C的培养箱中、暗培养，可以促进节间的快速伸长，加快了植株再生的速度。本发明的有益效果是通过利用这ー再生方法，弱再生基因型甘薯可以一次诱导成苗，再生率获得显著提高，均超过80.0% ；并且植株再生的时间也大大缩短，普遍为 20-30d天，植株长势好，生长速度快；该方法可操作性强、重复性好；这一再生技术的改迸， 将有助于甘薯优良品种的脱毒培养及脱毒种苗(薯)的推广应用，提高甘薯产量和品质。该方法可操作性强、重复性好。图1是利用本发明的再生方法与文献1 QOll年，江西农业学报，10期，作者周志林，唐君等)方法心香再生率的对比图片。图2是心香芽分化后，光照培养的图片。图3是心香芽分化后，350C暗培养的图片。


本发明公开了一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法，属甘薯组织培养改良技术。选取弱再生基因型甘薯品种心香作为试验材料，选取薯块催生嫩芽为试验材料，在显微镜下剥取茎尖接种于一次性诱导植株再生培养基；在32℃下暗培养4-8天；然后在温度28±1℃、光照10小时/天条件下培养；待芽分化后，将其在35℃暗培养；植株再生后转入常规MS基本培养基、正常光照条件下进行繁殖培养。有益的效果通过这一再生方法，弱再生基因型甘薯可以一步诱导成苗，并且再生率获得显著提高，均超过80.0％；植株再生的时间大大缩短，普遍为20-30d天，植株长势好，生长速度快；该方法可操作性强、重复性好。